chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

碳化硅技術助力綠色環(huán)保替代方案進入良性循環(huán)

星星科技指導員 ? 來源:wolfspeed ? 作者:wolfspeed ? 2023-05-19 11:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

綠色環(huán)保意識和法規(guī)在推動電動汽車市場發(fā)展,它們助力電池技術和碳化硅(SiC)基器件設計不斷創(chuàng)新,從而促進綠色能源發(fā)電的轉型。

現(xiàn)在,擴大可再生能源的需求至關重要。日益變化的氣候問題,化石燃料供應鏈問題以及長期有限化石燃料資源難以滿足日益增長的能源需求,這些因素都使天平向區(qū)域性綠色能源傾斜。

大幅提高可再生能源(尤其是太陽能和風能)的投資回報率(ROI),意味著需要提升儲能系統(tǒng)(ESS)的效率、容量、功率密度和成本效益。由于不斷增長的電動汽車(EV)市場加快了電池技術和SiC器件的創(chuàng)新步伐,現(xiàn)在可以使用基于SiC器件的解決方案來幫助實現(xiàn)所有這些目標。

太陽能光伏的成功

國際能源署(IEA)估計,2022 年可再生能源產(chǎn)能將增加 8%,突破 300 GW。[i]據(jù)該機構稱,引領可再生能源復興的是太陽能光伏發(fā)電,它將占全球可再生能源產(chǎn)能增長的 60%。這種增長的背后有如下幾個原因

太陽能電池板和相關的電子器件變得更加高效,同時相對于化石燃料還實現(xiàn)了更低的成本,其發(fā)展步伐比風能和水力發(fā)電都更快。全球各國政府正通過商業(yè)激勵和法規(guī)支持,在此基礎上進一步推動發(fā)展。

氣候變化加劇惡化了風能和太陽能發(fā)電的間歇性特征[ii],而采用 ESS 可以緩解這一問題。電池技術的改進帶來了容量的擴充和成本的降低,而基于SiC器件的設計使這些系統(tǒng)更加高效。

太陽能光伏的一個關鍵優(yōu)勢在于其廣泛的可擴展性,從住宅應用的幾千瓦到公用事業(yè)規(guī)模的數(shù)兆瓦太陽能發(fā)電站,各種場合均可采用。與高功率和昂貴的公用事業(yè)規(guī)模投資中最為可行的風能和水力發(fā)電不同的是,太陽能適合多種系統(tǒng)配置。

面板至 ESS 系統(tǒng)概述

太陽能架構通常分為三種使用場景。戶用光伏使用微逆變器支持 1 到 4 個面板組合,使用組串式逆變器將面板集群從幾千瓦聚集到約 50 kW。工商業(yè)光伏使用從 50 kW 到 200 kW 的組串式逆變器集成到一起,為商業(yè)和工業(yè)提供服務。兆瓦規(guī)模的公用事業(yè)光伏安裝使用了大型集中式系統(tǒng),但現(xiàn)在經(jīng)常會選擇基于分布式的組串型拓撲結構,以減少安裝時間和成本,同時減少點故障的影響和整體維護成本。

最大功率點跟蹤器(MPPT)是一種直流-直流(DC-DC)升壓電路,從面板陣列獲取變化的電壓,并向內部總線供應更高的恒定電壓(圖 1)。然后,逆變器將更穩(wěn)定的直流電轉換為電網(wǎng)的標準交流電。在 ESS 實施中,一個雙向DC-DC降壓-升壓(Buck-Boost)電路充當電池充電機。如果 ESS 需要從電網(wǎng)充電,逆變器也需要是雙向的。

SiC 技術提升

SiC 適用于從較低的 1 kW 到超過 1 MW 的升壓式MPPT 控制器、雙向逆變器(Bi-directional inverter)和有源前端(AFE),以及 ESS 充電/放電電路中的雙向DC-DC等部分的拓撲結構。與硅相比,它具有諸多優(yōu)勢:

在大多數(shù)應用中的開關頻率提高至 3 倍

系統(tǒng)效率提高約 2% 并且損耗降低約 40%

高達 50% 的功率密度(體積為 其1/3,重量為 其1/10)

更小的無源器件和散熱器體積

降低系統(tǒng) BOM 總成本

盡管 SiC 肖特基二極管長期以來被用于 MPPT 升壓電路以提高效率,然而現(xiàn)在更廣泛的采用全SiC MOSFET方案來實現(xiàn)。例如,Wolfspeed CRD-60DD12N 15 kW × 4 通道升壓轉換器參考設計提供 99.5% 的能源效率和 78 kHz 的開關能力。與硅相比,這種設計的能量效率提高了 1-2%,損耗減少了約 70%,功率密度提高至 3 倍,重量減輕為 1/10。所有這些性能都以更低的系統(tǒng)實施成本實現(xiàn)。

SiC 會對 AFE 部分帶來類似的影響。六開關硅 IGBT 實施的成本相對較低,并且簡單易用,因此得到了廣泛使用(圖 2)。然而,其開關頻率限制在最高約 20 kHz,并且其頻率在高功率水平下會大幅降低。雖然通過使用硅超結(SJ)器件的多級拓撲結構,設計師能夠通過高頻開關和良好系統(tǒng)效率實現(xiàn)所需的高電壓電平,但代價是控制更為復雜,同時更多的開關以及相關的器件驅動器會導致器件數(shù)量和 BOM 成本大幅增加。Wolfspeed CRD25AD12N-FMC 22 kW AFE 參考設計證明了這一點。

在 ESS 領域,電動汽車市場已經(jīng)對電池儲能趨勢造成了影響,使電池組的使用電壓從 200 V 上升到 800-1000 V。這些高電壓工況要求在雙向DC-DC轉換器中使用耐高壓器件。設計人員經(jīng)常在復雜的多電平諧振拓撲中使用常見的 650 V SJ 器件,但是在其拓撲中硅的開關頻率限制在 80 kHz 到 120 kHz 之間。取而代之的是,例如CRD-22DD12N 22 kW 雙向DC-DC充電機等簡化拓撲的全 SiC 方案可以實現(xiàn)約 200 kHz 的諧振頻率,且器件數(shù)量更少,總體系統(tǒng)成本更低。

將基于 SiC 的雙向 AFE 和DC-DC充電機結合在一起,可以帶來以下幾個系統(tǒng)級優(yōu)勢:

能耗降低 40%,從而實現(xiàn)

更低的系統(tǒng)溫度,更高的系統(tǒng)可靠性和使用壽命

更小的散熱器,甚至有可能消除主動冷卻

系統(tǒng)級效率提高 2%

功率密度提高 50%

系統(tǒng)成本降低18%

大功率 SiC 助力打造未來

基于 SiC 的系統(tǒng)可以支持幾個近期的關鍵趨勢。太陽能產(chǎn)業(yè)正朝著 1500 V 總線的方向發(fā)展,這需要 2 kV 器件或復雜的多級拓撲結構。在集中式逆變器領域,需要 2 kV 或更高電壓的中高壓器件和功率模塊。

在當今的集中式逆變器中SiC 將提供單極開關,而不是雙極開關,這可以實現(xiàn)相同的效率,并且具有重量、尺寸和成本優(yōu)勢。這項新的技術還將影響全新的領域,包括電力電子變壓器、風力發(fā)電和軌道交通。

審核編輯:郭婷

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 太陽能
    +關注

    關注

    37

    文章

    3531

    瀏覽量

    116176
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    31

    文章

    3226

    瀏覽量

    65293
  • 可再生能源
    +關注

    關注

    1

    文章

    745

    瀏覽量

    40067
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅的歷史與應用介紹

    硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
    發(fā)表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    。強氧化氣體在1000℃以上與SiC反應,并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中,能促進綠色碳化硅氧化從100℃開始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時為最大
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅半導體器件有哪些?

      由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極
    發(fā)表于 06-28 17:30

    碳化硅基板——三代半導體的領軍者

    電子設備的能耗,因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機系統(tǒng)在高壓應用領域,使用碳化硅陶瓷基板的半導體碳化硅功率器件,功耗降低效果明顯,設備的發(fā)熱量大幅減少
    發(fā)表于 01-12 11:48

    碳化硅器件的特點是什么

    今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
    發(fā)表于 03-16 08:00

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    碳化硅的應用

    碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
    發(fā)表于 08-19 17:39

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
    發(fā)表于 09-23 15:02

    請教碳化硅刻蝕工藝

    最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在
    發(fā)表于 08-31 16:29

    歸納碳化硅功率器件封裝的關鍵技術

    ,極大地提高模塊工作的可靠性。此外,鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力,也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
    發(fā)表于 02-22 16:06

    碳化硅SiC技術導入應用的最大痛點

    和電容器)的尺寸、重量和成本也可隨之降低。在極端情況下,整個冷卻系統(tǒng)本身效率也可以降低,甚至可以節(jié)省更多的成本。特別是在電動汽車牽引逆變器應用中,效率的提高是一個良性循環(huán),因為基于碳化硅的逆變器中的元件
    發(fā)表于 02-27 14:28

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動的區(qū)別

    碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案,搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET?! ?、通用型驅動核  1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發(fā)的一系列針對于單管
    發(fā)表于 02-27 16:03

    圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用

    的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美
    發(fā)表于 02-28 16:48

    碳化硅技術標準_碳化硅工藝

    技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅綠色
    發(fā)表于 02-03 16:11 ?5086次閱讀