目前英特爾已經(jīng)解決了大部分的實際問題，芯片的能耗、封裝以及性能等因素已經(jīng)被英特爾牢牢握在手中。這些優(yōu)勢紛紛體現(xiàn)在英特爾的新產(chǎn)品Broadwell酷睿M當中，更小的封裝工藝、性能的提高、每周期執(zhí)行的指令數(shù)量以及更低的熱設計功耗。

在提升的各項指標當中，更低的發(fā)熱量將是英特爾能否順利進入智能手機及平板電腦市場的關鍵。因為的體積小、低發(fā)熱量的CPU有助于催生更輕薄的設備。對于移動設備廠商來說，降低設備厚度是它們優(yōu)先考慮的一個問題，這有助于提高設備的便攜性。多年來，英特爾還一直在采取措施降低GPU閑置期間的能耗。

高通方面，由于采用了20納米工藝，驍龍810的制程工藝要稍稍落后于采用14納米工藝的Broadwell酷睿M，而在圖形處理方面，英特爾的設計可能不如高通優(yōu)秀。但是在CPU方面，即使英特爾的設計略有遜色，但更高的晶體管密度、每周期執(zhí)行的指令的增加，將提供足夠高的性能，使英特爾在明年與高通的競爭中不會落于下風。

根據(jù)相關爆料，驍龍810的性能將全面超越之前的驍龍805，性能將全面提升25%-55%，但是能耗卻降低了將近20%。驍龍810配置全新的Adreno 430 GPU，性能比Adreno 420提高30%。Adreno 430是Adreno 420的后續(xù)產(chǎn)品，性能的提升主要來自制造工藝由28納米提升為20納米。高通計劃通過更多的內(nèi)核性能和能耗降低與英特爾競爭。

并且在調(diào)制解調(diào)器方面，高通依舊領先于英特爾，高通的Gobi 9x35在性能上要優(yōu)于英特爾的XMM 7260。所以這方面的優(yōu)勢使得高通不會在英特爾不斷進步的工藝前完全認輸。高通在CPU中增添更多內(nèi)核的臨時解決方案不夠“節(jié)能”，但會提升性能。

因特爾的Broadwell酷睿M在工藝和性能上修復了很多在Haswell當中出現(xiàn)的缺陷，在工藝上取得了長足的進步，與此同時高通也擁有極佳的CPU/GPU/調(diào)制解調(diào)器解決方案，以及能夠添加NFC的半定制設計。但是這一優(yōu)勢并不會一直持續(xù)下去，隨著英特爾推出第二代FinFET芯片，英特爾會獲得更多的時間用于開發(fā)更好的CPU/GPU/調(diào)制解調(diào)器設計，逐步減小與高通之間的差距，所以超過高通或許只是時間問題。
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