ASML 首臺(tái)新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 完成安裝
3 月 13 日消息，光刻機(jī)制造商 ASML 宣布其首臺(tái)新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 已完成安裝，新機(jī)型將帶來(lái)更高的生產(chǎn)效率。
▲ ASML 在 X 平臺(tái)上的相關(guān)動(dòng)態(tài)
ASML 官網(wǎng)尚未上線 Twinscan NXE:3800E 的信息頁(yè)面。
除了正在研發(fā)的 High-NA EUV 光刻機(jī) Twinscan EXE 系列，ASML 也為其 NXE 系列傳統(tǒng)數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī)持續(xù)更新升級(jí)，未來(lái)目標(biāo)在 2025 年推出 NXE:4000F 機(jī)型。
上兩代 NXE 系列機(jī)型 3400C 和 3600D 分別適合 7~5、5~3 納米節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)，德媒 ComputerBase 因此預(yù)測(cè) 3800E 有望支持 3~2 納米的尖端制程。
根據(jù) ASML 此前分享的 2021 版路線圖，Twinscan NXE:3800E 系統(tǒng)將相較上代 3600D 在對(duì)準(zhǔn)精度（Overlay）和產(chǎn)能上進(jìn)一步提升，可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較 3600D 的 160 片大幅提升近 22%，并有望達(dá)到 220 片的目標(biāo)（對(duì)應(yīng)提升 37.5%）。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1167瀏覽量
48200 -
EUV
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
609瀏覽量
87248 -
ASML
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
729瀏覽量
42326
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
光刻機(jī)巨頭ASML業(yè)績(jī)暴雷，芯片迎來(lái)新一輪“寒流”？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）作為芯片制造過(guò)程中的核心設(shè)備，光刻機(jī)決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻機(jī)已經(jīng)成為高端芯片（7nm及以下）芯片量產(chǎn)的關(guān)鍵，但目前EUV
奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS項(xiàng)目迎重大進(jìn)展 首臺(tái)光刻機(jī)入駐
光刻機(jī)的成功搬入，意味著產(chǎn)線正式進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試階段，距離8月底通線試產(chǎn)、第四季度產(chǎn)能爬坡并交付客戶的既定目標(biāo)指日可待。這一目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)，將實(shí)現(xiàn)各類MEMS半導(dǎo)體傳感器產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的無(wú)縫銜接，對(duì)重慶乃至整個(gè)集成電路行業(yè)都具
ASML官宣：更先進(jìn)的Hyper NA光刻機(jī)開(kāi)發(fā)已經(jīng)啟動(dòng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，ASML 技術(shù)高級(jí)副總裁 Jos Benschop 表示，ASML 已攜手光學(xué)組件獨(dú)家合作伙伴蔡司，啟動(dòng)了 5nm 分辨率的 Hyper NA 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)。這一舉措標(biāo)志著
發(fā)表于 06-29 06:39
?1264次閱讀
電子直寫(xiě)光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極
電子直寫(xiě)光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極
隨著科技進(jìn)步，對(duì)電子顯微鏡的精度要求越來(lái)越高。電子直寫(xiě)光刻機(jī)的精度與電子波長(zhǎng)和電子束聚焦后的焦點(diǎn)直徑有關(guān)，電子波長(zhǎng)可通過(guò)增加加速電極電壓來(lái)減小波長(zhǎng)，而電子束聚焦后
發(fā)表于 05-07 06:03
EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者
? EUV光刻有多強(qiáng)？目前來(lái)看，沒(méi)有EUV光刻，業(yè)界就無(wú)法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機(jī)
半導(dǎo)體設(shè)備光刻機(jī)防震基座如何安裝？
半導(dǎo)體設(shè)備光刻機(jī)防震基座的安裝涉及多個(gè)關(guān)鍵步驟和考慮因素，以確保光刻機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和產(chǎn)品質(zhì)量。首先，選擇合適的防震基座需要考慮適應(yīng)工作環(huán)境。由于半導(dǎo)體設(shè)備通常在潔凈的環(huán)境下運(yùn)行，因此選擇的搬運(yùn)工具如
如何提高光刻機(jī)的NA值
本文介紹了如何提高光刻機(jī)的NA值。 為什么光刻機(jī)希望有更好的NA值？怎樣提高？ ? 什么是NA值？ ? 如上圖是某型號(hào)的光刻機(jī)配置，每代光刻機(jī)的NA值會(huì)比上一代更大一些。NA，又名
光刻機(jī)的分類與原理
本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片
組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹
納米級(jí)別的分辨率。本文將詳細(xì)介紹光刻機(jī)的主要組成部分及其功能。 光源系統(tǒng) ? 光源系統(tǒng)是光刻機(jī)的心臟，負(fù)責(zé)提供曝光所需的能量。早期的光刻機(jī)使用汞燈作為光源，但隨著技術(shù)的進(jìn)步，目前多采用深紫外（DUV）或極紫外（
日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位
據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道，Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司，已經(jīng)開(kāi)始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個(gè)階段進(jìn)行
光刻機(jī)的工作原理和分類
? 本文介紹了光刻機(jī)在芯片制造中的角色和地位，并介紹了光刻機(jī)的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機(jī)：芯片制造的關(guān)鍵角色 ? ? 光刻機(jī)在芯片制造中占據(jù)著至關(guān)重要的地位，被譽(yù)為芯片制
光刻機(jī)巨頭拋出重磅信號(hào) 阿斯麥（ASML）股價(jià)大幅上漲
在2024年投資者會(huì)議上，光刻機(jī)巨頭拋出重磅利好；緊接著ASML股價(jià)開(kāi)始大幅拉升；一度上漲超5%。截止收盤上漲2.9%。 阿斯麥在會(huì)議上宣布，預(yù)計(jì)2030年的銷售額將在440億歐元至600億歐元之間
今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營(yíng)收首次超過(guò)特斯拉；三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)
光刻機(jī)售價(jià)約3.5億美元（約合人民幣25億元），遠(yuǎn)高于ASML標(biāo)準(zhǔn)EUV系列的1.8億~2億美元。High NA系統(tǒng)具有8
發(fā)表于 10-31 10:56
?1047次閱讀
光刻機(jī)巨頭阿斯麥業(yè)績(jī)爆雷 ASML股價(jià)暴跌16.26%創(chuàng)最大的單日跌幅
在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二，荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥公布了一份不及預(yù)期的第三季度業(yè)績(jī)報(bào)告；訂單量環(huán)比下降53%，?業(yè)績(jī)爆雷第一時(shí)間反應(yīng)到ASML公司的股價(jià)暴跌。 在美股市場(chǎng)，光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論