.cache和CXL.memory三個(gè)子協(xié)議,分別處理I/O、緩存一致性和內(nèi)存訪問。PCIe物理層為CXL高效的數(shù)據(jù)傳輸提供技術(shù)底座,
發(fā)表于 08-18 00:02
?5633次閱讀
,具有較高的靈敏度。 本文主要以 DWPI 專利數(shù)據(jù)庫以及 CNABS 數(shù)據(jù)庫中的檢索結(jié)果為分析樣本,從專利文獻(xiàn)的視角對(duì)輪邊驅(qū)動(dòng)電機(jī)的技術(shù)發(fā)展進(jìn)行了全面的統(tǒng)計(jì)分析,總結(jié)了與輪邊驅(qū)動(dòng)電機(jī)相關(guān)的國內(nèi)和國外
發(fā)表于 06-10 13:15
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價(jià)回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
薄、短小的方向發(fā)展。上海桐爾科技技術(shù)發(fā)展有限公司專注于提供先進(jìn)的電子制造解決方案,致力于通過技術(shù)創(chuàng)新助力電子產(chǎn)品的微型化進(jìn)程。
SMT技術(shù)通過將錫膏印刷在需要焊接的焊盤上,然后放置電子
發(fā)表于 02-21 09:08
三星近日發(fā)布白皮書,闡述了其在未來通信技術(shù)發(fā)展方面的最新進(jìn)展。其中,最為引人注目的是三星計(jì)劃在 6G 通信系統(tǒng)中深度整合 AI 技術(shù),旨在全面優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量,為用戶提供面向未來的可持續(xù)體
發(fā)表于 02-08 11:38
?747次閱讀
公布的首批CXL 2.0合規(guī)供應(yīng)商清單。 此次通過CXL 2.0合規(guī)性測(cè)試,標(biāo)志著瀾起科技的CXL?內(nèi)存擴(kuò)展控制器芯片在技術(shù)規(guī)格、互操作性和
發(fā)表于 01-21 14:44
?955次閱讀
近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對(duì)三星電子的未來前景表達(dá)了擔(dān)憂。他預(yù)測(cè),由于客戶庫存過剩,三星電子在2025年上半年可能會(huì)面臨內(nèi)存芯片價(jià)格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出,盡管下半年芯片
發(fā)表于 11-27 11:22
?782次閱讀
芯片。作為當(dāng)前市場(chǎng)上最先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù)之一,HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的帶寬和低功耗特性而備受矚目。英偉達(dá)正在對(duì)三星提供的兩種不同堆疊規(guī)格的HBM3E
發(fā)表于 11-25 14:34
?596次閱讀
在近期的一場(chǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研交流研討會(huì)上,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部的副總裁Jeong Gi-tae展現(xiàn)出了高度的自信。他堅(jiān)決表示,三星的技術(shù)并不遜色于臺(tái)積電,并對(duì)公司的未來發(fā)展持樂觀態(tài)度。
發(fā)表于 10-24 15:56
?1030次閱讀
9月4日最新資訊,據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露,三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程,并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時(shí),
發(fā)表于 09-04 15:57
?1196次閱讀
三星電子近日宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展,其專為高級(jí)車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)及高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)設(shè)計(jì)的LPDDR4X車載內(nèi)存已成功通過高通最新驍龍數(shù)字底盤平臺(tái)的嚴(yán)格驗(yàn)證。這一成就不僅標(biāo)志著三
發(fā)表于 08-27 16:02
?817次閱讀
隨著人工智能(AI)領(lǐng)域數(shù)據(jù)處理需求的爆炸性增長,全球存儲(chǔ)廠商正競相研發(fā)下一代存儲(chǔ)解決方案,以應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。三星電子在這一賽道上尤為亮眼,其在Compute Express Link(CXL)高速互聯(lián)存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先地位尤為顯著
發(fā)表于 08-19 15:36
?1080次閱讀
三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X
發(fā)表于 08-07 11:21
?1421次閱讀
重大決策:三星將于今年年底正式拉開符合CXL 2.0協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)的256GB CMM-D 2.0內(nèi)存模塊的量產(chǎn)序幕。這一舉措不僅標(biāo)志著三星在高性能計(jì)算與數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的又一重大突
發(fā)表于 07-22 15:10
?1073次閱讀
評(píng)論