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學(xué)技術(shù) | 氮化鎵(GaN)與硅(Si)的MOS開關(guān)比較

大大通 ? 2022-12-09 14:41 ? 次閱讀
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由于寬能隙功率元件的優(yōu)異切換性能,近幾年已經(jīng)漸漸被商用化。常見的問題,如:究竟寬能隙元件對于系統(tǒng)的功率密度與效率的提升幫助有多少?原先所使用的以硅為基礎(chǔ)的元件在更復(fù)雜的拓?fù)渑c控制機制,是否需要付出更大的成本?本文會以適配器(Adaptor)的應(yīng)用來做說明。

氮化鎵(GaN)是橫向結(jié)構(gòu)的功率元件,其具有小于硅(Si)的十分之一以下的閘極電荷(Qg)與輸出電荷(Qoss),且沒有逆向回復(fù)電流(Irr)的問題。因此很適合被設(shè)計于高功率密度的電源適配器,并在所有負(fù)載范圍操作,都能達到零電壓切換,可有效降低開關(guān)的切換損失。

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圖2超接面Si與GaN元件的關(guān)鍵屬性比較(Rds(on)=100mΩ)

元件特性:

當(dāng)?shù)壴c硅功率元件比較時,超接面Si元件(SuperJunction)顯然是目前業(yè)界最主要的選擇。檢視當(dāng)前最新的技術(shù),超接面元件已經(jīng)問世將近20年,經(jīng)多個世代的演進,可以同時達到低導(dǎo)通電阻,以及低雜散電容,所以元件可以做快速地切換。

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圖3超接面元件與增強型模式氮化晶體管的輸出電容(Coss)特性

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圖4儲存在輸出電容的能量(Eoss)

即使氮化鎵元件的輸出電容在低壓時具有較小的值,但是實際儲存在輸出電容的能量值卻相當(dāng)接近于超接面元件。這個能量在硬切換的每一個周期,會變成熱而散掉,所以氮化鎵的真正價值是在于柔性切換應(yīng)用,因其具有逆向回復(fù)損失(Reverse recovery)為零的特性,以及Qoss比較小之優(yōu)勢。

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圖5 Qoss和電壓的比較,左圖為增強型模式氮化元件,右圖為超接面元件

驅(qū)動線路:

一般閘極驅(qū)動線路如圖6(a)所示,閘極導(dǎo)通與關(guān)斷瞬間之正與負(fù)電流以及穩(wěn)態(tài)電流如下。

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另外,Ion電流是由Ron電阻所決定,而穩(wěn)態(tài)電流ISS則是取決于RSS,如圖6(b)所示。其中,VN看似消失了,但其實是不需要,因為Con會將閘極驅(qū)動位準(zhǔn)做位移而形成負(fù)電位。

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圖6閘極驅(qū)動線路(a)、簡化之驅(qū)動線路(b)、閘極電荷特性(c)、閘極電流(d)

實際應(yīng)用:

這里使用一個以非對稱PWM反馳式(Flyback)拓?fù)涞?5W適配器為測試平臺。如圖7所示,非對稱PWM Flyback拓?fù)涞脑恚抢眉ご烹娏鱽韼椭淮蝹?cè)開關(guān)達到零電壓切換,二次側(cè)同整達到零電流切換,以求最高的轉(zhuǎn)換效率。電路構(gòu)架如圖8所示。

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圖7非對稱PWM Flyback之65W USB-PD適配器

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圖8具有同步整流的非對稱PWM Flyback


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圖9非對稱PWM Flyback典型波型

藍色(LC諧振電流);紅色(激磁電流);黃色(次級測電流)

這個適配器支持USB-PD功能,提供多組不同輸出電壓,從5V/3A到20V/3.25A,操作頻率范圍為100kHz~220kHz,取決于輸入與輸出電壓,并且搭配使用500V/140mΩ的超接面元件,最高效率可達94.8%,當(dāng)Vin為90V時,滿載效率則為93%,整體來說,對于系統(tǒng)效率在滿載和所有的輸入電壓范圍可以提高約0.4%,整體效率如圖8所示。

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圖10紅色曲線為超接面元件500V/140mΩ的滿載效率,藍色曲線為氮化元件600V/190mΩ的滿載效率,Vo=20V

結(jié)論:

本文介紹了氮化鎵元件之特性,并且列舉氮化鎵元件于適配器上的應(yīng)用示例。根據(jù)實際的測試結(jié)果,當(dāng)應(yīng)用于柔性切換拓?fù)鋾r,氮化鎵元件是會比超接面元件更具有出色的效率表現(xiàn)。這是由于氮化鎵元件的Qoss大幅降低,能夠以較低的激磁電流來達到零電壓切換,因此變壓器和功率元件的導(dǎo)通損失(Conduction-loss)可以被降低。另外,較小的閘極電荷Qg也同時降低了驅(qū)動損失,而較小的Coss,則可降低關(guān)斷時的切換損失(Switching-loss)。逆向回復(fù)損失(Reverse recovery)為零的特性也能提升切換穩(wěn)定度。

藉由專屬的驅(qū)動IC,可快速導(dǎo)通及關(guān)斷GaN元件。且在關(guān)斷的同時可保持閘極電位為零,避免開關(guān)誤導(dǎo)通也可降低dead-time造成的損失。并且使信號隔離達到安全的絕緣標(biāo)準(zhǔn)。因此要想提高功率密度,使用氮化鎵元件是必須的,只要轉(zhuǎn)換器件的效率提升,所產(chǎn)生的熱也會相對減少,散熱片就可以縮小,自然就能有效縮減體積。

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