30 mm,塞不進(jìn)導(dǎo)軌殼; ? ? 采用同步整流雖效率高,但成本立刻+3元; ? ? 變壓器參數(shù)各家保密,工程師反復(fù)試?yán)@、燙手又燙心。 芯茂微LP3799F系列(FAC/FBC僅封裝差異,內(nèi)核同源)給出了一條“PQ2620+二次側(cè)肖特基”的另類路線: “反激、非連續(xù)、谷底導(dǎo)通、125 kHz”四板斧,把24 V×2.5 A=60 W功率硬生生壓進(jìn)PQ2620磁芯,成品尺寸42 mm×28 mm×22 mm,自然冷卻,成本 芯片速覽——LP" />

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LP3799FAC/LP3799FBC 24V2.5A非標(biāo)方案(原理圖及變壓器器資料)

許亦顏 ? 來(lái)源:許亦顏 ? 作者:許亦顏 ? 2025-09-29 15:38 ? 次閱讀
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在24 V中小功率段,市面主流方案常被“大體積+高BOM”困擾:

用PQ3230,高度>30 mm,塞不進(jìn)導(dǎo)軌殼;
采用同步整流雖效率高,但成本立刻+3元;
變壓器參數(shù)各家保密,工程師反復(fù)試?yán)@、燙手又燙心。

芯茂微LP3799F系列(FAC/FBC僅封裝差異,內(nèi)核同源)給出了一條“PQ2620+二次側(cè)肖特基”的另類路線:


“反激、非連續(xù)、谷底導(dǎo)通、125 kHz”四板斧,把24 V×2.5 A=60 W功率硬生生壓進(jìn)PQ2620磁芯,成品尺寸42 mm×28 mm×22 mm,自然冷卻,成本<15 RMB(不含殼)。本文把官方只給圖片的“非標(biāo)原理圖+變壓器手工繞單”一次性公開(kāi),并給出可復(fù)制的PCB布局、EMI調(diào)試與安規(guī)要點(diǎn),供廣大電源同行“抄作業(yè)”。

wKgZPGjaN3uADWP_AAFuuklDGfE695.jpg

芯片速覽——LP3799Fxx到底強(qiáng)在哪?


內(nèi)置800 V/2 Ω超結(jié)MOS,無(wú)需外置散熱片即可60 W;
自供電專利,取消輔助繞組,變壓器腳位直接省2 Pin;
頻率折返+谷底鎖定,230 VAC滿載效率>88 %,待機(jī)<75 mW;
磁芯接地腳位可編程,EMI“熱點(diǎn)”自動(dòng)移位,余量>6 dB;
OTP、OLP、OVP、短路自恢復(fù)全打包,過(guò)安規(guī)IEC/UL62368一步到位。

原理圖

wKgZO2jaN3uAJIH4AAEbC_8Gx4Q481.png

PQ2620變壓器——“手工也能繞出量產(chǎn)一致性”



電氣目標(biāo)


電感量LP 600 μH ±5 %,漏感<30 μH(5 %),氣隙0.15 mm(PC40材質(zhì),研磨中間柱)

腳位定義(立式6+6,底視逆時(shí)針)


1-NC,2-N1始,3-N1末/N6始,4-N2始,5-N2末/N5始/磁芯接地,6-N6末,8-N3末,12-N3始
→ 注意:5腳為“磁芯+次級(jí)公共地”,與PCB銅皮大面積相連,一舉解決EMI與ESD

繞制順序(先里后外,單點(diǎn)接地)


N1:φ0.45 mm×1,36 T,密繞2層,2→3,3層高溫膠帶
N2:φ0.2 mm×3,7 T,密繞整層,4→5,3層膠帶
N3:φ0.65 mm三層絕緣線,10 T,密繞整層,12→8,3層膠帶(安規(guī)“雙重絕緣”)
N5:φ0.2 mm×2,12 T,5→NC,屏蔽層,單端浮空,降低共模
N6:φ0.4 mm×1,14 T,3→6,補(bǔ)償繞組,輔助芯片自供電(官方取消,但預(yù)留更穩(wěn))

wKgZPGjaN3uANpo4AACVwY82lQQ258.jpg

工藝要點(diǎn)


起繞腳加鐵氟龍?zhí)坠?,杜絕“錫尖”刺破膠帶
每層膠帶≥3層,重疊>50 %,過(guò)1.5 kVac耐壓
繞完真空含浸,防止音頻噪聲
成品測(cè)試:1 kHz/0.3 V下LP 600 μH ±5 %,漏感<30 μH,Q>60

PCB布局“六脈神劍”


wKgZO2jaN3uAHucoAAJqD7kDKHw721.png


功率環(huán)最小化


直流母線→變壓器→MOS→RCS→母線地,環(huán)路面積<1 cm2,差模輻射下降6 dB

芯片“靜地”單點(diǎn)


芯片GND腳→RCS下地→EC1負(fù)→母線地,星型連接,杜絕共阻彈跳

采樣走線差分


R19/R20分壓地單獨(dú)回芯片GND腳,遠(yuǎn)離SW節(jié)點(diǎn),誤差<±1 %

輸出電容“三明治”


肖特基陰極→CE4/5→變壓器次級(jí)地,銅皮上下夾芯,降低ESL

散熱銅箔


頂層MOS漏極銅箔>200 mm2,反面開(kāi)窗打散熱過(guò)孔,60 W溫升<45 K

EMI“可移動(dòng)天線


磁芯5腳銅皮預(yù)留RC Snubber(100 Ω/1 nF),暗室不過(guò)時(shí)直接補(bǔ)焊,無(wú)需割線

實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)(230 VAC/50 Hz,25 ℃自然冷卻)

負(fù)載 VOUT IO Pin η Vripple 殼溫
100 % 24.2 V 2.50 A 68.2 W 88.7 % 120 mV 65 ℃
75 % 24.2 V 1.88 A 51.6 W 88.1 % 100 mV 58 ℃
50 % 24.2 V 1.25 A 35.1 W 86.3 % 85 mV 52 ℃
25 % 24.2 V 0.63 A 18.9 W 80.7 % 70 mV 45 ℃
0 % 24.2 V 0 A 0.07 W 40 mV 35 ℃


待機(jī)功耗70 mW,滿足CoC Tier 2
傳導(dǎo)EMI:QP值余量>8 dB@500 kHz,無(wú)共模電感即可過(guò)Class B
浪涌:±2 kV差模/±4 kV共模,輸出無(wú)復(fù)位
短路:自恢復(fù),打嗝模式,MOS尖峰<650 V(800 V耐壓余量23 %)

應(yīng)用彩蛋

把 R13 換成 20k 多圈電位器,即可 18-28V 無(wú)級(jí)可調(diào),小功率電機(jī)LED 恒流統(tǒng)統(tǒng)搞定。

若只做 12V,可把 N3 改為 5T,VCC 繞組相應(yīng)調(diào)整,整機(jī)成本再降 10%。

需要 48V?把 N3 改為 20T,D1 換 UF206,EC4 換 1000μF/63V,輕松 48V/1A。


結(jié)語(yǔ)


LP3799FAC/LP3799FBC 這顆“老炮兒”芯片,只要變壓器繞得溜,就能從 18W 干到 60W。本文把原理圖、PCB、變壓器繞制數(shù)據(jù)、全套實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)全部開(kāi)源,歡迎直接打樣。

審核編輯 黃宇

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