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MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-05-27 11:16 ? 次閱讀
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今天我們來講一款FST SIC DIODE模塊MPRA1C65-S61,這款SiC Module可以適用更高的開關(guān)頻率,可忽略的反向恢復與開關(guān)損耗,大大的提高整機效率,可適當?shù)臏p少散熱器件體積。

wKgZomZT-vSAZ-xYAAR8JLleOHQ269.png

模塊采用帶有散熱片的S6小型封裝,具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、用戶使用簡單靈活的特點,是焊接切割設(shè)備,開關(guān)電源 充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊。

快速參考數(shù)據(jù):

650V/100A 碳化硅DIODE模塊

反向重復峰值電壓:600V

連續(xù)正向電流:100A

熱阻:0.68℃/W

安裝扭矩-端子:3±15%Nm

安裝扭矩-散熱器:5±15%Nm

模塊大約重量:170g

特征:

絕緣耐壓

端子與外殼之間外加交流電 1 分鐘

封裝形式:S6,

多種保護功能,包括欠壓保護、過流保護、過溫保護

故障狀態(tài)報告輸出線性溫度感測輸出

S6封裝形式(Package Outline):

wKgaomZT-wGAAEYmAACW1TU9ppo156.png

應(yīng)用:

焊接切割設(shè)備

開關(guān)電源

充電設(shè)備

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