chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK

2234303793 ? 來源:國(guó)芯思辰 ? 作者:國(guó)芯思辰 ? 2022-12-14 14:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

隨著新能源汽車的普及,充電樁也成了日常配套的生活設(shè)施。目前市面上充電樁電源模塊的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以做到99%,對(duì)于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這對(duì)于設(shè)計(jì)者來說,功率器件的選型尤為重要。

本文推薦基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中,可以有效降低熱損耗,提高工作效率,同時(shí)也可以減小變壓器等器件的體積。

基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的電路框圖如下:

a1b56dd8-7b61-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

充電樁電源模塊功率段部分框圖

基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK,耐壓1200V,Rds 32mΩ,持續(xù)電流84A,T0247-4封裝,用于充電樁電源模塊上有以下優(yōu)勢(shì):

1、Rds 32mΩ,相較于傳統(tǒng)的Si MOSFET,導(dǎo)通內(nèi)阻更低,損耗更小,可以提高系統(tǒng)效率;

2、反向恢復(fù)時(shí)間典型值僅27nS,開關(guān)頻率更快,周邊器件可以小型化,節(jié)省空間;

3、耐壓1200V,電流典型值84A,對(duì)于目前市面上三相380VAC的電源模塊,不管哪個(gè)功率段的都適用;

4、TO247-4封裝,為功率器件的常用封裝,可以與市面上科銳C3M0032120K、羅姆SCT3040KR、英飛凌IMZ120R045M1、安森美NTH4L040N120SC1等眾多的品牌器件直接進(jìn)行兼容替換使用;

5、結(jié)溫-55℃~+150℃,寬溫工作范圍,可以滿足產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下的使用,保證產(chǎn)品的性能;

另外,基本半導(dǎo)體為國(guó)產(chǎn)SIC MOSFET功率器件知名品牌,目前已有很多頭部大客戶的成功應(yīng)用案例,設(shè)計(jì)者可以放心選用。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9428

    瀏覽量

    229678
  • 充電樁
    +關(guān)注

    關(guān)注

    155

    文章

    2942

    瀏覽量

    88784
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3318

    瀏覽量

    51728

原文標(biāo)題:耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK替代C3M0032120K用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ

文章出處:【微信號(hào):國(guó)芯思辰,微信公眾號(hào):國(guó)芯思辰】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    onsemi碳化硅MOSFET NTH4L075N065SC1:高效功率轉(zhuǎn)換的理想之選

    在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來深入了解一下onsemi推出的一款650V、57mΩ的
    的頭像 發(fā)表于 12-08 09:33 ?224次閱讀
    onsemi<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> NTH4L075N065SC<b class='flag-5'>1</b>:高效功率轉(zhuǎn)換的理想之選

    onsemi碳化硅MOSFET NVHL070N120M3S:性能剖析與應(yīng)用展望

    在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角。今天,我們就來詳細(xì)剖析onsemi推出的一款碳化硅MOSFET——NVHL070N120M
    的頭像 發(fā)表于 12-02 10:06 ?206次閱讀
    onsemi<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> NVHL070N120<b class='flag-5'>M</b>3S:性能剖析與應(yīng)用展望

    傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析

    傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)提供的
    的頭像 發(fā)表于 10-21 10:12 ?287次閱讀
    傾佳代理的基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?413次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>B3M</b>平臺(tái)深度解析:第三代SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?866次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>1200V工業(yè)級(jí)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:25 ?1161次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出34mm封裝的全<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋模塊

    B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導(dǎo)體射頻電源對(duì)效率、可靠性和緊湊化的嚴(yán)苛需求

    B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導(dǎo)體射頻電源對(duì)效率、可靠性和緊湊化的嚴(yán)苛需求
    的頭像 發(fā)表于 07-23 18:09 ?624次閱讀
    <b class='flag-5'>B2M</b>030120N SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>完美契合<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>射頻電源對(duì)效率、可靠性和緊湊化的嚴(yán)苛需求

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?754次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?794次閱讀

    基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    BASiC基本股份半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì): 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?671次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些

    隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及,全球?qū)Ω咝堋⒌湍芎碾娏﹄娮悠骷男枨笕找嬖黾?。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
    的頭像 發(fā)表于 02-26 11:03 ?1273次閱讀

    5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET

    傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應(yīng)用為例分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì),并做損耗仿真計(jì)算: 傾佳電子楊茜致力于推
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:37 ?692次閱讀
    5G電源應(yīng)用<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>B3M</b>040065Z替代超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2454次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體
    發(fā)表于 01-22 10:43

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37