RK3588 VDD_CPU_BIG0/1 電源PCB設(shè)計

1、如圖1所示的濾波電容，原理圖上靠近 RK3588的VDD_CPU_BIG電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容務(wù)必放在對應(yīng)的電源管腳背面，電容GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如圖2所示。其余的去耦電容盡量擺放在3588芯片附近，而卻需要擺放在電源分割來源的路徑上。

圖1RK3588 芯片VDD_CPU_BIG0/1的原理圖電源管腳去耦電容

圖2 芯片 VDD_CPU_BIG0/1的電源管腳背面去耦電容放置情況

2、RK3588芯片VDD_CPU_BIG0/1的電源管腳，保證每個管腳邊上都有一個對應(yīng)的過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如圖3所示，建議走線線寬10mil。

圖3RK3588 芯片 VDD_CPU_BIG0/1的電源管腳扇出走線情況

3、VDD_CPU_BIG0/1覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳覆銅足夠?qū)?，路徑不能被過孔分割太嚴(yán)重，必須計算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個電源PIN腳路徑都足夠；

4、VDD_CPU_BIG的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔12 個及以上0.5*0.3mm的過孔，降低換層過孔帶來的壓降；去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會大大降低電容作用；

5、VDD_CPU_BIG電流比較大需要雙層覆銅，VDD_CPU_BIG 電源在 CPU 區(qū)域線寬合計不得小于 300mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?600mil，盡量采用覆銅方式，降低走線帶來壓降其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅，如圖4所示。

圖4RK3588 芯片 VDD_CPU_BIG0/1電源層覆銅情況

4、電源平面會被過孔反焊盤破壞，PCB設(shè)計時注意調(diào)整其他信號過孔的位置，使得電源的有效寬度滿足要求。下圖 L1 為電源銅皮寬度 58mil，由于過孔的反焊盤會破壞銅皮，導(dǎo)致實際有效過流寬度僅為L2+L3+L4=14.5mil，如圖5所示。

圖5 電源有效過流寬度示意圖

7、BIG0/1電源過孔40mil范圍(過孔中心到過孔中心間距)內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧12個，如圖6所示。

圖6 BIG0/1電源地過孔放置圖

2、BIG電源PDN目標(biāo)阻抗建議值如下表1所示和圖7所示：

表1 BIG電源PDN目標(biāo)阻抗建議值

圖7 BIG電源建議PDN要求