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LM74930-Q1 具有斷路器和過壓保護功能的汽車類 3V 至 65V 浪涌抑制器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-07 10:10 ? 次閱讀
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LM74930-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬理想二極管整流器和具有過流和過壓保護功能的電源路徑開和關控制。4V 至 65V 的寬輸入電源可保護和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。集成的高壓側(cè)柵極控制 (HGATE) 驅(qū)動電源路徑中的第一個 MOSFET。該器件允許使用 HGATE 控制在發(fā)生過流、過壓和欠壓事件時進行負載斷開(ON 和 OFF 控制),同時理想二極管控制器 (DGATE) 驅(qū)動第二個 MOSFET 以取代肖特基二極管,通過阻止從輸出到輸入的反向電流來替代肖特基二極管,以實現(xiàn)輸入反極性保護和輸出電壓保持。該器件集成了電流感應放大器,可提供可調(diào)節(jié)的過流和短路保護,并具有斷路器功能。該器件具有可調(diào)節(jié)的過壓和欠壓保護功能,可防止電源瞬變。LM74930-Q1 具有 MODE 引腳,可用于選擇性地啟用或禁用反向電流阻斷功能。
*附件:lm74930-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應用
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 4V 至 65V 輸入范圍
  • 低至 –65 V 的反向輸入保護
  • 在共源配置中驅(qū)動外部背靠背 N 溝道 MOSFET
  • 具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)的理想二極管作
  • 低反向檢測閾值 (–10.5 mV),具有快速 DGATE 關斷響應 (0.5 μs)
  • 18mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
  • 可調(diào)過流和短路保護
  • 精度為 10% 的模擬電流監(jiān)視器輸出 (IMON)
  • 可調(diào)的過壓和欠壓保護
  • 2.5μA 的低關斷電流 (EN=Low)
  • MODE 引腳允許雙向電流流動 (MODE=Low)
  • 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
  • 采用節(jié)省空間的 24 引腳 VQFN 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

LM74930-Q1是一款專為汽車電子應用設計的理想二極管浪涌抑制器,集成了電路斷路器、過電壓保護及故障輸出功能。該器件符合AEC-Q100標準,適用于12V/24V汽車電子系統(tǒng),提供反向輸入保護、過電流與過電壓保護以及雙向電流流動控制。

2. 關鍵特性

  • ?AEC-Q100認證?:適用于汽車電子應用。
  • ?寬輸入范圍?:4V至65V,反向輸入保護低至-65V。
  • ?理想二極管操作?:正向電壓降調(diào)節(jié)至10.5mV。
  • ?低反向檢測閾值?:-10.5mV,快速DGATE關斷響應(0.5μs)。
  • ?可調(diào)過電流與短路保護?。
  • ?可調(diào)過電壓與欠電壓保護?。
  • ?低關斷電流?:2.5μA(EN=Low)。
  • ?MODE引腳?:允許雙向電流流動(MODE=Low)。
  • ?空間節(jié)省的24引腳VQFN封裝?。

3. 功能描述

  • ?雙柵極控制?:DGATE和HGATE分別控制理想二極管和負載斷開開關。
  • ?電荷泵?:為外部N溝道MOSFET提供必要的柵極驅(qū)動電壓。
  • ?過電流保護?:包括具有自動重試功能的電路斷路器保護和閂鎖關斷功能。
  • ?短路保護?:快速響應輸出短路事件。
  • ?模擬電流監(jiān)控輸出?:提供10%精度的電流監(jiān)控。
  • ?過電壓與欠電壓保護?:通過可編程閾值實現(xiàn)。
  • ?反向電流阻斷功能?:可通過MODE引腳啟用或禁用。

4. 應用領域

  • ?12V/24V汽車電子反向電池保護?。
  • ?工業(yè)運輸?。
  • ?冗余電源ORing?。

5. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:24引腳VQFN。
  • ?尺寸?:4.0mm × 4.0mm。

6. 電氣特性

  • ?工作結溫范圍?:-40°C至+125°C。
  • ?總系統(tǒng)靜態(tài)電流?:典型值665μA至780μA(V(EN/UVLO) = 2V)。
  • ?DGATE峰值柵極源電流?:18.5mA。
  • ?HGATE峰值柵極漏電流?:180mA。

7. 開關特性

  • ?DGATE關斷延遲?:典型值0.5μs(反向電壓檢測期間)。
  • ?DGATE開啟延遲?:典型值2μs至3.8μs(正向電壓檢測期間)。
  • ?過電流保護關斷延遲?:取決于TMR引腳連接的電容值。

8. 典型應用電路

文檔提供了200V無抑制負載轉(zhuǎn)儲保護應用的典型應用電路,包括關鍵組件的選型建議和詳細設計步驟。

9. 布局指南

  • ?最小化寄生電感?:通過短而寬的走線連接關鍵引腳。
  • ?熱管理?:確保散熱路徑暢通無阻。
  • ?瞬態(tài)保護?:在輸入和輸出端添加適當?shù)乃矐B(tài)抑制組件。

10. 文檔與支持

  • ?數(shù)據(jù)手冊?:提供詳細的電氣特性、開關特性和應用信息。
  • ?應用指南?:包括最佳設計實踐和布局建議。
  • ?TI E2E?支持論壇?:提供設計幫助和快速驗證答案。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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