著迷于變化的電場和變化的磁場構(gòu)成的那個不可分離的統(tǒng)一電磁場，本人苦研電磁場十數(shù)年，現(xiàn)著手整理各種學習心得，并以連載的形式刊出。望與業(yè)界同仁分享，交流學習、切磋技術(shù)。

2018年3月16日，慕尼黑電子展，我在羅森伯格展臺拍下了這張有趣的照片。右側(cè)的曲線飄忽不定，而左邊則呈現(xiàn)出簡單的線性關(guān)系。那時我還是BAUMANN Spring的員工，服務(wù)于新能源汽車高壓連接器制造企業(yè)。當時羅森伯格技術(shù)專家奚斌宏先生駐臺講解，就這個現(xiàn)象我們暢聊了有個把小時。如今回想起來依然覺得是件很有意思的事情，對于這張照片中的奧妙，我早已了然。答案將在后面的連載中揭曉，各位看官還請耐心等待。

今天這期我先從電磁干擾談起。本人自2014年正式由電力行業(yè)轉(zhuǎn)戰(zhàn)新能源汽車行業(yè)算起，國內(nèi)大大小小的主機廠和連接器廠都有過接觸，更深度參與了比亞迪的電磁屏蔽優(yōu)化項目。隨著碳化硅等新型半導體材料的逐漸商用，功率器件的工作頻率不斷攀升，整車電氣平臺的高壓化，電磁干擾已越來越成為挑戰(zhàn)。

國內(nèi)對電磁屏蔽優(yōu)化越來越重視，工程師們也亟待深入學習了解，但限于實際條件，可借鑒的經(jīng)驗其實不多，幾個領(lǐng)軍企業(yè)，更是作為獨門絕技不示于眾。因此，如何幫助羅森伯格客戶，更準確地判斷產(chǎn)品的電磁屏蔽層面的優(yōu)劣，從而進一步優(yōu)化目前的設(shè)計，已成為我及羅森伯格研發(fā)團隊的工作與使命。

如何來評判電磁屏蔽的性能

上圖截取自：

Anatoly Tsaliovich《Cable Shielding for Electromagnetic Compatibility》，描述的是電磁干擾源對被保護導體進行電磁干擾的物理過程示意圖。大體分為以下幾步：

電磁干擾源向外發(fā)散電磁波

電磁波在媒介中傳播，遇到導體屏蔽層

在導體屏蔽層的外表面，電磁波會進行入射及反射，相關(guān)分量根據(jù)邊界條件，解麥克斯韋方程組可得

電場分量和磁場分量，由屏蔽層外表面耦合到內(nèi)表面，這個過程取決于屏蔽層的相關(guān)參數(shù)

電磁場由屏蔽層內(nèi)表面穿出，與被保護導體進行耦合，產(chǎn)生感應電勢，從而對其他相關(guān)電路形成干擾。

從上面我們可以看出，這是一個非常復雜的物理過程。如果我們從源頭開始一步步計算，驗證時也從源頭開始一步步進行，從工程學角度，因為下述缺點而不適合企業(yè)。

復雜，對工程人員素質(zhì)要求異常高

整個驗證耗時，成本高

試驗可重復性不高，受外界因素影響大

可喜的是，前人在多年的摸索與實踐之后，業(yè)界提出了一個全新的理念，也就是我們現(xiàn)在經(jīng)常提到的測量轉(zhuǎn)移阻抗，基本電路圖如下：

上圖截自IEC標準，相關(guān)物理量的含義請見上圖，具體不再贅述。

推論思路是：既然電磁干擾的最后一步是屏蔽層內(nèi)表面的電磁波對被保護導體進行干擾，那么歸根結(jié)底，內(nèi)表面的電磁波怎么產(chǎn)生的？實際上它決定于屏蔽層內(nèi)表面的感應電流I2，內(nèi)表面的感應電流從何而來，來自于外表面的感應電流 I1，從而我們將電磁干擾，轉(zhuǎn)化為感應電流 I1與被保護導體的場耦合，那么場耦合的嚴重程度由哪個指標來體現(xiàn)出來呢？那就是被保護導體的感應電壓U2n 。同樣的I1，如果U2n 越大，說明干擾越嚴重，說明屏蔽效果越差。

因此我們得出了一個關(guān)鍵的物理量----轉(zhuǎn)移阻抗ZT

自此，我們后面的所有推演與研究，都是圍繞著這個參數(shù)來展開。

持續(xù)連載，月度更新， 未完待續(xù)…

編輯：jq