全球知名的矽智財解決方案提供商M31 Technology Corporation（簡稱M31）近日宣布，已成功攜手高塔半導體（Tower Semiconductor）完成了一項重要合作——共同研發(fā)出基于65納米制程的先進SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和ROM（唯讀存儲器）IP產(chǎn)品。此次合作不僅標志著雙方在半導體技術領域的深度合作邁出了堅實的一步，也為市場帶來了更為高效、低功耗的存儲器解決方案。

據(jù)悉，該65納米制程的SRAM和ROM IP產(chǎn)品，結(jié)合了M31在矽智財設計領域的深厚積累與高塔半導體在先進制程技術上的卓越能力，實現(xiàn)了性能與功耗的完美平衡。尤為值得一提的是，該系列產(chǎn)品還采用了低功耗Analog FET（類比場效電晶體）設計的電路架構(gòu)，有效滿足了SoC（系統(tǒng)級芯片）對低功耗的嚴格要求，為智能終端、物聯(lián)網(wǎng)設備等領域的應用提供了有力支持。

目前，該設計模組已順利完成客戶端驗證，并獲得廣泛認可。未來，M31與高塔半導體將繼續(xù)深化合作，共同探索半導體技術的無限可能，為全球客戶提供更加優(yōu)質(zhì)、高效的半導體解決方案。