本訊于3月21日，來自三星半導體的官方微信公眾號透露，他們正在研發(fā)名為CMM-H的混合存儲CXL模組。這一模組獨特之處在于整合了DRAM內(nèi)存與NAND閃存。

值得注意的是，作為新型高速互聯(lián)技術(shù)，CXL具備更高的數(shù)據(jù)處理能力和更低的延遲，能夠有效促進CPU與外部設備的結(jié)合。

據(jù)三星展示的圖片顯示，此模組可以通過CXL接口在閃存部分及CPU之間進行I/O塊傳輸，也可以運用DRAM緩存和CXL接口達到64字節(jié)的內(nèi)存I/O傳輸。

據(jù)規(guī)劃，CMM-H模塊能更好地簡化訪問方式，降低總體成本（TCO），成為持久內(nèi)存的潛在選擇。

按照三星今年上半年的計劃，我們有望見到一款實驗性的CMM-H產(chǎn)品，它將搭載FPGA基礎的CXL1.1控制器和E3.L2T規(guī)格，最大容量為4TB且?guī)捀哌_8Gb/s。

展望未來，既然預計方向是商業(yè)量產(chǎn)的CMM-H模塊，那么基于ASIC成熟控制器的CXL3.0規(guī)范應在2026年得以應用，由此模組的最大容量可達到16TB，帶寬亦能提升到64Gb/s。

關(guān)于另一方面的內(nèi)容，即更為傳統(tǒng)的CXL-D純內(nèi)存CXL存儲模組，三星計劃在明年第一季度推出一款基于1b nm制程并擁有6400 MT/s速度的128GB第二代產(chǎn)品。

更為詳細的描述中，我們知道后續(xù)的產(chǎn)品線中還將看到512GB以及256GB容量的第二代CXL-D模組。