激光二極管（Laser Diode, LD）在電力電子行業(yè)扮演重要角色，憑借其出色的單色性、高效率以及快速開關(guān)特性，在信號傳輸領(lǐng)域尤為重要。

一、激光二極管的原理

激光二極管基于受激輻射發(fā)光，能發(fā)射出直徑微小、高度定向和相干性強的光束。1962年，科學家Robert N. Hall和Nick Holonyak Jr.成功發(fā)明了激光二極管。得益于在活性區(qū)的電流“注入”，這些設(shè)備實現(xiàn)了“激光”條件，并成功輻射出光子。激光二極管符號表示中有別于普通PN結(jié)二極管的地方在于它包含了一個未摻雜的本征活性區(qū)域。

二、激光二極管的結(jié)構(gòu)和工作原理

激光二極管的工作原理依賴其內(nèi)部的PIN結(jié)構(gòu)——兩端分別是P型與N型半導體，中間是未摻雜的本征半導體。當正向偏壓時，電子和空穴被注入活性區(qū)，電子從導電帶跳至價帶與空穴復合，釋放出光子。

這個過程涉及三種輻射機制：吸收、自發(fā)發(fā)射和受激發(fā)射。自發(fā)發(fā)射是自然復合產(chǎn)生的發(fā)光，而受激發(fā)射則是電子在光子作用下從更高能級躍遷至更低能級時產(chǎn)生的，每個入射光子能誘導出兩個同相位、同波長的光子。

三、激光二極管的應用

激光二極管廣泛應用于電力電子領(lǐng)域。在光電場景如激光打印、光盤讀寫、光纖通信以及自動化傳感器中起著不可或缺的作用。此外，它們在電力器件控制（如IGBT與MOSFET的驅(qū)動電路）、EDS及無掩膜光刻等半導體制造技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵性能。

四、優(yōu)勢與不足

激光二極管提供了810至1064納米波長范圍的豐富選擇，同時具備快速響應、高量子效率等多項優(yōu)勢。盡管激光二極管存在對溫度和光反饋敏感、高增益電流下帶隙收縮以及與LED相比成本較高等局限，但其整體性能令其在高精度應用中顯著優(yōu)于LED。

五、激光二極管與LED的區(qū)別

不同于LED依靠自發(fā)發(fā)射，激光二極管通過電流和電壓引發(fā)受激發(fā)射，產(chǎn)生的光輸出既均勻又相干。在激光二極管的輔助下，實現(xiàn)了精細控制的光學應用，而LED則適用于一般照明及指示裝置。

通過對激光二極管的技術(shù)深入分析可知，它在現(xiàn)代電力電子和通信領(lǐng)域中的作用日益重要。雖然激光二極管的成本相對高昂，但在高端精密的應用中，其性能優(yōu)勢明顯，預計在未來的光電子行業(yè)中將持續(xù)發(fā)揮巨大潛力。