應(yīng)對長生命周期所面臨的供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)

存儲器在半導(dǎo)體技術(shù)探討中一直是備受關(guān)注的焦點。這些器件不僅推動了下一代半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，還實現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用。然而，快速發(fā)展和多樣化的特性可能對長生命周期應(yīng)用構(gòu)成挑戰(zhàn)。

存儲器種類繁多，包括易失性存儲器（如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM）和非易失性存儲器（如閃存）。不同應(yīng)用需求決定了器件類型的選擇，其中容量、功耗、封裝形式及成本是影響供應(yīng)商開發(fā)和設(shè)計師選型的關(guān)鍵因素。存儲器市場高度動態(tài)化，主流存儲器類型通常受益于多源供應(yīng)。行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)在于前沿應(yīng)用驅(qū)動下的快速迭代?；谑袌鲂枨蠛褪找婵剂浚?yīng)商不斷將產(chǎn)品線向更新的技術(shù)遷移，并逐步淘汰較舊的產(chǎn)品。

對于擁有長生命周期應(yīng)用的客戶而言，則無法從存儲器產(chǎn)品的多樣性中受益。像羅徹斯特電子這樣的供應(yīng)商專注于傳統(tǒng)存儲器市場，致力于為客戶提供長期可靠的供貨保障。

自成立以來，羅徹斯特電子通過與供應(yīng)商建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系以及自身強(qiáng)大的制造能力，能夠提供豐富的存儲器產(chǎn)品支持。產(chǎn)品庫存覆蓋了從早期的OTP-PROM、5V閃存和標(biāo)準(zhǔn)DRAM（在DDR問世之前），到最新的DDR4 DRAM和e.MMC閃存等眾多選擇。在供應(yīng)商選擇方面，可以追溯至AMD和英特爾內(nèi)存部門的早期產(chǎn)品。許多產(chǎn)品至今仍可通過羅徹斯特電子基于原始制造商晶圓的授權(quán)制造繼續(xù)供應(yīng)。此外，我們還與Infineon、ISSI、Microchip、SkyHigh Memory和Intelligent Memory等存儲器供應(yīng)商保持緊密合作，確保了庫存能夠滿足仍然需要傳統(tǒng)內(nèi)存支持的客戶需求。所銷售的產(chǎn)品均來自原廠，可追溯，有認(rèn)證，有保障。