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FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相 比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。

串行接口存儲(chǔ)器的產(chǎn)品陣容有16Kbit至4Mbit的SPI接口產(chǎn)品，以及4Kbit至1Mbit的I²C接口產(chǎn)品。電源電壓除主要的3.3V工作產(chǎn)品外，正在擴(kuò)充1.8V工作產(chǎn)品。封裝形式除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外，還提供可穿戴設(shè)備用SON（Small Outline Non-leadedpackage）及WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封裝形式的產(chǎn)品。
同時(shí)，使用TSOP或SOP封裝形式提供256Kbit至4Mbit的并行存儲(chǔ)器。在利用SRAM及數(shù)據(jù)保存用電池供電的應(yīng)用中，并行存儲(chǔ)器被用作進(jìn)一步降低能耗或減少電池的解決方案。

FRAM產(chǎn)品可分為兩個(gè)系列。
分別是以SOP/SON等封裝產(chǎn)品形式提供的“獨(dú)立存儲(chǔ)器”和FRAM內(nèi)置的RFID用LSI 以及驗(yàn)證LSI等的“FRAM內(nèi)置LSI”。 另外，根據(jù)客戶的要求，開發(fā)和供應(yīng)最大限度發(fā)揮應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及性能的FRAM內(nèi)置定 制LSI。

• 獨(dú)立 FRAM 存儲(chǔ)器
• FRAM 內(nèi)置 LSI

串行接口存儲(chǔ)器

串行接口存儲(chǔ)器的產(chǎn)品陣容有4Kbit至1Mbit的I²C接口產(chǎn)品，以及16Kbit至4Mbit的SPI接口產(chǎn)品。
電源電壓除主要的3.3V工作產(chǎn)品外，正在擴(kuò)充1.8V工作產(chǎn)品。封裝除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外，還提供可穿戴設(shè)備用SON（Small Outline Non-leaded package）及WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封裝產(chǎn)品。與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，串行接口存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)在于寫入快、讀寫耐久性高、功耗低。

●I²C 接口

產(chǎn)品型號(hào)P/N	內(nèi)存容量	輸入電壓	工作頻率 （MAX）	工作溫度	讀寫耐久性 （讀寫次數(shù)）	數(shù)據(jù)保持時(shí)間 （保證值）（*1）	封裝類別	文檔下載
MB85RC1MT	1Mbit	1.8至3.6V	3.4MHz	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC512T	512Kbit	1.8至3.6V	3.4MHz	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC256V	256Kbit	2.7至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC128A	128Kbit	2.7至3.6V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC64TA	64Kbit	1.8至3.6V	3.4MHz	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8/SON-8
MB85RC64A	64Kbit	2.7至3.6V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC64V	64Kbit	3.0至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC16	16Kbit	2.7至3.6V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8/SON-8
MB85RC16V	16Kbit	3.0至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC04V	4Kbit	3.0至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
*1：當(dāng)工作溫度低于+85℃時(shí)，數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng)，詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。

●SPI 接口

產(chǎn)品型號(hào)P/N	內(nèi)存容量	輸入電壓	工作頻率 （MAX）	工作溫度	讀寫耐久性 （讀寫次數(shù)）	數(shù)據(jù)保持時(shí)間 （保證值）（*1）	封裝類別	文檔下載
MB85RQ4ML （*2）	4Mbit	1.7至1.95V	108MHz	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-16
MB85RS2MT	2Mbit	1.8至3.6V	25MHz（*3）	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8/DIP-8
MB85RS1MT	1Mbit	1.8至3.6V	30MHz（*3）	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8/WL-CSP-8
MB85RS512T	512Kbit	1.8至3.6V	30MHz（*3）	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS256B	256Kbit	2.7至3.6V	33MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS128B	128Kbit	2.7至3.6V	33MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS64	64Kbit	2.7至3.6V	20MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS64V	64Kbit	3.0至5.5V	20MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS16	16Kbit	2.7至3.6V	20MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS16N	16Kbit	2.7至3.6V	20MHz	-40至+95℃	1萬億次（+85℃） 或1百億次（+95℃）	10年（+95℃）	SOP-8/SON-8
MB85RDP16LX （*4）	16Kbit	1.65至1.95V	15MHz（*5）	-40至+105℃	1013（10萬億次）	10年（+105℃）	SON-8
*1：當(dāng)工作溫度低于+85℃時(shí)，數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng)，詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。 *2：滿足SPI以及Quad *3：高速讀取模式時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最大40MHz操作。 *4：有二進(jìn)制計(jì)數(shù)器功能 *5：雙SPI模式時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最大7.5MHz操作。

并行接口存儲(chǔ)器

并行接口存儲(chǔ)器為采用TSOP或SOP封裝的256Kbit至4Mbit的產(chǎn)品，工作時(shí)的電源電壓為3.3V，但MB85R4M2T能夠在1.8V-3.6V的大 范圍內(nèi)進(jìn)行工作。
封裝方式為能夠與SRAM兼容的TSOP或SOP。
在SRAM及使用數(shù)據(jù)保持電池的應(yīng)用中，并行接口存儲(chǔ)器被作為進(jìn)一步降低能耗或減少電池的解決方案。

產(chǎn)品型號(hào)P/N	內(nèi)存容量	輸入電壓	工作頻率 （MAX）	工作溫度	讀寫耐久性 （讀寫次數(shù)）	數(shù)據(jù)保持時(shí)間 （保證值）（*1）	封裝類別	文檔下載
MB85R4M2T	4Mbit（256K×16）	1.8至3.6V	150ns	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	TSOP-44
MB85R4001A	4Mbit（512K×8）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百億次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R4002A	4Mbit（256K×16）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百億次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R1001A	1Mbit（128K×8）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百億次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R1002A	1Mbit（64K×16）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百億次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R256F	256Kbit（32K×8）	2.7至3.6V	150ns	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	TSOP-28/SOP-28
*1：當(dāng)工作溫度低于+55℃或+85℃時(shí)，數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng)，詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。

封裝尺寸

串行接口存儲(chǔ)器

封裝類型	頂視圖	寬度×長(zhǎng)度 （mm）	高度 （mm）
WL-CSP-8		2.3×3.1	0.33
SON-8		2.0×3.0	0.7
SOP-8		3.9×5.1	1.75
SOP-16		7.5×10.3	2.7

并行接口存儲(chǔ)器

封裝類型	頂視圖	寬度×長(zhǎng)度 （mm）	高度 （mm）
SOP-28		7.6×17.8	2.8
TSOP-28		8.0×11.8	1.2
TSOP-44		10.2×18.4	1.2
TSOP-48		12.0×12.4	1.2

FRAM 內(nèi)置 FRID 用 LSI

本公司提供使用無限接口的FRAM內(nèi)置RFID用LSI。本公司的產(chǎn)品不是以單純讀出為中心的RFID標(biāo)簽，作為面向數(shù)據(jù)攜帶型RFID標(biāo)簽，國(guó)內(nèi)外FA領(lǐng)域、設(shè)備維護(hù)領(lǐng)域及醫(yī)療領(lǐng)域正在導(dǎo)入其產(chǎn)品。今后的傳感器網(wǎng)絡(luò)社會(huì)中，利用傳感器取得的數(shù)據(jù)的無線通信不可或缺，而本公司的產(chǎn)品將作為支持這一社會(huì)的LSI受到關(guān)注。

●特長(zhǎng)

? 高速數(shù)據(jù)寫入：可提高數(shù)據(jù)寫入時(shí)的效率。

? 穩(wěn)定的通信距離：低功耗模式寫入工作，實(shí)現(xiàn)相同的讀/寫通信距離。

? 大容量?jī)?nèi)置存儲(chǔ)單元：記錄信息于電子標(biāo)簽，實(shí)現(xiàn)追溯應(yīng)用所需的大容量?jī)?nèi)存單元。

? 讀寫工作的高耐久性：保證最高1萬億次的讀/寫工作，實(shí)現(xiàn)標(biāo)簽的長(zhǎng)期使用和重復(fù)使用。

? 符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：富士通半導(dǎo)體RFID LSI產(chǎn)品系列符合ISO15693和ISO18000-3（mod1），6。

●產(chǎn)品型號(hào)

型號(hào)P/N	工作頻率	內(nèi)存單元容量	通信規(guī)格	串行接口	數(shù)據(jù)保持時(shí)間 （保證值）	讀寫耐久性 （讀寫次數(shù)）	文檔下載
MB97Rxxxx（*1） （開發(fā)中）	UHF 860-960MHz	8KByte	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	SPI	10年（+55℃）	1010（1百億次）	待開發(fā)
MB97R803A （終止對(duì)象產(chǎn)品）	UHF 860-960MHz	4KByte	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	—	10年（+55℃）	1010（1百億次）
MB97R804B （終止對(duì)象產(chǎn)品）	UHF 860-960MHz	4KByte	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	SPI	10年（+55℃）	1010（1百億次）
MB97R8050	UHF 860-960MHz	36Byte （EPC128bit）	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	—	10年（+55℃）	1010（1百億次）
MB89R118C	HF 13.56MHz	2KByte	ISO/IEC15693	—	10年（+85℃）	1012（1萬億次）
MB89R119B	HF 13.56MHz	256KByte	ISO/IEC15693	—	10年（+85℃）	1012（1萬億次）
MB89R112A	HF 13.56MHz	9KByte	ISO/IEC15693	SPI	10年（+85℃）	1012（1萬億次）
*1：開發(fā)中的MB97Rxxxx為MB97R803A/804B的后續(xù)品種。

●RFID 用 LSI 的應(yīng)用

工廠 ? 工程記錄 ? 數(shù)據(jù)讀寫	醫(yī)療 ? 使用記錄 ? 信息確認(rèn)	物流 ? 運(yùn)行記錄 ? 產(chǎn)品管理
運(yùn)輸 ? 產(chǎn)品修整記錄	倉(cāng)庫(kù)管理 ? 出入庫(kù)記錄 ? 保管環(huán)境記錄	基礎(chǔ)設(shè)施 ? 檢查記錄 ? 劣化跟蹤

FRAM 內(nèi)置嵌入式驗(yàn)證LSI

FRAM還在IC卡等安全領(lǐng)域有業(yè)績(jī)，提供FRAM內(nèi)置式設(shè)備驗(yàn)證LSI。通用的驗(yàn)證用LSI為MB94R330。

型號(hào)P/N	工作頻率	內(nèi)存單元容量	通信規(guī)格	串行接口	讀寫耐久性 （讀寫次數(shù)）	封裝類別	文檔下載
MB94R330	3.0至3.6V	I2C	400kHz	-20至+85℃	1012（1萬億次）	SON-8

MB94R330 序列利用電子設(shè)備本體與外設(shè)之間的激勵(lì)與響應(yīng)來進(jìn)行驗(yàn)證操作，從而識(shí)別正品與假冒產(chǎn)品。 適用于檢測(cè)出在打印機(jī)、復(fù)合機(jī)等電子設(shè)備本體上使用的外設(shè)的（墨盒、碳粉盒等）假冒產(chǎn)品。 在安全用途方面，由于其性質(zhì)，為了滿足客戶特殊技術(shù)要求，除通用LSI外，還提 供定制LSI。

富士通公司自1995年開始開發(fā)FRAM，具有17年以上的豐富的量產(chǎn)業(yè)績(jī)。正是“量產(chǎn)化”的實(shí)現(xiàn)以及持續(xù)的穩(wěn)定供給，證明本公司具有非常高的技術(shù)能力。

分別是以SOP/SON等封裝產(chǎn)品形式提供的“獨(dú)立存儲(chǔ)器”和FRAM內(nèi)置的RFID用LSI 以及驗(yàn)證LSI等的“FRAM內(nèi)置LSI”。 另外，根據(jù)客戶的要求，開發(fā)和供應(yīng)最大限度發(fā)揮應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及性能的FRAM中使用了鐵電，而在此之前的半導(dǎo)體過程中，鐵電會(huì)出現(xiàn)劣化，所以很難實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。本公司確定了劣化的原因，并在制造過程中采取了相應(yīng)的措施，最終在世界上率先成功實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。公司開發(fā)的量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)技術(shù)以及FRAM產(chǎn)品對(duì)社會(huì)的貢獻(xiàn)已得到認(rèn)可，2011年以后也獲得了多個(gè)權(quán)威獎(jiǎng)項(xiàng)。今后，我們也將致力于穩(wěn)定供應(yīng)由高技術(shù)能力支撐的高質(zhì)量存儲(chǔ)器。

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