對于金屬導(dǎo)體而言，載流子濃度n可達(dá) 1X1023/cm3。載流子的帶電量為e，如果在1T的磁場，1A的電流情形下，可以估算 0.5 cm 粗的導(dǎo)線產(chǎn)生的霍爾電勢差約為10-8V，可見在金屬導(dǎo)體中霍爾效應(yīng)并不明顯。

對于半導(dǎo)體而言，其內(nèi)部載流子濃度較導(dǎo)體而言非常低，大約在1010/cm3到1016/cm3之間，在同等條件下產(chǎn)生的霍爾電勢差可達(dá)100V的數(shù)量級，因此，霍爾效應(yīng)主要表現(xiàn)在半導(dǎo)體元器件中。此外，與金屬導(dǎo)體的載流子為單一的電子不同，不同類型半導(dǎo)體內(nèi)部的載流子電性不一定為負(fù)。例如，對于空穴導(dǎo)電的半導(dǎo)體來說，霍爾系數(shù)為正；而對于電子導(dǎo)體的半導(dǎo)體霍爾系數(shù)為負(fù)。

審核編輯黃宇