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一文解析IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)浪涌抗擾度試驗(yàn)

h1654155282.3538 ? 來源:ETEST容測(cè)電子 ? 作者:ETEST容測(cè)電子 ? 2020-10-27 14:50 ? 次閱讀
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不同的電子、電氣產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)對(duì)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)的要求是不同的,但這些標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)大多都直接或間接引用GB/T17626.5-1999 (idt IEC 61000-4-5:2008):《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)》這一國(guó)家電磁兼容基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn),并按其中的試驗(yàn)方法進(jìn)行試驗(yàn)。

按照IEC61000-4-5(GB/T17626.5)標(biāo)準(zhǔn)的要求分別模擬電源線上和通信線路上的雷擊浪涌試驗(yàn)。由于線路的阻抗不一樣,浪涌在這兩種線路上的波形也不一樣,要分別模擬。

(1)主要用于電源線路試驗(yàn)的1.2/50μs(電壓波)和8/20μs(電流波)的雷擊浪涌發(fā)生器。

電源線路試驗(yàn)的雷擊浪涌發(fā)生器

雷擊浪涌發(fā)生器:短路電流和開路電壓的電路在一個(gè)發(fā)生器。提供兩個(gè)波形:發(fā)生器輸出開路時(shí)提供電壓波;發(fā)生器短路時(shí)提供電流波。電源線路試驗(yàn)的綜合波發(fā)生器結(jié)構(gòu)圖如圖所示。

U— 高壓源; Rc— 充電電阻; Cc— 儲(chǔ)能電容; Rs— 脈沖持續(xù)時(shí)間形成電阻; Lr — 上升時(shí)間形成電感

對(duì)浪涌抗擾度試驗(yàn)綜合波發(fā)生器的基本要求:

開路輸出電壓( 10%) 0.5kVP~4kVP ;

短路輸出電流( 10% )0.25kAP~4kAP

發(fā)生器內(nèi)阻: 2Ω ,可附加 10Ω或 40Ω ,以形成 12Ω 或 42Ω 的內(nèi)阻

輸出極性:正 / 負(fù);

移相范圍: 0 度~360 度;

最大重復(fù)頻率:至少每分鐘 1 次

(2)用于通信線路試驗(yàn)的10/700μs浪涌電壓發(fā)生器

用于通信線路的 10/700 μ s 浪涌波發(fā)生器又稱為 CCITT 波發(fā)生器,這是符合聯(lián)合國(guó)下屬國(guó)際電報(bào)和電話咨詢委員會(huì) (簡(jiǎn)稱 CCITT )要求的一種浪涌電壓試驗(yàn)波形。 發(fā)生器的電路原理圖如圖所示。

10/700 μ s 浪涌發(fā)生器電路原理圖

U— 高壓源, Rc— 充電電阻, Cc—儲(chǔ)能電容( 20μ F);Rs— 脈沖持續(xù)時(shí)間形成電阻( 50Ω ),Rm—阻抗匹配電阻( Rm1 =15 Ω ,Rm2 =25 Ω ),Cs— 上升時(shí)間形成 0.2μ F), S1—使用外部匹配電阻時(shí), 開關(guān)合上。發(fā)生器只提供電壓波,波形圖如下,其波前時(shí)間 T1=1.67 ×T= 10μ s± 30% ,半峰值時(shí)間 T2=700 μ s± 20% 。

對(duì)浪涌抗擾度試驗(yàn)發(fā)生器的基本性能要求是:

開路峰值輸出電壓(峰值):0.5kV~4kV

動(dòng)態(tài)內(nèi)阻:40Ω

輸出極性:正/負(fù)

浪涌抗擾度試驗(yàn)方法和注意點(diǎn):

由于浪涌試驗(yàn)的電壓和電流波形相對(duì)較緩,因此對(duì)試驗(yàn)室的配置比較簡(jiǎn)單。對(duì)于電源線上的試驗(yàn),都是通過耦合去耦網(wǎng)絡(luò)來完成的。

試驗(yàn)中要注意以下幾點(diǎn):

1、試驗(yàn)前務(wù)必按照制造商的要求加接地保護(hù)措施。

2、試驗(yàn)速率每分種1次,不宜太快,以便給保護(hù)器件有一個(gè)性能恢復(fù)的過程。事實(shí)上,自然界的雷擊現(xiàn)象和開關(guān)站大型開關(guān)的切換也不可能有非常高的重復(fù)率現(xiàn)象存在。

3、試驗(yàn)一般正/負(fù)極性各做5次。

4、試驗(yàn)電壓要由低到高逐漸升高,避免試品由于伏安非線性特性出現(xiàn)的假象。另外,要注意試驗(yàn)電壓不要超出產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的要求,以免帶來不必要的損壞。
責(zé)任編輯人:CC

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