美光公司公布了將業(yè)界最高的 1β （1-beta） 技術(shù)擴展的16gb ddr5內(nèi)存。美光公司的 1β DDR5 DRAM 最大功能為7200 mt/s，目前提供給所有數(shù)據(jù)中心和電腦客戶。美光公司以 1β 為基礎的ddr5內(nèi)存使用了先進的高k cmos技術(shù)、4相時鐘和時鐘同步，與以前的產(chǎn)品相比，最大提高了50%，每瓦提高了33%的性能。

隨著數(shù)據(jù)中心工作負載所需cpu核心數(shù)量的增加，對更高內(nèi)存帶寬和容量的要求增加，克服了“內(nèi)存墻”問題，優(yōu)化了總擁有費用。美光公司的 1β DDR5 DRAM 可以進一步擴展性能，支持數(shù)據(jù)中心和客戶端平臺之間的人工智能（ai）訓練和推理、生成ai、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫（imdb）應用程序。新的 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品線為數(shù)據(jù)中心和客戶端應用提供了目前在4800 mt/s到7200 mt/s之間的模塊密度。

美光計算設計集團副總裁布萊恩- callaway表示：“ 1β DDR5 DRAM 的客戶端及數(shù)據(jù)中心平臺的量產(chǎn)和上市是業(yè)界的重要里程碑。”通過與生態(tài)伙伴及客戶的合作，推動這些高性能存儲產(chǎn)品的迅速采用?！?/p>

美光公司的 1β 技術(shù)提供了廣泛的基于內(nèi)存的解決方案組合。其中包括使用 16Gb、24Gb 和 32Gb DRAM 芯片的 DDR5 RDIMM 和 MCRDIMM、使用 16Gb 和 24Gb DRAM 芯片的 LPDDR5X、HBM3E 和 GDDR7。

內(nèi)存的名稱由20nm節(jié)點變更為10nm，但更仔細地看，從1x、1y、1z分為1z三代，后面是1α，1β，1γ。

在1α，1β，1γ這三代中，三星開始對1使用euv技術(shù)，但代價和成本都很高。美光目前批量生產(chǎn)的一技術(shù)是最先進的。

1β工藝水平相當于13納米，而美光公司仍然沒有使用euv工程，因此可以避免使用昂貴的攝影師。美光公司通過第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝代替euv光刻，在1β存儲器上提高了35%的存儲器密度，節(jié)約了15%的電力。