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剖析STM32的FLASH和SRAM的使用情況

FPGA之家 ? 來源:嵌入式案例Show ? 作者:嵌入式案例Show ? 2021-04-09 17:53 ? 次閱讀
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01前言

STM32片上自帶FLASH和SRAM,簡(jiǎn)單講FLASH用來存儲(chǔ)程序的,SRAM是用來存儲(chǔ)運(yùn)行程序中的中間變量。本文詳細(xì)分析下如何查看程序中FLASH和SRAM的使用情況。

本文開發(fā)工具: keil5

芯片: STM32F105VCT6

02FLASH和SRAM介紹

FLASH存儲(chǔ)器又成為閃存,它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器,但是FLASH的存儲(chǔ)容量都普遍的大于EEPROM,在存儲(chǔ)控制上,最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片地擦除,而EEPROM可以單個(gè)字節(jié)擦除。

SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。STM32F1系列可以通過FSMC外設(shè)來拓展SRAM。

注意:SRAM和SDRAM是不相同的,SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ),而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。STM32的F1系列是不支持SDRAM的。

stm32不同型號(hào)的SRAM和FLASH大小是不相同的,可在datasheet中查看如下圖:

08d40a92-990f-11eb-8b86-12bb97331649.png

08ee58de-990f-11eb-8b86-12bb97331649.png

03編譯結(jié)果分析

在keil中編譯結(jié)果如下圖:

0915ec64-990f-11eb-8b86-12bb97331649.png

打開生成的map文件拉到最后可看到如下:

093488e0-990f-11eb-8b86-12bb97331649.png

編譯結(jié)果里面幾個(gè)的含義

Code:代碼空間,本質(zhì)是ARM指令( FLASH)。

RO-data:即 Read Only-data, 表示程序定義的常量,如 const 類型( FLASH)。

RW-data:即 Read Write-data, 非0初始化的全局和靜態(tài)變量占用的RAM大小,同時(shí)還要占用等量的ROM大小用于存放這些非0變量的初值(FLASH+RAM)。

ZI-data:即 Zero Init-data, 0初始化的內(nèi)存區(qū)的大?。ㄔ搮^(qū)域3個(gè)用途:0初始化的全局和靜態(tài)變量+堆區(qū)+棧區(qū))(RAM)。

由上可知:

程序占用FLASH=Code + RO-data + RW-data 即map文件中ROM size

程序占用RAM = RW-data + ZI-data 即map文件中RW size

常見的倆個(gè)疑問:

1、RW-data為什么會(huì)即占用Flash又占用RAM空間?

由前文知道RAM掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失,RW-data是非0初始化的數(shù)據(jù),已初始化的數(shù)據(jù)需要被存儲(chǔ)在掉電不會(huì)丟失的FLASH中,上電后會(huì)從FLASH搬移到RAM中。

2、為什么燒錄的鏡像文件不包含ZI-data呢?

我們都知道在燒寫程序的時(shí)候,需要燒寫bin文件或者h(yuǎn)ex文件到STM32的flash中,被燒寫的文件稱為鏡像像文件image。image的內(nèi)容包含這三個(gè)Code 、 RO-data 和 RW-data。

通過第一個(gè)問題大家應(yīng)該有所理解,因?yàn)閆I數(shù)據(jù)是0,沒必要包含,只要在程序運(yùn)行前把ZI數(shù)據(jù)區(qū)域一律清零即可,包含進(jìn)去反而浪費(fèi)Flash存儲(chǔ)空間。

編輯:jq

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原文標(biāo)題:STM32的FLASH和SRAM的使用情況分析

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