CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),中文學(xué)名為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,它本是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)一種重要的芯片,保存了系統(tǒng)引導(dǎo)最基本的資料。
CMOS的制造技術(shù)和一般計(jì)算機(jī)芯片沒什么差別,主要是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導(dǎo)體,使其在CMOS上共存著帶N(帶-電) 和 P(帶+電)級(jí)的半導(dǎo)體,這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片記錄和解讀成影像。
后來發(fā)現(xiàn)CMOS經(jīng)過加工也可以作為數(shù)碼攝影中的圖像傳感器,按像素結(jié)構(gòu),CMOS傳感器可分為被動(dòng)式與主動(dòng)式兩種。
被動(dòng)式
被動(dòng)式像素結(jié)構(gòu)(Passive Pixel Sensor.簡(jiǎn)稱PPS),又叫無源式。它由一個(gè)反向偏置的光敏二極管和一個(gè)開關(guān)管構(gòu)成。光敏二極管本質(zhì)上是一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的PN結(jié),它可等效為一個(gè)反向偏置的二極管和一個(gè)MOS電容并聯(lián)。當(dāng)開關(guān)管開啟時(shí),光敏二極管與垂直的列線(Column bus)連通。位于列線末端的電荷積分放大器讀出電路(Charge integrating amplifier)保持列線電壓為一常數(shù),當(dāng)光敏二極管存貯的信號(hào)電荷被讀出時(shí),其電壓被復(fù)位到列線電壓水平,與此同時(shí),與光信號(hào)成正比的電荷由電荷積分放大器轉(zhuǎn)換為電荷輸出。
主動(dòng)式
主動(dòng)式像素結(jié)構(gòu)(Active Pixel Sensor.簡(jiǎn)稱APS),又叫有源式,如圖2所示. 幾乎在CMOS PPS像素結(jié)構(gòu)發(fā)明的同時(shí),人們很快認(rèn)識(shí)到在像素內(nèi)引入緩沖器或放大器可以改善像素的性能,在CMOS APS中每一像素內(nèi)都有自己的放大器。集成在表面的放大晶體管減少了像素元件的有效表面積,降低了“封裝密度”,使40%~50%的入射光被反射。這種傳感器的另一個(gè)問題是,如何使傳感器的多通道放大器之間有較好的匹配,這可以通過降低殘余水平的固定圖形噪聲較好地實(shí)現(xiàn)。由于CMOS APS像素內(nèi)的每個(gè)放大器僅在此讀出期間被激發(fā),所以CMOS APS的功耗比CCD圖像傳感器的還小。
未來發(fā)展及應(yīng)用
21世紀(jì)初,全球CMOS圖像傳感器市場(chǎng)在PC攝像機(jī)、移動(dòng)通信市場(chǎng)、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)市場(chǎng)市場(chǎng)等領(lǐng)域獲得大幅度增長(zhǎng),在未來的幾年時(shí)間內(nèi),在130 萬像素至200萬像素之下的產(chǎn)品中,將開始以CMOS傳感器為主流。以小型化和低功耗CMOS圖像傳感器為核心的攝像機(jī)正在成為消費(fèi)類產(chǎn)品的主流,上述領(lǐng)域?qū)閳D像傳感器市場(chǎng)帶來巨大發(fā)展。
審核編輯:符乾江
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CMOS圖像傳感器的制造步驟

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