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?STWLC38:一款高性能Qi兼容雙模式無(wú)線電源接收器技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-10-29 15:19 ? 次閱讀
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STMicroelectronics STWLC38 Qi兼容雙無(wú)線電源接收器設(shè)計(jì)用于可穿戴/耳戴設(shè)備和智能手機(jī)應(yīng)用。該芯片支持用于電感通信協(xié)議的Qi 1.3規(guī)范、5W基線電源配置以及15W擴(kuò)展功率配置。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:STMicroelectronics STWLC38 Qi兼容雙無(wú)線電源接收器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

STMicro STWLC38接收器集成了一個(gè)低損耗同步整流器和一個(gè)低壓差線性穩(wěn)壓器,可實(shí)現(xiàn)出色的效率性能。數(shù)字內(nèi)核動(dòng)態(tài)地管理這些元件,以最小化在廣泛的輸出負(fù)載條件下的整體功耗。

用戶可采用I^2^C接口訪問(wèn)和修改不同配置參數(shù),使得器件運(yùn)行符合特定應(yīng)用的需求。配置參數(shù)可保存在內(nèi)置電阻式存儲(chǔ)器 (RRAM) 中,并在上電時(shí)自動(dòng)檢索。STWLC38還可在Tx模式下工作,以傳輸高達(dá)5W功率為其他器件充電。

STWLC38采用芯片級(jí)封裝,可適合穿戴設(shè)備中對(duì)房地產(chǎn)敏感的解決方案。

特性

  • 輸出功率:高達(dá)15W
  • 在Tx模式中的輸出功率:高達(dá)5W
  • 兼容Qi 1.3感應(yīng)式無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)通信協(xié)議
  • 高效率(98%典型)同步整流器運(yùn)行高達(dá)800kHz
  • 低壓差線性穩(wěn)壓器,帶輸出電流限值和輸入電壓控制回路
  • 自適應(yīng)整流器配置 (ARC) 模式,增強(qiáng)空間自由度
  • 編程調(diào)度輸出電壓:4V至12V
  • 整體系統(tǒng)效率超過(guò)85%
  • 32位、64MHz ARM cortex M0+ 內(nèi)核,帶32kB RRAM、16kB SRAM和64kB ROM
  • 10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器
  • 可配置GPIO
  • I^2^C從接口
  • 多級(jí)ASK調(diào)制器、增強(qiáng)型FSK解調(diào)器
  • 輸出過(guò)壓鉗位保護(hù)
  • 精確的電壓/電流測(cè)量,用于異物檢測(cè) (FOD)
  • 片上熱管理和保護(hù)
  • 倒裝芯片40焊球 (2.12mm x 3.32mm)

方框圖

1.png

?STWLC38:一款高性能Qi兼容雙模式無(wú)線電源接收器技術(shù)解析

1. 核心特性概述

STWLC38是一款高度集成的無(wú)線電源接收芯片,主要特性包括:

  • ?功率輸出?:支持高達(dá)15W的接收功率(符合Qi擴(kuò)展功率配置文件EPP)和5W的發(fā)射功率(Tx模式)。
  • ?高效率架構(gòu)?:采用98%典型效率的同步整流器,工作頻率可達(dá)800kHz,并結(jié)合低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),通過(guò)數(shù)字核心動(dòng)態(tài)管理以最小化整體功耗。
  • ?通信協(xié)議?:全面兼容Qi 1.3感應(yīng)式無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn),集成多級(jí)ASK調(diào)制器和增強(qiáng)型FSK解調(diào)器,確保穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸。
  • ?自主運(yùn)行能力?:內(nèi)置32kB RRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、16kB SRAM和64kB ROM,搭載32位ARM Cortex-M0+核心(64MHz),可獨(dú)立運(yùn)行或通過(guò)I2C接口與主機(jī)系統(tǒng)交互。
  • ?全面保護(hù)機(jī)制?:提供過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)溫保護(hù),包括可編程的外國(guó)物體檢測(cè)(FOD)功能。
  • ?小尺寸封裝?:采用WLCSP40封裝(2.12mm x 3.32mm),適合空間敏感的可穿戴設(shè)備應(yīng)用。

2. 關(guān)鍵功能模塊詳解

2.1 同步整流器

  • ?作用?:將接收線圈的交流電壓轉(zhuǎn)換為直流電源,為后續(xù)LDO穩(wěn)壓器供電。
  • ?結(jié)構(gòu)?:基于H橋架構(gòu)的四N溝道MOSFET,通過(guò)數(shù)字核心優(yōu)化開(kāi)關(guān)控制,以降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。
  • ?外圍元件?:需外接兩個(gè) bootstrap 電容器(典型值47nF)以驅(qū)動(dòng)高側(cè)開(kāi)關(guān)。

2.2 ARC模式(自適應(yīng)整流器配置)

  • ?優(yōu)勢(shì)?:提升系統(tǒng)的空間自由度,在X和Y方向上可將ping距離增強(qiáng)高達(dá)50%,無(wú)需硬件變更或線圈優(yōu)化。

2.3 保護(hù)系統(tǒng)

  • ? 過(guò)壓保護(hù)(OVP) ?:
    • ?POVP?:在啟動(dòng)期間,若VRECT > 14V則觸發(fā)保護(hù)。
    • ?SOVP?:軟過(guò)壓保護(hù),閾值可編程。
    • ?HOVP?:硬過(guò)壓保護(hù),通過(guò)內(nèi)部寄存器設(shè)置閾值。
  • ? 過(guò)溫保護(hù)(OTP) ?:
    • 支持內(nèi)部溫度傳感器和外部NTC傳感器。
    • 可編程溫度閾值(105°C至135°C,步進(jìn)10°C)。
  • ? 過(guò)流保護(hù)(OCP) ?:電流限值可編程(1.25A/1.5A/1.75A/1.93A),確保設(shè)備在安全溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。

2.4 TX模式功能

  • ?功率輸出?:支持最高5W的功率發(fā)射,輸入電壓范圍5V至12V。
  • ?ASK解調(diào)?:通過(guò)外部濾波電路處理接收到的調(diào)制信號(hào)。

3. 電氣特性與性能

3.1 電源參數(shù)

  • ?工作電壓范圍?:VRECT為4.5V至13V,在BPP模式下為5.1V至8V。
  • ?效率數(shù)據(jù)?:在5V/1A條件下,系統(tǒng)整體效率超過(guò)85%。

4. 應(yīng)用設(shè)計(jì)指南

4.1 外圍元件選擇

  • ?諧振電容?:建議采用多層陶瓷電容(MLCC),如X5R/X7R/COG介質(zhì)類型,額定電壓50V。
  • ?ASK調(diào)制電容?:典型值為22nF和10nF。

4.2 PCB布局建議

  • VAA(2.5V)和VDD(1.1V)的濾波電容應(yīng)盡可能靠近芯片放置。
  • 電源走線(AC1、AC2、VRECT、VOUT)需保持足夠?qū)挾纫猿惺芨唠娏鳌?/li>

4.3 熱管理

  • 通過(guò)NTC引腳連接外部熱敏電阻,實(shí)現(xiàn)線圈過(guò)熱保護(hù)。
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