MXD1210非易失RAM控制器技術(shù)手冊
概述
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
數(shù)據(jù)表：*附件：MXD1210非易失RAM控制器技術(shù)手冊.pdf
應(yīng)用
- μP控制系統(tǒng)
- 計算機：臺式機、工作站和服務(wù)器
- 嵌入式系統(tǒng)
特性
- 備用電池
- 存儲器寫保護
- 工作模式靜態(tài)電流：230μA
- 備用模式靜態(tài)電流：2nA
- 電池保鮮密封
- 可選冗余電池
- VCC 電源開關(guān)具有低正向壓降
- 5%或10%電源故障檢測選項
- 在上電期間測試電池狀況
- 采用8引腳SO封裝
引腳配置
非易失性RAM控制器
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