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國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

楊茜 ? 來(lái)源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-02-24 14:04 ? 次閱讀
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碳化硅行業(yè)觀察:國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析

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近年來(lái),碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng),但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來(lái)多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉,國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司正在加速被市場(chǎng)拋棄:碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司出現(xiàn)倒閉潮,這是是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài),可從以下維度分析這一趨勢(shì):

1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競(jìng)賽:頭部企業(yè)構(gòu)建護(hù)城河

技術(shù)門檻高企:碳化硅晶圓制備、外延生長(zhǎng)和器件設(shè)計(jì)需長(zhǎng)期技術(shù)積累。

產(chǎn)能規(guī)模決定成本:英飛凌通過(guò)奧地利菲拉赫和馬來(lái)西亞居林工廠的8英寸產(chǎn)線升級(jí),顯著降低了單位成本;安森美收購(gòu)GTAT后,基板自給率超50%,進(jìn)一步鞏固供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)。相比之下,設(shè)計(jì)公司因缺乏產(chǎn)能支撐,難以實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì),成本劣勢(shì)凸顯。

2. 垂直整合與IDM模式主導(dǎo)市場(chǎng)

頭部企業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈布局:安森美從Fab-lite轉(zhuǎn)向IDM模式,自建晶圓廠和封測(cè)產(chǎn)線,確保從襯底到模塊的全流程控制。其韓國(guó)富川工廠計(jì)劃2025年轉(zhuǎn)為8英寸廠,目標(biāo)毛利率達(dá)50%。英飛凌雖依賴外部基板供應(yīng),但通過(guò)多元化供應(yīng)商體系保障供應(yīng)鏈穩(wěn)定。

國(guó)產(chǎn)企業(yè)加速追趕:基本半導(dǎo)體通過(guò)股份制改革和產(chǎn)能擴(kuò)建提升競(jìng)爭(zhēng)力,BASiC基本股份自2017年開(kāi)始布局車規(guī)級(jí)SiC碳化硅器件研發(fā)和制造,逐步建立起規(guī)范嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管理體系,將質(zhì)量管理貫穿至設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)到客戶服務(wù)的各業(yè)務(wù)過(guò)程中,保障產(chǎn)品與服務(wù)質(zhì)量。比如BASiC基本股份分別在深圳、無(wú)錫投產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC碳化硅芯片產(chǎn)線(深圳基本半導(dǎo)體)和汽車級(jí)SiC碳化硅功率模塊(無(wú)錫基本半導(dǎo)體)專用產(chǎn)線;比如BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車級(jí)SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個(gè)車型定點(diǎn),BASiC基本股份是國(guó)內(nèi)第一批SiC碳化硅模塊量產(chǎn)上車的頭部企業(yè)。然而,國(guó)際巨頭已占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì),國(guó)產(chǎn)企業(yè)仍需時(shí)間驗(yàn)證車規(guī)級(jí)可靠性。

3. 市場(chǎng)需求分化:車規(guī)級(jí)認(rèn)證成關(guān)鍵淘汰機(jī)制

新能源汽車驅(qū)動(dòng)高門檻:車規(guī)級(jí)SiC器件對(duì)可靠性和壽命要求極高。安森美的EliteSiC系列已進(jìn)入北美頭部車企供應(yīng)鏈;意法半導(dǎo)體特斯拉合作,占全球車用SiC MOSFET市場(chǎng)超30%。碳化硅器件設(shè)計(jì)公司因缺乏車規(guī)認(rèn)證經(jīng)驗(yàn),難以進(jìn)入核心供應(yīng)鏈。

工業(yè)與光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇:英飛凌憑借工業(yè)市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)占據(jù)近50%營(yíng)收,但國(guó)際光伏逆變器等客戶需求波動(dòng)導(dǎo)致其部分產(chǎn)線閑置。

4. 資本密集與行業(yè)整合加速洗牌

融資門檻抬高:2024年碳化硅行業(yè)融資事件減少,缺乏持續(xù)融資能力的碳化硅器件設(shè)計(jì)公司因研發(fā)投入不足,逐步被邊緣化,從去年開(kāi)始出現(xiàn)倒閉潮。

并購(gòu)與IPO成退出路徑:行業(yè)頭部企業(yè)通過(guò)收購(gòu)整合技術(shù)資源,如羅姆收購(gòu)Solar Frontier工廠擴(kuò)大產(chǎn)能;Wolfspeed雖因財(cái)務(wù)壓力面臨挑戰(zhàn),但其8英寸基板技術(shù)仍具吸引力。國(guó)內(nèi)企業(yè)如基本半導(dǎo)體計(jì)劃IPO,行業(yè)集中度進(jìn)一步提升。

5. 國(guó)產(chǎn)替代窗口期收窄,技術(shù)迭代壓力陡增

政策驅(qū)動(dòng)與市場(chǎng)倒逼:中國(guó)“十四五”規(guī)劃將SiC列為戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè),但國(guó)際巨頭已占據(jù)全球72%市場(chǎng)份額(ST、英飛凌、Wolfspeed等)。國(guó)產(chǎn)企業(yè)需在2025年前突破8英寸晶圓技術(shù),否則將錯(cuò)失窗口期。

技術(shù)迭代速度決定生死:BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)的第三代SiC MOSFET性能接近國(guó)際水平,但英飛凌憑借現(xiàn)有技術(shù)仍然有先進(jìn)性,技術(shù)差距仍在存在。而碳化硅器件設(shè)計(jì)公司無(wú)法快速跟進(jìn),正在加速被淘汰。

結(jié)論:淘汰是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

碳化硅功率器件行業(yè)的淘汰潮和倒閉潮源于技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈的三重壁壘。頭部企業(yè)通過(guò)垂直整合、產(chǎn)能擴(kuò)張和技術(shù)迭代構(gòu)建壟斷優(yōu)勢(shì),而碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司受限于資源與經(jīng)驗(yàn),無(wú)法跨越車規(guī)認(rèn)證和規(guī)模經(jīng)濟(jì)門檻。碳化硅功率器件行業(yè)已經(jīng)呈現(xiàn)“強(qiáng)者恒強(qiáng)”格局,僅有少數(shù)具備全產(chǎn)業(yè)鏈能力比如BASiC基本股份或細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破(車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊)的企業(yè)能夠存活。國(guó)產(chǎn)企業(yè)需加速技術(shù)攻堅(jiān)與資本整合,方能在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)一席之地。

審核編輯 黃宇

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