一，GD32的flash特征

1、在flash的前256K字節(jié)空間內(nèi)，CPU執(zhí)行指令零等待；在此范圍外，CPU讀取指令存在較長(zhǎng)延時(shí)；

2、對(duì)于flash大于512KB（不包括等于512KB）的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD，使用了兩片閃存；前512KB容量在第一片閃存（bank0）中，后續(xù)的容量在第二片閃存（bank1）中；

3、對(duì)于flash容量小于等于512KB的GD32F10x_CL和GD32F10x_HD，只使用了bank0；

4、對(duì) 于 GD32F10x_MD ， 閃 存 頁(yè) 大 小 為 1KB 。GD32F10x_CL 和 GD32F10x_HD ，GD32F10x_XD，bank0的閃存頁(yè)大小為2KB，bank1的閃存頁(yè)大小為4KB；

5、支持32位整字或16位半字編程，頁(yè)擦除和整片擦除操作；

二，GD32的flash結(jié)構(gòu)

1、GD32F10x_MD

GD32F10x_CL，GD32F10x_HD 和 GD32F10x_XD

三，GD32的flash讀操作

flash可以像普通存儲(chǔ)空間一樣直接尋址訪問(wèn)。

value=*(uint32_t*)FlashAddr;

uint16_t IAP_ReadFlag(void){ return *(volatile uint16_t*)(FLASH_ADDR); }

四，GD32的flash擦除操作

每一頁(yè)可以被獨(dú)立擦除，步驟如下：

1，確保FMC_CTLx寄存器不處于鎖定狀態(tài)；

2，檢查FMC_STATx寄存器的BUSY位來(lái)判定閃存是否正處于擦寫(xiě)訪問(wèn)狀態(tài)，若BUSY位為1，則需等待該操作結(jié)束，BUSY位變?yōu)?；

3，置位FMC_CTLx寄存器的PER位；

4，將待擦除頁(yè)的絕對(duì)地址（0x08XX XXXX）寫(xiě)到FMC_ADDRx寄存器；

5，通過(guò)將FMC_CTLx寄存器的START位置1來(lái)發(fā)送頁(yè)擦除命令到FMC；

6，等待擦除指令執(zhí)行完畢，F(xiàn)MC_STATx寄存器的BUSY位清0；

7，如果需要，使用DBUS讀并驗(yàn)證該頁(yè)是否擦除成功。

void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address){ fmc_unlock(); //fmc解鎖 /* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase the flash pages */ fmc_page_erase(Page_Address);
/* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
fmc_lock(); //fmc上鎖}

要擦除連續(xù)的幾頁(yè)：

void fmc_erase_pages(void){uint32_terase_counter;
/* unlock the flash program/erase controller */ fmc_unlock(); /* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase the flash pages */ for(erase_counter = 0; erase_counter < page_num; erase_counter++){ fmc_page_erase(FMC_WRITE_START_ADDR + (FMC_PAGE_SIZE * erase_counter)); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR); }

/* lock the main FMC after the erase operation */ fmc_lock();}

全部擦除：

void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address){ fmc_unlock(); //fmc解鎖 /* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase whole chip */ fmc_mass_erase();
/* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
fmc_lock(); //fmc上鎖}

五，flash寫(xiě)

往flash的某個(gè)地址寫(xiě)入數(shù)據(jù)前，一般要先擦除該地址。

16位半字編程：

void IAP_WriteFlag(uint16_t flag){ fmc_unlock(); fmc_page_erase(IAP_FLAG_ADDR); fmc_halfword_program(IAP_FLAG_ADDR,flag); fmc_lock();}

32位整字編程：

void fmc_program(void){ /* unlock the flash program/erase controller */ fmc_unlock();
address = FMC_WRITE_START_ADDR; /* program flash */ while(address < FMC_WRITE_END_ADDR){ fmc_word_program(address, data0); address += 4; fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR); } /* lock the main FMC after the program operation */ fmc_lock();}