有人使用STM32L476芯片開(kāi)發(fā)產(chǎn)品,他想在內(nèi)部FLASH空間特定位置寫(xiě)些數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)總是失敗,并補(bǔ)充說(shuō)之前使用STM32F1系列、STM32L1系列卻沒(méi)有類(lèi)似問(wèn)題。
其實(shí),針對(duì)STM32L4的內(nèi)部FLASH編程,跟STM32F1/L1系列是不同的,其中STM32F1的內(nèi)部FLASH編程僅支持半字編程,STM32L1的內(nèi)部FLASH編程主要支持字編程或半頁(yè)編程。而STM32L4系列的內(nèi)部FLASH編程所支持的則是64位雙字編程或以32個(gè)雙字為單位的快速行編程。
對(duì)于少量的零星數(shù)據(jù)編程自然會(huì)選擇64位雙字編程模式,即每次改寫(xiě)Flash內(nèi)容必須以64位為單位。硬件還針對(duì)這64位數(shù)據(jù)做了8位的ECC,我們用戶(hù)看不到而已。下面簡(jiǎn)單介紹下64位雙字編程過(guò)程。
在基于64位雙字編程時(shí),如果只是就字節(jié)或半字進(jìn)行編程則會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤;或者盡管使用雙字編程卻沒(méi)有遵循雙字地址對(duì)齊【8字節(jié)對(duì)齊】時(shí)也會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤。
這里我使用ARM MDK V2.9開(kāi)發(fā)環(huán)境,借助于STM32L476_NUCELO開(kāi)發(fā)板演示一下對(duì)內(nèi)部FLASH某個(gè)位置寫(xiě)幾個(gè)64位數(shù)據(jù)的實(shí)現(xiàn)過(guò)程【寫(xiě)之前相關(guān)區(qū)域已經(jīng)被擦除過(guò)了】。
我通過(guò)IDE將內(nèi)部FLASH最后的0x1000地址空間預(yù)留出來(lái)用于填寫(xiě)些數(shù)據(jù),即我將內(nèi)部FLASH分成2塊,將最后的0x1000的FLASH空間劃了出來(lái)。如下圖所示:【這里的芯片是STM32L476RGT6,下面只演示寫(xiě)三個(gè)64位數(shù)據(jù)?!?/p>
我將特定數(shù)據(jù)區(qū)定義在內(nèi)部FLASH空間0x80ff000開(kāi)始的地方。
#define Address_Const (0x80FF000)
另外還定義了一個(gè)64位地址指針和一個(gè)64位數(shù)據(jù)數(shù)組。
相關(guān)執(zhí)行參考代碼如下:
代碼是基于STM32Cube庫(kù)來(lái)組織的,連續(xù)寫(xiě)了三個(gè)64位的數(shù)據(jù)到指定的FLASH空間。其中主要涉及到一個(gè)FLASH編程函數(shù)HAL_FLASH_Program(),它有三個(gè)變量,分別是編程模式,待編程的FLASH地址以及用于編程的數(shù)據(jù)。
代碼比較簡(jiǎn)單,對(duì)欲編程的地址做檢查確認(rèn),然后進(jìn)行FLASH編程開(kāi)鎖,清除可能存在的各種掛起狀態(tài)標(biāo)志,進(jìn)行雙字編程,之后對(duì)FLASH寄存器訪問(wèn)進(jìn)行上鎖。
現(xiàn)在基于上面的代碼看看運(yùn)行結(jié)果:
我們可以看到在指定的FLASH地址空間寫(xiě)三個(gè)64位數(shù)據(jù)。
在上面介紹64位雙字編程規(guī)則時(shí),可能有人會(huì)問(wèn),如果我遵循了8字節(jié)地址對(duì)齊,待寫(xiě)的數(shù)據(jù)也不是字節(jié)或半字,而是一個(gè)字會(huì)怎么樣呢?那你也得湊成2個(gè)字來(lái)寫(xiě),方能完成一次寫(xiě)操作。
比方基于上面測(cè)試代碼,僅僅將每次待寫(xiě)的數(shù)據(jù)改為32位字,最后結(jié)果便是高位字被填0了。就像下面這樣:
好,關(guān)于STM32L4系列內(nèi)部FLASH雙字編程模式就介紹到這里。整個(gè)過(guò)程應(yīng)該說(shuō)不難,只要注意到各個(gè)細(xì)節(jié)就好。
趁此再拋磚引玉似地做些提醒:STM32系列眾多,各個(gè)系列的內(nèi)部FLASH編程模式以及頁(yè)或扇區(qū)的容量規(guī)劃、地址安排往往各有差異,在FLASH編程時(shí)千萬(wàn)別跟著慣性或感覺(jué)走。還有,不同的編程模式往往對(duì)芯片的電源電壓有不同的要求,這點(diǎn)也要特別特別特別注意。
-
編程
+關(guān)注
關(guān)注
88文章
3689瀏覽量
95276 -
函數(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
4381瀏覽量
64921 -
STM32L4
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
42瀏覽量
9693
原文標(biāo)題:STM32L4系列內(nèi)部FLASH雙字編程示例
文章出處:【微信號(hào):stmcu832,微信公眾號(hào):茶話(huà)MCU】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
STM32F3系列、STM32F4系列、STM32L4系列和STM32L4+系列Cortex-M4編程手冊(cè)
STM32F40xxx和STM32f41xx flash編程手冊(cè)
手機(jī)APP遠(yuǎn)程控制,智能家居監(jiān)測(cè)、智能控制系統(tǒng)(STM32L4、服務(wù)器、安卓源碼)實(shí)例項(xiàng)目打包下載
手機(jī)APP遠(yuǎn)程控制,智能家居監(jiān)測(cè)、智能控制系統(tǒng)(STM32L4、服務(wù)器、安卓源碼)
昂科燒錄器支持ST意法半導(dǎo)體的超低功耗微控制器STM32L4S5VIT

請(qǐng)問(wèn)STM32U3系列的定位是怎樣的?
STM32L476 Flash擦除失敗的原因?
請(qǐng)問(wèn)STM32U3系列的定位是怎樣的?
cubeide的代碼怎么編譯到內(nèi)部+外部FLASH里面去?
WTVxxxx系列語(yǔ)音芯片(一線(xiàn)&二線(xiàn) 單雙字節(jié))資料V1
AN-881: 通過(guò)LIN—協(xié)議4進(jìn)行Flash/EE存儲(chǔ)器編程

STM32WB55RG開(kāi)發(fā)(2)----STM32CubeProgrammer燒錄

掃描模塊的編程示例和調(diào)試策略

在mmWave SDK增加QSPI Flash驅(qū)動(dòng)的示例

評(píng)論