??對(duì)于STM32用戶(hù)，經(jīng)常會(huì)涉及到通過(guò)用戶(hù)啟動(dòng)程序?qū)崿F(xiàn)對(duì)用戶(hù)應(yīng)用程序的更新升級(jí)。一般來(lái)講，用戶(hù)啟動(dòng)程序主要用來(lái)跟外界通信，獲取新的用戶(hù)程序代碼并實(shí)現(xiàn)對(duì)用戶(hù)代碼區(qū)的應(yīng)用程序升級(jí)。用戶(hù)應(yīng)用程序是指實(shí)現(xiàn)各種用戶(hù)功能的代碼。在這個(gè)過(guò)程中，往往需要做從用戶(hù)引導(dǎo)程序區(qū)到用戶(hù)應(yīng)用程序區(qū)的跳轉(zhuǎn)，有時(shí)可能還需實(shí)現(xiàn)從用戶(hù)應(yīng)用程序區(qū)跳回到用戶(hù)啟動(dòng)程序區(qū)，或者不同用戶(hù)程序區(qū)的互相跳轉(zhuǎn)等操作。在這些跳轉(zhuǎn)過(guò)程中，往往有人在此遇到阻礙，破費(fèi)周折，尤其是在使用基于cortex M0內(nèi)核的STM32F0做IAP應(yīng)用時(shí)，這個(gè)過(guò)程跟其它基于CORTEX M3/M4/M7內(nèi)核的STM32系列相比，操作上不太一樣，實(shí)現(xiàn)起來(lái)稍微復(fù)雜些。

這里就STM32F0芯片內(nèi)不同程序區(qū)的跳轉(zhuǎn)問(wèn)題做些交流與介紹，限于篇幅，僅直接介紹具體操作和注意事項(xiàng)，不做過(guò)多拓展。相關(guān)知識(shí)點(diǎn)可閱讀STM32芯片參考手冊(cè)、STM32相關(guān)ARM內(nèi)核編程手冊(cè)。

?下面介紹中提及的集成編譯環(huán)境是指ARM MDK，硬件基于STM32F072RB Nucleo開(kāi)發(fā)板。后面我將逐一介紹從BOOT區(qū)【用戶(hù)啟動(dòng)程序區(qū)】跳轉(zhuǎn)到APP區(qū)【用戶(hù)應(yīng)用程序區(qū)】，從APP區(qū)跳轉(zhuǎn)到另外新APP區(qū)以及從APP區(qū)跳回BOOT區(qū)的基本流程及注意事項(xiàng)。

一般來(lái)講，不同區(qū)段的執(zhí)行代碼我們通過(guò)建立不同的工程項(xiàng)目來(lái)實(shí)現(xiàn)，最終將不同區(qū)段執(zhí)行代碼寫(xiě)入芯片。這里假定用戶(hù)BOOT區(qū)對(duì)應(yīng)的內(nèi)部FLASH地址段為0x8000000—0x8004000, 用戶(hù)APP1區(qū)對(duì)應(yīng)的內(nèi)部FLASH地址段為0x8004000—0x8008000, APP2區(qū)對(duì)應(yīng)的內(nèi)部FLASH地址段為0x8008000—0x800C000.

一、從用戶(hù)啟動(dòng)程序區(qū)【BOOT區(qū)】到用戶(hù)應(yīng)用程序區(qū)【APP區(qū)】的跳轉(zhuǎn)

先說(shuō)從BOOT區(qū)跳轉(zhuǎn)到APP區(qū)。跳轉(zhuǎn)代碼比較簡(jiǎn)潔、簡(jiǎn)單，注意跳轉(zhuǎn)前要關(guān)閉剛才程序區(qū)開(kāi)啟過(guò)的所有中斷使能，保證所有中斷請(qǐng)求位都被清除，不要只是簡(jiǎn)單的關(guān)閉總中斷，否則往往隱患多多。BOOT區(qū)相關(guān)跳轉(zhuǎn)代碼如下：

這個(gè)從BOOT區(qū)到APP區(qū)的跳轉(zhuǎn)最終能否成功，關(guān)鍵取決于APP區(qū)代碼相關(guān)配置及準(zhǔn)備工作。假設(shè)這里的APP區(qū)是上面提到的APP1區(qū)，內(nèi)部FLASH地址段為0x8004000—0x8008000，那么在MDK的option項(xiàng)里的memory配置板塊要做正確配置，即flash空間與ram空間的配置，如下圖所示：

IROM1的配置就是APP1代碼擺放的起始空間地址及長(zhǎng)度。IRAM的配置要注意先保留48個(gè)字的空間用來(lái)存放中斷矢量表的內(nèi)容。因?yàn)閟tm32F0芯片的中斷矢量表的大小就是48個(gè)字【即0xc0字節(jié)】。至于剩下的內(nèi)部RAM空間大小由芯片本身的RAM容量決定?！具@里是基于STM32F072RB芯片，其內(nèi)部RAM總?cè)萘繛?x4000】。

另外一件很重要的事情就是做中斷矢量表的拷貝。在APP1區(qū)的main()程序開(kāi)頭部分，將放在flash程序空間起始部分的連續(xù)48個(gè)中斷矢量地址表拷貝到內(nèi)部RAM的起始地址段。即將矢量表從0x8004000地址開(kāi)始拷到0x20000000開(kāi)始的連續(xù)48個(gè)字空間。

基于MDK環(huán)境的相關(guān)參考代碼如下：

上面代碼中綠色語(yǔ)句就是實(shí)現(xiàn)中斷矢量表從內(nèi)部flash到內(nèi)部RAM的拷貝，而紅色語(yǔ)句則是為了實(shí)現(xiàn)程序0地址執(zhí)行域的重映射，即將程序運(yùn)行的0地址從內(nèi)部flash的0x8000000通過(guò)重映射機(jī)制切換到0x20000000，為的是在APP1區(qū)發(fā)生中斷時(shí)CPU能從正確的地方準(zhǔn)確獲取相應(yīng)中斷矢量地址去執(zhí)行中斷服務(wù)程序。

到此，從BOOT區(qū)到APP1區(qū)的跳轉(zhuǎn)就算完成了。

二、從一用戶(hù)應(yīng)用程序區(qū)【APP區(qū)】到另一用戶(hù)應(yīng)用程序區(qū)【APP區(qū)】的跳轉(zhuǎn)

那么，如果想從APP1區(qū)跳轉(zhuǎn)到另外APP2代碼區(qū)呢？這個(gè)跟從BOOT區(qū)跳轉(zhuǎn)到APP1區(qū)類(lèi)似。在APP1區(qū)的跳轉(zhuǎn)代碼這里就不說(shuō)了，地址給對(duì)、代碼寫(xiě)對(duì)就好。APP2區(qū)的代碼也同樣必須做中斷矢量表的拷貝和0地址域的重映射。這里因?yàn)樵贏PP1代碼里已經(jīng)做過(guò)了0地址的重映射，所以就不必重復(fù)做重映射了，只需做拷貝操作，即將從0x8008000開(kāi)始的48個(gè)字拷貝進(jìn)0x20000000開(kāi)始的RAM空間。

假定APP2代碼區(qū)的內(nèi)部flash空間安排在為0x8008000—0x800C000。MDK環(huán)境里memory布局配置如下：

三、從用戶(hù)應(yīng)用程序區(qū)【APP區(qū)】到用戶(hù)啟動(dòng)程序區(qū)【BOOT區(qū)】的跳轉(zhuǎn)

有時(shí)我們還希望或需要程序能從APP區(qū)跳回用戶(hù)BOOT區(qū)，那如何操作呢？對(duì)于STM32F0芯片而言，程序執(zhí)行區(qū)從APP區(qū)跳回BOOT區(qū)跟從BOOT區(qū)跳到APP區(qū)還不太一樣，經(jīng)常有人在這個(gè)跳轉(zhuǎn)過(guò)程中卡殼。

假設(shè)從APP2區(qū)跳回BOOT區(qū)，在APP2區(qū)做跳轉(zhuǎn)準(zhǔn)備時(shí)除了給定正確的跳轉(zhuǎn)地址外，另一個(gè)要做的就是再次通過(guò)重映射操作將0地址映射空間從內(nèi)部SRAM切換回內(nèi)部flash區(qū)。實(shí)際應(yīng)用中，往往因?yàn)楹鲆暳诉@點(diǎn)，跳回去后一碰到中斷就問(wèn)題來(lái)了。另外，從APP區(qū)跳回BOOT區(qū)無(wú)須矢量表的拷貝操作。所以在APP2區(qū)執(zhí)行跳轉(zhuǎn)前只需將0地址重映射回內(nèi)部flash空間,通過(guò)運(yùn)行如下庫(kù)代碼完成：__HAL_SYSCFG_REMAPMEMORY_FLASH();

小結(jié)：

1、從BOOT區(qū)跳轉(zhuǎn)到APP區(qū)，在APP區(qū)要做中斷矢量表的拷貝和將0地址映射空間從內(nèi)部flash切換到內(nèi)部SRAM起始地址。

2、從APP區(qū)跳轉(zhuǎn)到其它新的APP區(qū)，需在新的APP區(qū)的代碼里再做中斷矢量表的拷貝，并保證相關(guān)存儲(chǔ)配置的正確。

3、從APP區(qū)跳回BOOT區(qū)，該過(guò)程無(wú)矢量表的拷貝，只需將0地址映射空間重新映射回內(nèi)部flash區(qū)。

4、不論從什么區(qū)跳往什么區(qū)，跳轉(zhuǎn)前禁用當(dāng)前用戶(hù)打開(kāi)過(guò)的所有中斷使能、并確保無(wú)未處理的中斷請(qǐng)求存在。

5、以上操作流程主要針對(duì)基于ARM Cortex M0內(nèi)核的STM32F0系列芯片。