近日， 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 將參加于2025年1月7日-10日在拉斯維加斯舉辦的2025年國際消費(fèi)電子展覽會(huì)（CES 2025），全面展示在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和移動(dòng)快充取得多項(xiàng)重大突破。近日，納微半導(dǎo)體連續(xù)第三年入榜德勤北美高成長科技企業(yè)500強(qiáng)。

在本次CES上，納微半導(dǎo)體將展示如何用代表清潔能源的下一代功率半導(dǎo)體——氮化鎵和碳化硅來取代傳統(tǒng)硅，踐行Electrify our World的使命。展示的最新技術(shù)專為那些對(duì)效率和功率密度要求極高的高增長市場而設(shè)計(jì)，如AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域。此外，納微還將揭秘氮化鎵和碳化硅技術(shù)如何助力減少碳足跡，實(shí)現(xiàn)到2050年預(yù)計(jì)每年可減少超過60億噸二氧化碳排放的宏偉目標(biāo)。

主要的展品及技術(shù)亮點(diǎn)包括：

全球唯一的650V

GaNFast雙向氮化鎵功率芯片

具有革命性意義的氮化鎵技術(shù)，適用于對(duì)效率和功率密度要求最高、復(fù)雜度最低且能顯著減少元件數(shù)量的下一代解決方案。

全球首款8.5kW

AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

見證全球首個(gè)為AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心打造的8.5kW OCP電源解決方案，其效率達(dá)98%。該方案采用大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs，分別用于三相LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和三相交錯(cuò)CCM TP-PFC結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)最高效率、性能以及最少的元件數(shù)量。

全球功率密度最高的

AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

采用納微大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造，為最新的AI GPUs打造了體積最小的4.5kW電源，滿足搭載最新AI GPUs機(jī)柜增長了3倍的功率需求，可實(shí)現(xiàn)137W/in3的全球最高功率密度以及超過97%的效率。

搭載IntelliWeave專利數(shù)字控制技術(shù)的

AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

采用了高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs的混合設(shè)計(jì)，PFC的峰值效率高達(dá)99.3%，相較現(xiàn)有方案降低30%的功率損耗。

符合AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的

第三代快速碳化硅MOSFETs

憑借著超20年的碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位，GeneSiC推出全球領(lǐng)先的第三代快速碳化硅功率器件，基于納微專有的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)研發(fā)，為實(shí)現(xiàn)最快的開關(guān)速度、最高的效率和功率密度的增進(jìn)進(jìn)行優(yōu)化，為AI數(shù)據(jù)中心提升三倍功率并加速電動(dòng)汽車充電。

集成之巔，易用至極的

GaNSlim氮化鎵功率芯片

全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片，以最高水平的集成度和散熱性能，將進(jìn)一步簡化并加速小型化、高功率密度應(yīng)用的開發(fā)。目標(biāo)應(yīng)用包括移動(dòng)設(shè)備和筆記本電腦充電器、電視電源以及高達(dá)500W的照明系統(tǒng)。

為耐久性和性能而生的

高功率SiCPAK模塊

采用行業(yè)領(lǐng)先的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)和環(huán)氧樹脂灌封，提高功率循環(huán)次數(shù)和持久可靠性，碳化硅封裝模塊外形緊湊，為電動(dòng)汽車充電、驅(qū)動(dòng)器、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）等應(yīng)用提供具有成本效益、高功率密度的解決方案。

領(lǐng)先的GaNFast

和GeneSiC技術(shù)新進(jìn)展

為馬達(dá)驅(qū)動(dòng)打造的GaNSense功率芯片，具備雙向無損電流感測、電壓感測和溫度保護(hù)功能，進(jìn)一步提升性能和穩(wěn)健性，是任何分立氮化鎵或分立硅器件無法企及的水平。

專門針對(duì)電動(dòng)汽車牽引模塊優(yōu)化的GeneSiC MOSFET裸片，經(jīng)過額外篩選和鍍金金屬化處理以用于燒結(jié)。

符合可持續(xù)發(fā)展的解決方案

了解納微半導(dǎo)體的愿景，即通過提供更高效率、密度和電網(wǎng)獨(dú)立性的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)到 2050 年每年減少多達(dá)60億噸二氧化碳排放的宏偉愿景。

本次納微半導(dǎo)體在CES 主會(huì)場不設(shè)展臺(tái)，納微的最新技術(shù)和展品及會(huì)談地點(diǎn)位于：Tech West / Venetian（威尼斯人酒店）的29-335套房。

衷心期待與您在CES上相見，共同探索全電氣化未來的無限可能！

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過300項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請(qǐng)中的專利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。