繼6月底宣布組建DRAM事業(yè)群后，日前紫光集團DRAM開始落地工廠建設。8月27日，重慶市政府與紫光集團簽署紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目合作協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議，紫光集團將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金，在重慶建設DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。

據(jù)了解，紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造，該工廠計劃于2019年底開工建設，預計2021年建成投產(chǎn)。在芯片工廠建成前，紫光集團先期在現(xiàn)有芯片工廠內(nèi)設立產(chǎn)品中試生產(chǎn)線，進行產(chǎn)品生產(chǎn)工藝技術研發(fā)，待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產(chǎn)。

有備而來：重量級高管+良好基礎

進軍DRAM領域，紫光集團有備而來。

兩個月前，紫光集團宣布組建紫光集團DRAM事業(yè)群，委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長，委任高啟全為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。這兩位人物相信業(yè)界人士均不陌生，兩者在集成電路及存儲芯片領域有著深厚的積累和經(jīng)驗。

刁石京在ICT領域擁有超過30年經(jīng)驗，被稱為中國ICT領域的靈魂人物，從業(yè)履歷出彩，去年正式加入紫光集團，現(xiàn)擔任紫光集團聯(lián)席總裁、紫光國微董事長、紫光展銳執(zhí)行董事長、長江存儲執(zhí)行董事等職務。

高啟全自1980年起就一直在半導體及DRAM領域從業(yè)，是全球DRAM領域資深人士之一。他于2015年加入紫光集團，現(xiàn)擔任紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事及代行董事長、武漢新芯CEO。

除了配置了兩位重量級高管外，事實上在DRAM領域紫光集團亦早已有所積累。據(jù)了解，紫光集團早在2014年期間就曾表達出發(fā)展DRAM的決心，但當時為了平衡產(chǎn)業(yè)與地方發(fā)展，確立發(fā)展NAND Flash的路線。

如今，紫光集團旗下的長江存儲已建立起NAND Flash存儲芯片設計到制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈，有了長江存儲的工廠建設以及存儲芯片制造的經(jīng)驗，紫光集團有望迅速完成DRAM新工廠的興建。

此外，紫光集團旗下的西安紫光國芯前身為西安華芯半導體，是由原奇夢達科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基礎上發(fā)展起來的，奇夢達科技是由英飛凌分拆而成的內(nèi)存公司，曾是為全球第二大的DRAM公司。西安紫光國芯在DRAM領域擁有從產(chǎn)品立項、指標定義、電路設計、版圖設計到硅片、顆粒、內(nèi)存條測試及售前售后技術支持等全方位技術積累。

據(jù)報道，西安紫光國芯自主創(chuàng)新出全球首系列內(nèi)嵌自檢測修復DRAM存儲器產(chǎn)品（ECC DRAM）。其開發(fā)的存儲器芯片產(chǎn)品覆蓋標準SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4，存儲器模組產(chǎn)品包括服務器內(nèi)存模組（RDIMM，NVDIMM）、筆記本內(nèi)存模組（SODIMM）和臺式機內(nèi)存模組（UDIMM）。

有刁石京和高啟全兩大巨頭的掌舵以及上述在DRAM領域的良好基礎，業(yè)界認為紫光集團進軍DRAM后續(xù)發(fā)展值得期待。

從NAND到DRAM布局存儲芯片

根據(jù)此次簽署的協(xié)議，紫光集團擬在重慶發(fā)起設立的紫光國芯集成電路股份有限公司將作為紫光集團已經(jīng)和未來在各地設立的存儲芯片制造工廠的投資主體，打造世界級存儲芯片領域核心產(chǎn)業(yè)集團。

此前，紫光集團提出“從芯到云”的戰(zhàn)略布局，主要由芯產(chǎn)業(yè)和云產(chǎn)業(yè)兩大部分組成，芯產(chǎn)業(yè)包括三大板塊：綜合性芯片、安全芯片、存儲器。其中，存儲器板塊主要以長江存儲為核心、與紫光存儲等企業(yè)一起構成，包括了存儲器芯片的設計、生產(chǎn)以及相關存儲產(chǎn)品的開發(fā)。

自2016年以來，紫光集團相繼在武漢、南京、成都建設起三座存儲芯片制造工廠。其中，位于武漢的長江存儲在武漢新芯的基礎上已成功設計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片；2018年8月，長江存儲宣布推出全新3D NAND架構Xtacking；近日在智博會上，紫光集團首次展出了長江存儲的64層3D NAND閃存芯片，按照規(guī)劃預計于今年年底正式量產(chǎn)。

除了長江存儲，紫光集團董事長趙偉國公開表示，紫光集團要在成都、南京等比例復制武漢工廠。

紫光南京集成電路基地項目計劃總占地約1500畝、總投資300億美元，主要產(chǎn)品為3D NAND Flash存儲芯片和DRAM內(nèi)存芯片。2018年9月30日，該項目一期正式開工建設，根據(jù)浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)消息，截止2019年4月上旬，項目現(xiàn)場樁基（總約1.5萬根）施工和內(nèi)部正式道路（共7條）全部結束。

2018年10月，紫光成都存儲器制造基地項目也正式開工，該項目占地面積約1200畝，總投資達240億美元，將建設12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。

隨著這次紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目簽約落地重慶，紫光集團在DRAM領域踏出重要一步，DRAM存儲芯片制造工廠日后若開建落成，這將是紫光集團旗下的又一座存儲芯片制造工廠。