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      瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（2）

      瑞能半導(dǎo)體 ? 來(lái)源：瑞能半導(dǎo)體 ? 2025-05-22 13:59 ? 次閱讀
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      瑞能G3 超結(jié)MOSFET

      Analyzation

      瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足

      可靠性表現(xiàn)

      a288fbf6-3623-11f0-afc8-92fbcf53809c.png

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      可靠性保障

      ?瑞能嚴(yán)謹(jǐn)執(zhí)行三批次可靠性測(cè)試，確保產(chǎn)品品質(zhì)。

      ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET 在可靠性檢驗(yàn)中，不僅展現(xiàn)出樣本間的高度一致性，更實(shí)現(xiàn)了零老化問(wèn)題。

      ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET 展現(xiàn)出卓越的抗靜電(ESD)能力。

      升溫表現(xiàn)

      測(cè)試環(huán)境

      測(cè)試平臺(tái):

      1200W服務(wù)器電源

      輸入:

      220VAC, 50HZ

      工作頻率：

      62KHZ

      a2f2f8f8-3623-11f0-afc8-92fbcf53809c.png

      器件溫升曲線對(duì)比

      a30b53c6-3623-11f0-afc8-92fbcf53809c.png

      器件溫升@100%負(fù)載

      WSJ3M65R065D的溫升明顯低于競(jìng)品。

      效率表現(xiàn)

      a31c6030-3623-11f0-afc8-92fbcf53809c.png

      測(cè)試平臺(tái)：1200W服務(wù)器電源

      輸入電壓：220VAC，50HZ

      工作頻率：62KHZ

      測(cè)量結(jié)果

      采用WSJ3M65R065D系統(tǒng)整體效率比采用 Competitor A或Competitor B提升了約0.1%。

      Solution

      瑞能在服務(wù)器電源中的解決方案

      a347c9dc-3623-11f0-afc8-92fbcf53809c.png

      瑞能方案

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      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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      • 瑞能半導(dǎo)體
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      原文標(biāo)題：瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET（下）：數(shù)據(jù)中心能效的“六邊形戰(zhàn)士”

      文章出處：【微信號(hào)：weensemi，微信公眾號(hào)：瑞能半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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        發(fā)表于 02-19 09:35

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        發(fā)表于 05-15 17:09

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        發(fā)表于 07-27 07:58

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        發(fā)表于 02-28 17:13

        什么是第三代半導(dǎo)體？第三代半導(dǎo)體受市場(chǎng)關(guān)注

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        發(fā)表于 09-21 11:57 ?4472次閱讀

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        的頭像 發(fā)表于 09-29 14:16 ?6326次閱讀

        第三代半導(dǎo)體的發(fā)展研究

        據(jù)了解，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入十四五規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)
        的頭像 發(fā)表于 11-04 15:12 ?5431次閱讀

        瑞能半導(dǎo)體關(guān)于第三代半導(dǎo)體的發(fā)展思量

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        的頭像 發(fā)表于 11-09 17:22 ?4480次閱讀

        什么是第三代半導(dǎo)體？一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？

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        的頭像 發(fā)表于 11-29 10:48 ?9.3w次閱讀

        什么是第三代半導(dǎo)體？哪些行業(yè)“渴望”第三代半導(dǎo)體？

        招商引資名單中。 問(wèn)題來(lái)了：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進(jìn)入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對(duì)于IGBT、MOSFET和超級(jí)結(jié)
        的頭像 發(fā)表于 12-08 17:28 ?1.4w次閱讀

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        的頭像 發(fā)表于 10-30 11:24 ?2801次閱讀

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        的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?1267次閱讀

        瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）

        隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的
        的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?576次閱讀
        <b class='flag-5'>瑞</b><b class='flag-5'>能</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>（1）

        第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

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        的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1634次閱讀

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        基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺(tái)架
        的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?387次閱讀
        基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度<b class='flag-5'>解析</b>：<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>與應(yīng)用