在過(guò)去幾十年內(nèi)，易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化，主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。

DRAM

DRAM由許多重復(fù)的位元格組成，每一個(gè)基本單元由一個(gè)電容和一個(gè)晶體管構(gòu)成。電容中存儲(chǔ)電荷量的多寡，用于表示“0”和“1”。而晶體管，則用來(lái)控制電容的充放電。

由于電容會(huì)存在漏電現(xiàn)象。所以，必須在數(shù)據(jù)改變或斷電前，進(jìn)行周期性“動(dòng)態(tài)”充電，保持電勢(shì)。否則，就會(huì)丟失數(shù)據(jù)。因此，DRAM才被稱為“動(dòng)態(tài)”隨機(jī)存儲(chǔ)器。

DRAM一直是計(jì)算機(jī)、手機(jī)內(nèi)存的主流方案。計(jì)算機(jī)的內(nèi)存條(DDR)、顯卡的顯存(GDDR)、手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存(LPDDR)，都是DRAM的一種。(DDR基本是指DDRSDRAM，雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。)

值得一提的是，顯存這邊，除了GDDR之外，還有一種新型顯存，叫做HBM(HighBandwidthMemory)。它是將很多DDR芯片堆疊后，與GPU封裝在一起構(gòu)成的(外觀上看不到顯存顆粒了)。

SRAM

SRAM大家可能比較陌生。其實(shí)，它就是我們CPU緩存所使用的技術(shù)。SRAM的架構(gòu)，比DRAM復(fù)雜很多。

SRAM的基本單元，則最少由6管晶體管組成：4個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管(M1,M2,M3,M4)構(gòu)成兩個(gè)交叉耦合的反相器，2個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管(M5,M6)用于讀寫的位線(BitLine)的控制開關(guān)，通過(guò)這些場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成一個(gè)鎖存器(觸發(fā)器)，并在通電時(shí)鎖住二進(jìn)制數(shù)0和1。因此，SRAM被稱為“靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。

SRAM存儲(chǔ)單元

SRAM不需要定期刷新，響應(yīng)速度快，但功耗大、集成度低、價(jià)格昂貴。所以，它主要用于CPU的主緩存以及輔助緩存。此外，還會(huì)用在FPGA內(nèi)。它的市場(chǎng)占比一直都比較低，存在感比較弱。

審核編輯：湯梓紅