第十屆上海 FD-SOI 論壇2025年9月15日下午的專題二環(huán)節(jié)，繼續(xù)聚焦 FD-SOI 的設計實現(xiàn)，來自多家全球半導體領導公司的專家、國內(nèi)大學學者和企業(yè)代表繼續(xù)分享了在 FD-SOI 設計領域的最新成果與實踐經(jīng)驗。電子發(fā)燒友網(wǎng)記者在現(xiàn)場帶業(yè)新鮮一手的報道。

從背景中的GlobalFoundries的LOGO，也在傳遞著MIPS被其正式完成收購的信息。 MIPS首席執(zhí)行官 Sameer Wasson在論壇上帶來《Chatbot to robot: AI from the datacenter to the edge》的演講，描述了人工智能從自然語言大模型AI從數(shù)據(jù)中心走向邊緣AI，即AI走向物理AI的落地技術前景。

Sameer Wasson認為，下一代的物理AI的時代即將到來，AI要從云端進入到邊緣設備。

他也分享了第8代的MISP RISC-V 處理器IP產(chǎn)品系列。在演講中也探討了將數(shù)據(jù)中心 AI 引入邊緣設備和終端設備的發(fā)展趨勢與挑戰(zhàn)，并分析了 FD-SOI 技術在超低功耗平臺上的優(yōu)勢如何應對部分挑戰(zhàn)，為 AI 在邊緣設備的落地提供了技術思路。

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上面PPT中是MIPS ForgeSTAC 參考平臺。

下面表格也披露了MIPS 的22納米 MCU的平臺，以及12納米 AI平臺的對比。

MIPS 在不同技術節(jié)點（22nm vs 12nm）上提供的兩種差異化參考平臺，分別服務于實時控制和智能連接/AI兩大市場方向。

清華大學電子工程系教授陳文華發(fā)表《基于 22nm FD-SOI CMOS 的毫米波與太赫茲電路設計》演講。陳教授在演講介紹了22-nm FD-SOI CMOS 技術在毫米波（mm-Wave）與太赫茲（THz）相控陣系統(tǒng)中的應用。

陳文華教授是國家杰出青年基金獲得者，擔任北京信息科學與技術國家研究中心副主任等職務，承擔多項國家重大項目，發(fā)表學術論文 200 余篇，曾獲多項科技獎項。在演講中他介紹了其課題組圍繞 22nm FD-SOI CMOS 工藝開展的毫米波與太赫茲集成電路研究，包括相移器、功率放大器與信號源等關鍵器件的設計成果，如基于互補增益控制的寬帶矢量調(diào)制移相器、23-29GHz 三管堆疊式 PA 以及 127-162GHz 六倍頻器等，充分展現(xiàn)了 FD-SOI 在毫米波與太赫茲電路設計中的優(yōu)勢與潛力。

陳文華教授分享總結指出，毫米波（mm-Wave）和太赫茲（THz）技術正推動相控陣系統(tǒng)向更高頻率、超大規(guī)模、多波束、寬帶以及完全集成的低成本解決方案發(fā)展；FD-SOI CMOS 具有高 fT/fMAX、低失配、更好的噪聲性能以及靈活的背柵控制，使其在毫米波/太赫茲應用中優(yōu)于體硅 CMOS；已采用 GF 22 納米 FD-SOI 工藝設計了用于相控陣系統(tǒng)的電路。

芯原股份執(zhí)行副總裁、定制芯片平臺事業(yè)部總經(jīng)理汪志偉分享《基于 FD-SOI 的 IP 和芯片設計平臺》，詳細介紹了芯原基于 FD-SOI 的 IP 和芯片設計平臺，展現(xiàn)了芯原在 FD-SOI 設計領域的技術實力與服務能力。

芯原的混合信號IP

芯原在IOT應用中的RF IP

芯原22納米的FD-SOI RF IP，可以看出應用非常地廣泛。

相關的IP產(chǎn)品非常豐富，詳細的IP見上面四張PPT截圖，更多詳細IP和技術細節(jié)就不作全部的截圖分享了。

CEA-Leti 硅組件部門副主管 Martin Gallezot 帶來《邁向 10nm 以下 FD-SOI 技術》演講。 CEA-Leti 中文全名是法國原子能委員會電子與信息技術研究所。自1967年以來，法國原子能委員會電子與信息技術研究所（CEA-Leti）便一直是微納米技術領域創(chuàng)新開拓的先鋒。該研究所隸屬于CEA，后者是科睿唯安評選的全球百強創(chuàng)新機構之一。CEA-Leti的“從實驗室到工廠”模式旨在為創(chuàng)新全生命周期中的企業(yè)提供支持。從初創(chuàng)企業(yè)到全球大型企業(yè)，各類規(guī)模的企業(yè)都在其研發(fā)旅程的不同階段——從概念驗證到新解決方案的規(guī)模化量產(chǎn)——與CEA-Leti建立了長期合作關系。CEA-Leti憑借其在微納米技術領域享譽國際的專業(yè)能力，推動開發(fā)應對低碳能源、數(shù)字化、健康、國防與安全等社會緊迫挑戰(zhàn)的新解決方案。將所開發(fā)的技術向企業(yè)轉移，是CEA-Leti使命中不可或缺的組成部分。

Martin Gallezot 在演講中回顧了 CEA-Leti 10nm FD-SOI 研發(fā)平臺的當前開發(fā)進展，概述了面臨的挑戰(zhàn)與取得的成果，并展望了 10nm 以下 FD-SOI 技術的發(fā)展前景。

目前FD-SOI產(chǎn)業(yè)已經(jīng)可以成功實現(xiàn)從28納米到12納米的工藝。

Martin Gallezot公布了LETI的10納米及以下的技術路標。

以及不同平臺的詳細的技術節(jié)點和未來實現(xiàn)的時間節(jié)點。以目前的規(guī)劃看，10納米工藝會在2028年中實現(xiàn)。CEA-Leti 硅組件部門副主管 Martin Gallezot也闡述了開發(fā) 10 納米工藝節(jié)點面臨四大主要挑戰(zhàn)：射頻（RF）性能的提升、增強的背偏置效應、高電壓器件、適用于片上系統(tǒng)（SoC）應用的嵌入式非易失性存儲器（eNVM）。“接下來更重要的事是開始規(guī)劃7納米的工藝了。”Martin Gallezot在最后表示。

來自于荷蘭的Soitec執(zhí)行副總裁 René Jonker 也在現(xiàn)場給大家作了個簡單開場，接下來就把話筒交給了Soitec高級業(yè)務發(fā)展經(jīng)理James Zhang，以便現(xiàn)場中國觀眾可以聽懂演講技術的細節(jié)。

James Zhang指出，Soitec是FD-SOI最主要的材料供應商。之前大部分的AI都是在云端，延時會很高，現(xiàn)在推理大部分放在了邊緣端，以實現(xiàn)即時的AI能力，滿足低延時、低功耗的要求.。

James Zhang通過 NXP、ST、Ericsson、Nordic的FD-SOI的量產(chǎn)芯片案例詳細介紹了在低功耗低延時的優(yōu)勢。他進一步指出，今年是AI的元年，AI 正重塑各行各業(yè)，而 FD-SOI 憑借動態(tài)體偏置技術、超低漏電特性和強大可靠性，成為人工智能應用的理想選擇，能夠為智能邊緣設備、智能傳感器、汽車平臺等提供高效解決方案。同時，作為工程襯底領域的全球領導者，Soitec 將通過先進材料創(chuàng)新優(yōu)化 FD-SOI，助力 AI 時代發(fā)展。

下午時段演講的最后一個環(huán)節(jié)是由Dolphin Semiconductor 亞洲區(qū)銷售總監(jiān) Ying Zhao 分享《面向可聽設備與可穿戴設備的新一代基于 GF 22FDX + 工藝的 IP 核》。

Dolphin Semiconductor是一家超過40年歷史的提供半導體IP解決方案的企業(yè)，致力于混合信號IP設計，主要面向工業(yè)、高性能計算、個人電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等市場。Ying Zhao 在演講中介紹了公司針對可聽設備與可穿戴設備推出的基于 GF 22FDX + 工藝的新一代 IP 核，展現(xiàn)了 FD-SOI 技術在消費電子領域的創(chuàng)新應用。

在超低功耗的可穿戴聽覺的應用中，例如TWS、智能麥克風、助聽器OTC設備，就需要更低功耗、低延時的處理器。

Dolphin Semiconductor的GF22FDX+的新一代IP，

框圖架構及突出的性能優(yōu)勢

在TWS和OWS上的數(shù)據(jù)表現(xiàn)。據(jù)說產(chǎn)品終端客戶的產(chǎn)品開始量產(chǎn)了。

從上圖中與現(xiàn)有標準工藝對比看出來，在22FDX+的工藝上，TWS、OWS耳機等終端產(chǎn)品上，有的甚至實現(xiàn)了最高20倍的續(xù)航延長！很快就將面市的新一代的創(chuàng)新產(chǎn)品，將實現(xiàn)更長的驚人的續(xù)航時間。

圓桌討論：FD-SOI的設計實現(xiàn)

論壇下午分享環(huán)節(jié)最終還是進入到了讓人激動的第二次的圓桌討論環(huán)節(jié)。雖然堅持了艱苦的一天的知識大腦爆，芯原股份創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士仍然堅持親自上臺主持。參與討論的嘉賓包括清華大學電子工程系教授陳文華、芯原股份執(zhí)行副總裁汪志偉、Soitec 高級業(yè)務發(fā)展經(jīng)理 James Zhang 以及 Dolphin Semiconductor 亞洲區(qū)銷售總監(jiān) Ying Zhao。

圓桌的各位嘉賓圍繞 FD-SOI 的設計實現(xiàn)展開深入交流，結合實際案例分享了在 FD-SOI 設計過程中的獨特技術例如靜態(tài)體偏置（Static Body-Bias,SBB) 、自適應偏置（Adaptive Body-Bias ,ABB) 和動態(tài)體偏置(Dynamic Body-Bias，DBB)技術，以及相關的設計經(jīng)驗等，如對AI推理要求極高的新一代智能攝像頭（CIS+AI）的應用，共同探討了設計領域面臨的難點及解決方案，為現(xiàn)場觀眾提供了寶貴的實踐參考（進一步把現(xiàn)場觀眾的燒腦推向了極限）。

圓桌現(xiàn)場投票1：FD-SOI在毫米波和太赫茲電路設計中最關鍵的優(yōu)勢，前兩項排名分別是低寄生效應和卓越的射頻線性度。

寫在最后

第十屆上海 FD-SOI 論壇的成功舉辦，不僅為全球 FD-SOI 領域的專家學者和企業(yè)代表提供了一個高質(zhì)量的交流平臺，更是進一步推動了 FD-SOI 技術的創(chuàng)新發(fā)展與產(chǎn)業(yè)應用。相信在各方的共同努力下，FD-SOI 技術將在更多的邊緣AI、AIOT、汽車電子、可穿戴等新興應用領域綻放光彩，為半導體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新動力。(完）