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晶升股份研發(fā)出可視化8英寸電阻法SiC單晶爐

要長高 ? 2024-10-29 11:13 ? 次閱讀
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10月26日,晶升股份憑借其在碳化硅領域的創(chuàng)新技術引起了市場關注。據(jù)“證券時報”報道,晶升股份已成功研發(fā)出可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐,該設備能將碳化硅晶體的生長過程變得透明化,使得晶體良率得以提升超過20%,并已順利通過客戶端驗證。

晶升股份董秘吳春生介紹,傳統(tǒng)的碳化硅單晶生長過程如同開“盲盒”,因為整個生長過程在一個完全密閉的環(huán)境中進行,只有在打開爐體后才能知曉晶體的生長狀況。這種不可視的生長過程導致工藝開發(fā)周期長、費用高、良率低等問題。而晶升股份的8英寸電阻法碳化硅單晶爐則引入了可視化檢測系統(tǒng),實現(xiàn)了長晶過程的實時觀測。

該單晶爐通過實時觀測晶體的生長速度和粉料演變狀態(tài),可以干預調節(jié)功率、壓力等條件,使晶體生長處于可控狀態(tài)。此外,針對溫度梯度控制的難題,該設備采用了多加熱器布局,每個加熱器都可以單獨控制,從而有效解決了溫度梯度可控性差的問題,提高了晶體生長的品質。同時,晶升股份團隊還通過數(shù)十次的實驗,將最低的長晶功率由30kW~40kW降低到25kW以下,實現(xiàn)了節(jié)能降耗。

晶升股份成立于2012年2月,專注于半導體級單晶硅爐、碳化硅、砷化鎵等半導體材料長晶設備及工藝的研發(fā)與生產(chǎn)。2023年4月,晶升股份正式登陸科創(chuàng)板,并計劃通過IPO募資4.76億元用于總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設項目和半導體晶體生長設備總裝測試廠區(qū)建設項目。

2024年上半年,晶升股份的營收和凈利潤均實現(xiàn)了大幅增長。其中,營收達到1.99億元,同比增長73.76%;凈利潤為0.35億元,同比大幅增長131.99%。此外,晶升股份還宣布實現(xiàn)了8英寸碳化硅長晶設備的批量交付,第一批設備已于2024年7月在重慶完成交付,標志著其8英寸碳化硅長晶設備相關業(yè)務已進入新的發(fā)展階段。

未來,隨著晶升股份在8英寸碳化硅長晶設備領域的不斷深耕和拓展,該業(yè)務將成為公司新的業(yè)績增長點。

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