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適用于清潔蝕刻后殘留物的定制化學成分(2)

華林科納半導體設(shè)備制造 ? 來源:華林科納半導體設(shè)備制造 ? 作者:華林科納半導體設(shè) ? 2022-06-23 16:29 ? 次閱讀
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通過小心增加[H2O]來提高蝕刻速率和清洗性能。IK 73中基礎(chǔ)配方技術(shù)的有效性可以通過小心處理三種主要成分的比例來突出。在本例中,配方調(diào)整產(chǎn)生了一種清潔溶液,在20°C的溫度下,經(jīng)過幾分鐘的時間,與幾種不同的金屬和阻擋層特征相比,該溶液對金屬疊層提供了優(yōu)異的清潔和選擇性(圖5)。

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結(jié)論

傳統(tǒng)上,氫氟酸在半清洗中的侵蝕性是通過降低其在水中的濃度來控制的,稀HF (dHF和dHF+)、BOE和各種基于HF的專有清洗產(chǎn)品的廣泛適用性證明了這一點。

這種新穎的半水配制HF方法看起來可擴展和調(diào)整到幾乎所有的半導體疊層和互連技術(shù)。TechniClean IK73基于清潔能力(尤其是對Ta、Hf、Zr基化學惰性殘留物的清潔能力)提供了明顯的優(yōu)勢,對敏感基材如Cu和Al具有高選擇性。此外,該解決方案在非晶和沉積態(tài)高K氧化物和金屬之間提供了非常高的選擇性,提高了整體殘留物清洗性能、特征清潔度和完整性。

審核編輯:符乾江

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