這家TOP 1 氮化鎵廠商終于要上市了！

就在剛剛，據(jù)《路透社》旗下IFR最新消息，英諾賽科計劃最早于今年內(nèi)在香港進行IPO，融資規(guī)模約3億美元（約21.6億人民幣）。

目前，英諾賽科正與中金公司和招銀國際就上市事宜進行合作。

英諾賽科成立于2015年，是全球領先的氮化鎵IDM企業(yè)。今年2月初，英諾賽科公布了2023年出貨量等一系列成果——截止12月，英諾賽科氮化鎵出貨量突破5億顆，市占率全球第一。

項目方面，英諾賽科在近年來也在積極擴產(chǎn)：

●早在2017年11月，英諾賽科就在珠海建成投產(chǎn)全球首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線。

●2018年6月，英諾賽科蘇州項目正式落戶；2021年6月，英諾賽科蘇州8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線宣布量產(chǎn)。

●2023年11月，英諾賽科正式在蘇州啟用了全球研發(fā)中心，將開展8英寸GaN器件等技術技術研究，打造新型寬禁帶半導體材料與器件研發(fā)基地；同期，英諾賽科還舉行了“8英寸硅基氮化鎵芯片生產(chǎn)線建設項目第二階段產(chǎn)能擴展”項目（即三期銀團）貸款簽約儀式，獲得13億元人民幣的項目融資貸款用于支持英諾賽科未來兩年的擴產(chǎn)計劃。

新品開發(fā)及市場開拓方面，英諾賽科在去年推出了700V高壓GaN等產(chǎn)品；針對服務器、光伏等高功率市場推出了650V 產(chǎn)品，為拓展更多應用場景做準備。早在2021年，英諾賽科還量產(chǎn)了自研雙向?qū)╒GaN產(chǎn)品并導入OPPO手機，成為當時全球首款導入智能手機內(nèi)部電源開關領域的GaN芯片。

可以預見，英諾賽科在GaN領域保持著積極向上的態(tài)勢，若在今年成功IPO，接下來的表現(xiàn)會更值得期待。

審核編輯：劉清