chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

全面漲價 NAND Flash晶圓的漲幅有望領(lǐng)跑

科創(chuàng)板日報 ? 來源:科創(chuàng)板日報 ? 2023-10-22 13:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

漲價幅度超出此前預期,NAND Flash晶圓作為最先喊漲的產(chǎn)品,漲幅有望領(lǐng)跑。與供給側(cè)大刀闊斧減產(chǎn)不同,NAND Flash需求端依然沒有恢復元氣。

據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示,由于供應商嚴格控制產(chǎn)出,NAND Flash第四季度合約價全面起漲,漲幅約8~13%

8~13%的漲價幅度超出此前預期。

TrendForce在9月11日的報告中預計,四季度NAND Flash均價有望持平或小幅上漲,環(huán)比漲幅約0~5%。

NAND Flash晶圓的漲幅有望領(lǐng)跑

TrendForce預測其第四季度漲幅約13~18%,供應商的減產(chǎn)措施取得成效是此輪漲價的主要原因——繼三星減產(chǎn)幅度擴大至50%后,其他NAND Flash晶圓原廠也維持節(jié)制的投片策略,部分制程與產(chǎn)能在減產(chǎn)時間達半年后,構(gòu)成結(jié)構(gòu)性的供應緊張,均有利原廠在價格上上掌握主導優(yōu)勢,目前市場幾乎已無低價貨源可采購。

91033db4-6c59-11ee-939d-92fbcf53809c.png

NAND Flash第四季合約價全面起漲

展望2024年,TrendForce提示,除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略,且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫,否則在缺乏需求作為支撐的前提下,NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。

與供給側(cè)大刀闊斧減產(chǎn)不同,NAND Flash需求端依然沒有恢復元氣。

當下的新增訂單大多基于漲價預期,即NAND閃存客戶選擇提前囤貨。

總體而言,在消費性電子市場需求能見度仍不明朗、通用型服務(wù)器的資本支出需求疲弱的情況下,NAND Flash這輪漲價能否持續(xù)到明年仍是未知數(shù)。






審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5342

    瀏覽量

    131634
  • 存儲芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    994

    瀏覽量

    44711
  • Nand flash
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    246

    瀏覽量

    41451

原文標題:這類存儲芯片Q4起全面漲價 最高漲18%

文章出處:【微信號:chinastarmarket,微信公眾號:科創(chuàng)板日報】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

    NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲器技術(shù),主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同,NAND
    的頭像 發(fā)表于 09-08 09:51 ?5664次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>的基本原理和結(jié)構(gòu)

    攻克存儲芯片制造瓶頸:高精度切割機助力DRAM/NAND產(chǎn)能躍升

    在存儲芯片(DRAM/NAND)制造中,劃片是將整片晶分割成單個芯片(Die)的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、
    的頭像 發(fā)表于 08-08 15:38 ?851次閱讀
    攻克存儲芯片制造瓶頸:高精度<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>切割機助力DRAM/<b class='flag-5'>NAND</b>產(chǎn)能躍升

    清洗機怎么做夾持

    清洗機中的夾持是確保在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是
    的頭像 發(fā)表于 07-23 14:25 ?728次閱讀

    今日看點丨NAND Flash Q3將漲價超15%;阿斯麥警告 2026 年增長目標堪憂;蘋果折疊手機將采用三星無折痕方案

    1、NAND Flash第三季度將漲價超15% 據(jù)業(yè)界最新預測,第三季NAND Flash漲價
    發(fā)表于 07-17 10:13 ?2772次閱讀
    今日看點丨<b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b> Q3將<b class='flag-5'>漲價</b>超15%;阿斯麥警告 2026 年增長目標堪憂;蘋果折疊手機將采用三星無折痕方案

    臺積電先進制程漲價,最高或達30%!

    據(jù)知情人士透露,臺積電2nm工藝的價格將較此前上漲10%,去年300mm的預估價格為3萬美元,而新定價將達到3.3萬美元左右。此外,這家全球
    發(fā)表于 05-22 01:09 ?1159次閱讀

    美光調(diào)整NAND生產(chǎn)策略應對市場需求放緩

    正在迅速而果斷地采取行動,以降低資本支出并削減產(chǎn)量,從而維護市場的供應紀律。具體措施包括將NAND啟動率較此前水平下調(diào)10%,并減慢
    的頭像 發(fā)表于 12-26 14:30 ?872次閱讀

    背面涂敷工藝對的影響

    一、概述 背面涂敷工藝是在背面涂覆一層特定的材料,以滿足封裝過程中的各種需求。這種工藝不僅可以提高芯片的機械強度,還可以優(yōu)化散熱性能,確保芯片的穩(wěn)定性和可靠性。 二、材料選擇
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:54 ?620次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷工藝對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    【半導體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識

    密度,制造商開發(fā)了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術(shù),該技術(shù)將Z平面中的存儲單元堆疊在同一上。 []()   3D
    發(fā)表于 12-17 17:34

    關(guān)于SD NAND 的概述

    貼、容易脫落的問題,同時占用更少的PCB面積。   2. 使用壽命與穩(wěn)定性 []()   使用SLC NAND Flash:SLC NAND
    發(fā)表于 12-06 11:22