概述

ADRF5519是一款雙通道集成式RF前端多芯片模塊，專為工作頻率為2.3 GHz至2.8 GHz的時(shí)分雙工 (TDD) 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。ADRF5519采用雙通道配置，包含級(jí)聯(lián)兩級(jí)低噪聲放大器 (LNA) 和高功率硅單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)。

在高增益模式下，級(jí)聯(lián)兩級(jí)LNA和開關(guān)提供1.0 dB的低噪聲指數(shù)(NF)和35 dB的高增益（頻率為2.6 GHz）以及32 dBm（典型值）的輸出3階交調(diào)點(diǎn)(OIP3)。在低增益模式下，兩級(jí)LNA的一級(jí)處于旁路狀態(tài)，在36 mA的較低電流下提供14 dB的增益。在關(guān)斷模式下，LNA都會(huì)關(guān)閉且器件功耗為12 mA。

在傳輸操作中，RF輸入連接到終端引腳（ANT-CHA或ANT-CHB分別連接到TERM-CHA或TERM-CHB）。該開關(guān)提供0.5 dB的低插入損耗，并在整個(gè)生命周期內(nèi)處理43 dBm的長期演進(jìn) (LTE) 平均功率（9 dB峰值/平均值比 (PAR)）。

該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型6 mm × 6 mm 40引腳LFCSP封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5519雙通道，2.3GHz至2.8GHz，20W接收器前端技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 無線基礎(chǔ)設(shè)施
• TDD大規(guī)模多路輸入和多路輸出以及有源天線系統(tǒng)
• 基于TDD的通信系統(tǒng)
  特性
• • 集成式雙通道 RF 前端
  • 2 級(jí) LNA 和高功率硅 SPDT 交換芯片
  • 片內(nèi)偏置和匹配
  • 單電源供電
• TCASE = 105°C 時(shí)具有高功率處理能力
• LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整個(gè)生命周期：43 dBm
• 增益
• 高增益模式：2.6 GHz 時(shí)為 35 dB（典型值）
• 低增益模式：2.6 GHz 時(shí)為 14 dB（典型值）
• 低噪聲指數(shù)
• 高增益模式：2.6 GHz 時(shí)為 1.0 dB（典型值）
• 低增益模式：2.6 GHz 時(shí)為 1.0 dB（典型值）
• 高隔離
  • RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
  • TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）
• 低插入損耗：2.6 GHz 時(shí)為 0.5 dB（典型值）
• 高 OIP3：32 dBm（典型值）
• 關(guān)斷模式和低增益模式
• 低電源電流
• 高增益模式：5 V 時(shí)為 110 mA（典型值）
• 低增益模式：5 V 時(shí)為 36 mA（典型值）
• 關(guān)斷模式：5 V 時(shí)為 12 mA（典型值）
• 正邏輯控制
• 6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝
• 引腳與 [ADRF5545A]和 [ADRF5549]10 W 版本兼容

框圖

引腳配置

ADRF5519可用于1.9 GHz的應(yīng)用，調(diào)諧范圍為1.7 GHz至2.1 GHz，額定功率比表1降低3 dB。表9顯示了ADRF5519-EVAi 7在1.9 GHz下的典型特性。
表8列出了所需的匹配元件。默認(rèn)情況下，ADRF5519-EVALZ組裝發(fā)貨時(shí)沒有任何匹配元件。ADRF5519-EVALZ可以利用一個(gè)串聯(lián)RF走線和一個(gè)并聯(lián)電容針對(duì)1.9 GHz應(yīng)用進(jìn)行調(diào)諧，如表8所示。

接收模式和發(fā)射模式下的仿真調(diào)諧性能如圖27和圖28所示。