8月11日報導顯示，碳化硅（SiC）半導體領(lǐng)域競爭升級，英飛凌（Infineon）宣布將在馬來西亞興建全球最大的8英寸SiC晶圓廠，為長期合約訂單背書，此舉頗有跟不久前才宣布在重慶建8英寸晶圓的SiC龍頭意法互別苗頭的意味。

近年來，隨著8英寸SiC晶圓的成本競爭力逐漸凸顯，多家SiC制造商相繼增加8英寸晶圓產(chǎn)能，英飛凌此舉有如向SiC領(lǐng)域投下一顆深水炸彈，英飛凌與意法互的競爭愈演愈烈，其他集成電路制造商也紛紛踏入競爭陣營，這一局面可從幾個角度審視。

首先，雙方都將目光投向國內(nèi)市場。年初，英飛凌與國內(nèi)SiC晶圓廠天岳、天科合達簽訂了備受關(guān)注的合同，共同為國內(nèi)SiC基板品質(zhì)保駕護航。外資機構(gòu)分析指出，英飛凌此前的基板供應(yīng)方還包括WolfSpeed、安森美（On-Semi）、日本羅姆（Rohm）等，不過國內(nèi)基板供應(yīng)已占據(jù)其需求的約20%，今后幾個季度有望大幅提升。

面對良率難以掌握的問題，「擁SiC基板、擁天下」成顯學。英飛凌是極少數(shù)未自制SiC基板的IDM廠商之一，年初采取多樣化布局被視為新的SiC晶圓工廠即將登場的信號，這是朝著2023年在SiC市場占據(jù)30%市場份額的目標邁進。

市場曾觀望英飛凌是否會像一線汽車供應(yīng)商博世（Bosch）一樣加大對美國SiC投資，從而助力供應(yīng)鏈壯大？鑒于中美關(guān)系考慮，這使得國內(nèi)供應(yīng)鏈略感緊張，而如今英飛凌選擇在馬來西亞建廠，則使國內(nèi)供應(yīng)鏈稍感寬松。

此外，根據(jù)東盟貿(mào)易協(xié)定的免稅政策以及地理位置，該工廠有可能更多地支持國內(nèi)和亞洲市場，不過這也意味著英飛凌在國內(nèi)建廠的機會相對減少。與之形成對比的是，SiC的主要競爭對手意法與三安合作，在重慶建8英寸SiC晶圓廠，三安還將為其量身打造8英寸基板新廠。

其次，雙方鎖定不同的客戶群。英飛凌的新工廠將依靠各客戶的預付款和長期合同，其中包括來自汽車、再生能源、儲能、工業(yè)等領(lǐng)域的客戶。汽車領(lǐng)域的客戶有福特、上汽、奇瑞，還有SolarEdge等大型太陽能逆變器制造商，以及國內(nèi)三家太陽能和儲能系統(tǒng)制造商。另外，全球能源管理和自動化巨頭施耐德電機也已預定了SiC功率產(chǎn)品。

最后，雙方在技術(shù)領(lǐng)域的競爭加劇。英飛凌強調(diào)，其新建的8英寸工廠將采用行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC溝槽式技術(shù)，這有助于市場區(qū)隔，是該技術(shù)的代表工廠。另一方面，意法互主導平面型技術(shù)。

此外，業(yè)內(nèi)人士補充道，溝槽式技術(shù)結(jié)構(gòu)較為復雜，難以控制良率，但可以節(jié)約SiC基板用量；而平面型技術(shù)則相對簡單穩(wěn)定，但需要更多的基板。這兩種技術(shù)目前仍在激烈競爭中，很難說哪一種更優(yōu)越。

然而，值得注意的是，最初的決戰(zhàn)點似乎出現(xiàn)在特斯拉Model 3率先采用了平面型技術(shù)，這使得意法互在SiC領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，也引領(lǐng)其他汽車制造商的跟進。而此刻，英飛凌正加大溝槽式技術(shù)的產(chǎn)能，同時也在多個領(lǐng)域積極推進，以侵蝕以汽車為主的平面型市場。實際上，許多廠商也在積極轉(zhuǎn)向溝槽式技術(shù)，比如安森美正在開發(fā)溝槽式SiC金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET），計劃在2024年推出樣本。

審核編輯 黃宇