結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象，比如2024已經(jīng)有超過(guò)兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算，僅有碳化硅二極管器件能力的企業(yè)之所以面臨被淘汰的風(fēng)險(xiǎn)，主要源于以下多維度原因：

1. 碳化硅二極管技術(shù)門(mén)檻低導(dǎo)致市場(chǎng)同質(zhì)化與價(jià)格戰(zhàn)

碳化硅二極管（如肖特基二極管）技術(shù)相對(duì)成熟，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，進(jìn)入門(mén)檻較低。國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)涌入這一領(lǐng)域，導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩和激烈的同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)，碳化硅二極管行業(yè)全部陷入虧損。
核心問(wèn)題：二極管技術(shù)迭代空間有限，并且碳化硅二極管市場(chǎng)容量天花板極低，企業(yè)難以通過(guò)差異化競(jìng)爭(zhēng)提升附加值，價(jià)格戰(zhàn)成為唯一生存手段，但長(zhǎng)期不可持續(xù)。

2. 市場(chǎng)需求向高端器件轉(zhuǎn)移

新能源汽車(chē)是碳化硅功率半導(dǎo)體的核心應(yīng)用場(chǎng)景（占市場(chǎng)75%以上），而車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用對(duì)器件性能要求嚴(yán)苛，需通過(guò)長(zhǎng)周期認(rèn)證（2-3年）并具備大規(guī)模量產(chǎn)能力。車(chē)企會(huì)采用集成度更高的碳化硅MOSFET功率模塊，而碳化硅二極管在高附加值產(chǎn)品上沒(méi)有用武之地。例如，安森美、英飛凌等國(guó)際巨頭通過(guò)IDM模式（全產(chǎn)業(yè)鏈整合）推出車(chē)規(guī)級(jí)SiC模塊，而國(guó)內(nèi)僅基本半導(dǎo)體等少數(shù)企業(yè)通過(guò)車(chē)企定點(diǎn)。
技術(shù)差距：隨著電力電子行業(yè)發(fā)展，MOSFET和SiC模塊成為主流選擇，僅做二極管的企業(yè)無(wú)法切入高價(jià)值市場(chǎng)。

3. 成本劣勢(shì)與垂直整合缺失

碳化硅二極管（如肖特基二極管）技術(shù)相對(duì)成熟，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，進(jìn)入門(mén)檻較低。國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)涌入這一領(lǐng)域，導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩和激烈的同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)，碳化硅二極管行業(yè)全部陷入虧損。僅做碳化硅二極管的企業(yè)無(wú)法通過(guò)規(guī)?；蚣夹g(shù)迭代攤薄成本，在價(jià)格戰(zhàn)中處于絕對(duì)劣勢(shì)。

4. 政策與資本驅(qū)動(dòng)的行業(yè)洗牌

行業(yè)融資門(mén)檻抬高，資本更傾向支持具備技術(shù)縱深如車(chē)規(guī)碳化硅MOSFET大芯片和SiC模塊研發(fā)或綁定車(chē)企的企業(yè)。年碳化硅行業(yè)融資事件減少43%，缺乏技術(shù)積累的二極管企業(yè)難以獲得資金支持，部分已進(jìn)入破產(chǎn)清算階段。
生存壓力：地方政府雖支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但更傾向于推動(dòng)并購(gòu)整合，而非持續(xù)輸血虧損企業(yè)。

5. 行業(yè)集中化與頭部效應(yīng)加劇

國(guó)際巨頭（如英飛凌、意法半導(dǎo)體）和國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)比如BASiC基本股份通過(guò)技術(shù)積累和車(chē)企綁定形成護(hù)城河。例如，安森美通過(guò)收購(gòu)GTAT實(shí)現(xiàn)襯底自給，而國(guó)內(nèi)二極管企業(yè)因缺乏技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)品能力，無(wú)法進(jìn)入核心供應(yīng)鏈。
市場(chǎng)規(guī)律：在“強(qiáng)者恒強(qiáng)”的競(jìng)爭(zhēng)邏輯下，僅靠低價(jià)策略的二極管企業(yè)難以抵御頭部企業(yè)的規(guī)模與技術(shù)碾壓。

結(jié)論：SiC碳化硅二極管企業(yè)的淘汰是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然結(jié)果

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷從“低端替代”向“高端突破”的轉(zhuǎn)型。僅有能力生產(chǎn)SiC碳化硅二極管的企業(yè)因技術(shù)單一、成本高企、缺乏生態(tài)協(xié)同，成為行業(yè)出清的首批對(duì)象。未來(lái)，唯有具備全產(chǎn)業(yè)鏈能力、深耕車(chē)規(guī)級(jí)高端器件如車(chē)規(guī)碳化硅MOSFET大尺寸芯片、SiC碳化硅功率模塊的企業(yè)，才能在淘汰賽中幸存并引領(lǐng)國(guó)產(chǎn)替代浪潮。

審核編輯 黃宇