電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）自2023年第三季度開始，存儲產(chǎn)業(yè)逐漸由之前的廠商虧損、大幅減產(chǎn)、需求不振等低迷行情，轉(zhuǎn)變?yōu)椴饺霃?fù)蘇的上行周期。在我們之前跟蹤的2023年第四季度以及2024年第一季度財報中已顯現(xiàn)出這種向好的趨勢。最近，國內(nèi)存儲廠商相繼發(fā)布2024年上半年財報，呈現(xiàn)普遍增長的良好情況，在新產(chǎn)品新市場拓展方面也有不少亮點。



兆易創(chuàng)新

2024年上半年，兆易創(chuàng)新實現(xiàn)營業(yè)收入36.09億元，同比增長21.69%，歸屬于上市公司股東的凈利潤5.17 億元，同比增長53.88%。經(jīng)歷2023年市場需求低迷和庫存逐步去化后，2024 年上半年消費、網(wǎng)通市場出現(xiàn)需求回暖，帶動公司存儲芯片的產(chǎn)品銷量和營收增長。

在汽車市場，公司車規(guī)閃存產(chǎn)品出貨量保持良好增長。車規(guī)MCU產(chǎn)品與多家國內(nèi)、國際頭部Tier 1公司建立和保持深入合作關(guān)系，產(chǎn)品應(yīng)用包括車燈方案、AVAS 方案、無線充電方案、汽車直流無刷電機控制系統(tǒng)、汽車儀表盤等。目前，公司車規(guī)產(chǎn)品方案已被批量應(yīng)用于多家汽車廠商，整體銷售量實現(xiàn)同比大幅增長。在傳感器產(chǎn)品上，上半年實現(xiàn)了出貨量及營收的同比增長。

兆易創(chuàng)新的存儲器產(chǎn)品主要有NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。 公司是全球排名第二的SPI NOR Flash公司，可提供多達13種容量選擇（覆蓋512Kb到2Gb）、4 種不同電壓范圍、20多種產(chǎn)品系列、6款溫度規(guī)格以及 20 多種不同的封裝選項，可滿足客戶在不同應(yīng)用領(lǐng)域多種產(chǎn)品應(yīng)用中對容量、電壓以及封裝形式的需求。

公司 NAND Flash 產(chǎn)品，容量覆蓋 1Gb~8Gb，采用 3V/1.8V 兩種電壓供電，具有高速、高可靠性、低功耗的特點，其中 SPI NAND Flash 在消費電子、工業(yè)、汽車電子等領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)了全品類的產(chǎn)品覆蓋。報告期內(nèi)，公司旗下 1.2V GD25UF 系列 SPI NOR Flash 以 1.2V 低電壓和超低功耗模式，顯著提升小容量電池設(shè)備續(xù)航能力，充分滿足新一代可穿戴設(shè)備在低電壓和超低功耗的需求，并在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關(guān)鍵性能指標方面達到國際領(lǐng)先水平。

公司車規(guī)級 GD25/55 SPI NOR Flash 和 GD5F SPI NAND Flash 產(chǎn)品，實現(xiàn) 2Mb-8Gb全容量覆蓋，并均已通過 AEC-Q100 認證，被車廠和 Tier 1 廣泛認證通過，并運用在如智能座艙、智能駕駛、智能網(wǎng)聯(lián)、新能源電動車大小三電系統(tǒng)等，為車載應(yīng)用的國產(chǎn)化提供豐富多樣的選擇。

公司DRAM 產(chǎn)品包括DDR3L和DDR4兩個品類，DDR3L產(chǎn)品提供市場通用的 1Gb/2Gb/4Gb 容量；DDR4 8Gb 產(chǎn)品已流片成功，并已為客戶提供樣片，以 4Gb/8Gb容量為市場提供廣泛的應(yīng)用選擇。公司 DRAM 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用在網(wǎng)絡(luò)通信、電視、機頂盒、智慧家庭、工業(yè)、車載影音系統(tǒng)等領(lǐng)域。

報告期內(nèi)，兆易創(chuàng)新研發(fā)投入達到 6.37 億元，約占營業(yè)收入 17.65%。公司技術(shù)人員占比約73.38%，碩士及以上學(xué)歷占比約56.38%。

江波龍

2024年上半年，江波龍實現(xiàn)營業(yè)收入90.39 億元，同比增長143.82%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤5.94億元，同比增長199.64%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤5.39億元，同比增長189.14%。

報告期內(nèi)，公司企業(yè)級存儲業(yè)務(wù)規(guī)模增長明顯，企業(yè)級存儲業(yè)務(wù)收入達到2.91億元，同比增長超 2000%。公司自研主控芯片業(yè)務(wù)保持上升趨勢，應(yīng)用量已超過千萬顆。公司小容量存儲芯片業(yè)務(wù)差異化競爭優(yōu)勢進一步凸顯，已經(jīng)構(gòu)建以汽車電子用戶為主體、網(wǎng)通工業(yè)客戶為補充的客戶矩陣，累計出貨量已遠超5000萬顆。

2023 年下半年，公司分別實現(xiàn)了對巴西 Zilia 及元成蘇州的控股收購，目前上述兩項收購的整合工作已經(jīng)基本結(jié)束，生產(chǎn)經(jīng)營有序開展，2024 年上半年均為公司貢獻了正向利潤，為公司構(gòu)建有韌性的國際國內(nèi)雙循環(huán)供應(yīng)鏈體系打下了堅實基礎(chǔ)。

企業(yè)級存儲

企業(yè)級存儲方面，江波龍已經(jīng)推出了多款高速 eSSD產(chǎn)品，覆蓋480GB至3.84TB 的主流容量范圍，支持 1DWPD（每 日整盤寫入次數(shù)）和3DWPD 的高耐用性選項，產(chǎn)品外形涵蓋 2.5 英寸到 M.2 的多種規(guī)格，構(gòu)成了全面的企業(yè)級產(chǎn)品組合。

自主研發(fā)的 PCIe SSD 具備多檔功耗調(diào)節(jié)、無感在線固件升級、多命名空間以及可變 Sector Size 等先進功能，通過支持 Telemetry、Sanitize 和全路徑端到端的數(shù)據(jù)保護特性，提升數(shù)據(jù)存儲的 安全性和可靠性。公司的 PCIe SSD 與SATA SSD 兩大產(chǎn)品系列已成功完成與鯤鵬、海光、龍芯、飛騰、 兆芯、申威多個國產(chǎn) CPU 平臺服務(wù)器的兼容性適配，為在主流平臺上的廣泛應(yīng)用提供了堅實的技術(shù)基礎(chǔ)。

報告期內(nèi)，公司 eSSD 實現(xiàn)從1到N的突破，實現(xiàn)大批量出貨，并持續(xù)開拓多個大型云服務(wù)提供商客戶，為公司業(yè)績提升帶來積極作用。公司作為國內(nèi)少數(shù)具備“eSSD+RDIMM”的產(chǎn)品設(shè)計、組合以及持續(xù)供應(yīng)能力的企業(yè)，能夠有效地滿足市場對于高性能、高可靠性存儲組合解決方案的迫切需求。

自研主控芯片

公司兩款自研主控芯片（WM6000、WM5000）已經(jīng)批量出貨，并已經(jīng)實現(xiàn)了超千萬顆的規(guī)模化產(chǎn)品導(dǎo)入，收到了良好的效果。

WM 6000 系列主控芯片為公司自研eMMC控制器芯片，采用28nm先進工藝，支持eMMC 5.1協(xié)議。該款主控芯片采用自研LDPC算法，支持SRAM 檢錯，顯著提高數(shù)據(jù)存儲可靠性。以128GB容量產(chǎn)品為例，其順序讀寫性能可以達到 345MB/s 和 310MB/s 以上，隨機讀寫速度達到 220MB/s 和 190MB/s 以上，相較市場同類產(chǎn)品均具有明顯優(yōu)勢。WM6000 動態(tài)功耗也呈現(xiàn)出較為優(yōu)秀的性能，做到能效均衡。搭載該系列自研主控芯片的eMMC產(chǎn)品主要應(yīng)用于手機、平板、機頂盒和 PC 等應(yīng)用領(lǐng)域。

WM5000 系列主控芯片為公司自研 SD 存儲卡控制器芯片，采用 28nm先進工藝，支持SD 6.1協(xié)議。該款芯片采用自研 LDPC算法，支持SRAM 檢錯，顯著提高數(shù)據(jù)存儲可靠性。以128GB容量產(chǎn)品為例， UHS-I 接口下其讀速度可達200MB/s 以上，寫速度可達150MB/s 以上。搭載該系列自研主控芯片的公司高性能SD 存儲卡產(chǎn)品主要應(yīng)用于運動相機、全景相機、航拍、IP Camera、行車記錄儀、車載 DVR、狩獵相機、相機、手機、平板電腦等領(lǐng)域。

eMMC和UFS

公司UFS產(chǎn)品均采用自研固件，具備寫入增強、低功耗管理、智能控溫、主機性能提升器功能，產(chǎn)品廣泛應(yīng) 用于智能手機、平板電腦、AR/VR 等領(lǐng)域。

基于目前消費級產(chǎn)品大容量、高性能、低功耗的趨勢，公司在 eMMC 領(lǐng)域繼續(xù)深耕先進技術(shù)，依靠 自研主控、自研固件、自研 LDPC 算法，率先實現(xiàn)了 QLC eMMC 的產(chǎn)品化，其容量達到 1TB 水平，為手機和平板市場提供了更豐富的存儲選擇。隨著端側(cè) AI 技術(shù)的加速落地，公司推出了LPCAMM 2等內(nèi)存新形態(tài)產(chǎn)品，該產(chǎn)品成功打通了 PC 和手機的應(yīng)用場景，在性能、能效和空間利用上均實現(xiàn)了顯著提升，幫助客戶打造更輕薄、長續(xù)航、高性能的設(shè)備，為公司消費級存儲業(yè)務(wù)拓展提供強有力的產(chǎn)品支撐。

自研小容量存儲芯片


公司自研SLC NAND Flash存儲芯片采用工藝 4xnm、2xnm工藝，已有512Mb 至 8Gb的5 款產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)，能夠為客戶提供多種電壓、多種封裝、多種接口的 SLC NAND Flash存儲解決方案。公司自研小容量存儲芯片產(chǎn)品在性能、質(zhì)量上具備競爭優(yōu)勢，在車規(guī)工規(guī)級應(yīng)用領(lǐng)域當(dāng)中，公司自研存儲芯片出貨量快速增長。

公司將以 SLC NAND Flash 作為起點，積累存儲芯片設(shè)計能力與芯片工藝實現(xiàn)經(jīng)驗，逐步解決 MLC NAND Flash在電壓閾值管理、寫入擦除算法及壽命方面的挑戰(zhàn)，漸進式的拓展 MLC NAND Flash 設(shè)計能力，首顆 32Gbit 2D MLC NAND Flash 已經(jīng)完成流片驗證，未來合適時將發(fā)布樣品。

車規(guī)級存儲

在報告期內(nèi)，江波龍在車規(guī)級存儲領(lǐng)域取得了重要進展，車規(guī)級 UFS2.1 產(chǎn)品已在多個汽車客戶端完成驗證并進入量產(chǎn)階段；第二代車規(guī)級 UFS3.1 產(chǎn)品亦已完成產(chǎn)品設(shè)計和驗證，并開始向長期合作的重要汽車客戶送樣驗證。

2024 年上半年公司研發(fā)費用達到4.75 億元，同比增長 92.51%。公司持續(xù)堅定投入研發(fā)，并實施員工股權(quán)激勵計劃，夯實公司的核心競爭力及健全公司長效激勵機制。

恒爍

2024年上半年，恒爍半導(dǎo)體實現(xiàn)營業(yè)收入 17,745.44 萬元，同比增加 17.10%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤-7,435.02 萬元；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤-8,447.15 萬元。2024 年上半年市場競爭激烈，公司為加大出貨量和占據(jù)市場份額，公司主要產(chǎn)品的銷售價格承壓，毛利率相較于去年同期下滑，仍處于較低水平，同時公司基于謹慎性原則，在充分考慮期末存貨的售價和適銷性的基礎(chǔ)上，計提存貨跌價準備，報告期內(nèi)計提存貨跌價準備 5,017.19 萬元，綜合因素導(dǎo)致業(yè)績虧損。

恒爍現(xiàn)有主營產(chǎn)品包括NOR Flash存儲芯片和基于ArmCortex-M0+內(nèi)核架構(gòu)的通用32位MCU芯片。AI業(yè)務(wù)以領(lǐng)先的TinyML 算法軟件開發(fā)能力和出色的硬件融合能力，AI軟件和AI模組硬件已經(jīng)在智能終端產(chǎn)品領(lǐng)域展開銷售，存算一體芯片也在同步進行開發(fā)和設(shè)計。

NOR Flash 存儲芯片領(lǐng)域，在 2024 年上半年5款新產(chǎn)品完成了流片工作，2 款產(chǎn)品已經(jīng)進入送樣階段，另有1款產(chǎn)品進入試產(chǎn)階段。

2024 上半年，公司的NOR Flash產(chǎn)品針對電子煙、智能手表、通訊和電力等終端市場加大推廣力度，實現(xiàn)了在電子煙，智能穿戴等消費類行業(yè)客戶的出貨量同比增長。同時公司加大力度開拓通訊和電力市場，在 Cat1 和 Cat4 模塊應(yīng)用市場出貨量持續(xù)增加，并在行業(yè)建立一定知名度。 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域如機頂盒，電視等應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)加強市場推廣，擴大了客戶基礎(chǔ)，在一些頭部客戶端進入導(dǎo)入流程。另外公司也積極布局和導(dǎo)入 PC 和顯示類客戶，目前產(chǎn)品在客戶端驗證階段， 預(yù)期將為公司帶來了新的業(yè)務(wù)增長。

存算一體 CiNOR 技術(shù)

公司研發(fā)的存算一體 AI 芯片基于 65nm NOR Flash 制程，利用 NOR Flash 的模擬特性，實現(xiàn)芯片內(nèi)完成了 AI 計算的核心任務(wù)——向量矩陣乘法 (VMM)，是邊緣計算方向和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備智能 互聯(lián)的一種新型解決方案。該芯片適合于終端器件及 IoT 領(lǐng)域，即在終端上進行 AI 的推理。公司 CiNOR 芯片是一顆工作在模擬域的存算一體芯片，將傳統(tǒng) NOR flash 的程序讀取過程與 計算進行融合，能夠極大降低 AI 計算的功耗。CiNOR “恒芯 2 號”擴增了 Flash 計算陣列的規(guī)模， 能夠容納更大的 AI 模型；目前該芯片已回片，正在進行相關(guān)測試工作。

基于 SRAM 的數(shù)字存算一體技術(shù)為了讓存算一體技術(shù)應(yīng)用在科學(xué)計算等更廣大的領(lǐng)域，公司與中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)正在共同研發(fā)基于 SRAM 的數(shù)字存算一體技術(shù)。不同于 CiNOR，該技術(shù)為無損計算，應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛。

2024 年上半年公司的研發(fā)投入為 4,029.84 萬元，占營業(yè)收入比例為 22.71%，公司持續(xù)投入研發(fā)有利于鞏固了現(xiàn)有市場地位，也為進入新的增長領(lǐng)域奠定堅實的基礎(chǔ)。

德明利

德明利作為專業(yè)的存儲控制芯片及解決方案提供商，持續(xù)聚焦存儲主業(yè)，加快完善產(chǎn)品、客戶渠道、研發(fā)等各方面布局，積極拓展原有業(yè)務(wù)，不斷打開成長空間。

報告期內(nèi)，公司產(chǎn)品矩陣不斷豐富，推出多款移動存儲、高端固態(tài)硬盤、 嵌入式存儲新品，新增LPDDR、內(nèi)存條產(chǎn)品線；新一代存儲卡主控芯片及固態(tài)硬盤主控芯片均已進入量產(chǎn)階段，模組導(dǎo)入工作進展順利。

報告期內(nèi)，公司實現(xiàn)營業(yè)收入 2,176,088,235.83 元，同比增長幅度為 268.50%，實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的扣除非 經(jīng)常性損益的凈利潤 369,975,680.17 元，同比增長幅度為 536.69%。

公司閃存模組以自研主控芯片為核心，隨著研發(fā)實力不斷增強，公司芯片研發(fā)不斷提速，積極推動兩顆主控量產(chǎn)導(dǎo)入，以及三顆主控芯片的研發(fā)立項。報告期內(nèi)，公司新一代自研 SD6.0 存儲卡主控芯片產(chǎn)品適配工作進展順利，目前已有各類搭載該款主控的存儲卡模組送樣，待客戶驗證通過后即可實現(xiàn)批量導(dǎo)入；公司自研 SATA SSD 主控芯片也已具備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用條件，正在加快產(chǎn)品適配與測試，目前整體工作進展順利。

新一代 SD6.0 存儲卡主控芯片主要基于 40nm 工藝， 提升讀寫性能，基于 multi-voltage 多電源域的低功耗設(shè)計方法，SATA SSD 主控芯片為國內(nèi)率先采用 RISC-V 指令集打造的無緩存高性能控制芯片，支持最新的 ONFI5.0 接口，二者均采用目前業(yè)界領(lǐng)先的 4KLDPC 糾錯技術(shù)，可以靈活適配 3D TLC/QLC 等不同類型的閃存顆粒。隨著研發(fā)團隊的建設(shè)與研發(fā)水平提升，公司于報告期內(nèi)新增立項 PCIe SSD、UFS、eMMC 三顆主控芯片研發(fā)項目，未來將持續(xù)推動研發(fā)工作，加快向功耗、速度、容量、糾錯等性能要求更高領(lǐng)域的研發(fā)創(chuàng)新。

報告期內(nèi)，公司新設(shè)立北京研發(fā)中心與杭州研發(fā)中心，公司研發(fā)人員迅速增長，報告期內(nèi)公司研發(fā)費用為 86,640,606.61 元，同比增加44,912,024.17 元，同比增幅達107.63%。

小結(jié)：

根據(jù)CFM 閃存市場數(shù)據(jù)，2024 年上半年NAND與DRAM整體市場規(guī)模為718 億美元，同比增長88.45%，較去年同期實現(xiàn)了明顯增長。2024 年全球NAND和DRAM總?cè)萘啃枨髮⒎謩e增長20%和15%。隨著智能手機、平板電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通、汽車市場等需求的進一步改善，特別是AI基礎(chǔ)設(shè)施的加速建設(shè)，以存儲原廠HBM新品配合GPU加速迭代為推動力，形成自云到邊到端的AI與存儲的需求，將顯著促進存儲市場的增長。