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紫光國芯成功研發(fā)基于DDR4的NVDIMM-N

lhl545545 ? 來源:快科技 ? 作者:上方文Q ? 2021-02-19 09:33 ? 次閱讀
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我們知道,傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的,也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù),一旦斷電就都沒了。

Intel創(chuàng)造了Optane傲騰持久內(nèi)存,做到了非易失性,也兼容DDR DIMM,但僅用于數(shù)據(jù)中心,和普通用戶無關(guān)。

現(xiàn)在,JEDEC固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,序列編號JESD304-4.01,也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù),而且完全兼容DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

根據(jù)規(guī)范,這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、固件,可以最大程度減少對于現(xiàn)有設(shè)備、平臺的更改,同時為新內(nèi)存提供了低延遲接口,提高了易用性,未來也會兼容支持DDR5。

NVDIMM-P的新功能:

- 持久性:操作系統(tǒng)能夠低延遲、高帶寬訪問非易失內(nèi)存。

- 虛擬化的內(nèi)存:在DDR通道啟用盡可能多的內(nèi)存容量。

- 大容量:支持?jǐn)U展的內(nèi)存尋址功能。

- 支持即插即用:在電腦開機(jī)時可以直接插入標(biāo)準(zhǔn)的雙列內(nèi)存插槽,并立刻與同一總線上的DDR內(nèi)存交互操作。

NVDIMM-P的主要特征:

- 與現(xiàn)有DDR通道完全兼容,包括物理接口、電氣性能、協(xié)議、時鐘。

- 保證為下一代CPU插槽增加的針腳盡可能少。

- 協(xié)議支持?jǐn)?shù)據(jù)讀取時的不確定延遲。

- 確保數(shù)據(jù)在非易失內(nèi)存中的事務(wù)性操作。

- 從NAND到DRAM多種延遲模式的支持(在模塊級別)。

- 內(nèi)存本身具備高可靠性、鏈路錯誤保護(hù)功能。

事實(shí)上,NVDIMM是一個系列標(biāo)準(zhǔn),除了這里說的NVDIMM-P,還有NVDIMM-F、NVDIMM-N、NVDIMM-H。

NVDIMM-F本質(zhì)上就是DDR接口的SSD固態(tài)盤,只使用NAND閃存,優(yōu)點(diǎn)是延遲低(納秒級別)、帶寬高(DDR4可超過200GT/s),不怕斷電,也不需要外接供電,但性能和DRAM仍然遠(yuǎn)不是一個級別。

NVDIMM-N混合使用DRAM、DRAM,在內(nèi)存條上集成NAND閃存,外接電源供電,斷電時將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移保存到NAND閃存中,重新來電后恢復(fù)到DRAM,但閃存只是個備份,正常工作時閑置無法使用。

有消息稱,紫光集團(tuán)旗下西安紫光國芯也成功研發(fā)出了一看基于DDR4的NVDIMM-N。

NVDIMM-P則是以上二者的結(jié)合,三星主導(dǎo)DDR4版本,美光主導(dǎo)DDR5版本。

NVDIMM-H正在研發(fā),美國Netlist公司主導(dǎo),類似NVDIMM-N,也是DRAM、NAND混合體,但硬件結(jié)構(gòu)差異較大。
責(zé)任編輯:pj

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