新思科技近期宣布，其LPDDR6 IP已在臺積公司 N2P 工藝成功流片，并完成初步功能驗證。這一成果不僅鞏固并強化了新思科技在先進工藝節(jié)點 IP 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，同時也為客戶提供可信賴的、經(jīng)硅片驗證的IP選擇，可滿足移動通訊、邊緣 AI 及高性能計算等更高存儲帶寬需求的應(yīng)用場景。

客戶既能從最新發(fā)布的 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)中獲益，又能降低風(fēng)險、實現(xiàn)高性能，并縮短產(chǎn)品上市時間。新思科技經(jīng)驗證的 N2/N2P 工藝 IP 產(chǎn)品組合如今新增了 LPDDR6，同時涵蓋 USB 和 MIPI。這將為設(shè)計團隊提供信心，助力其實現(xiàn)極具挑戰(zhàn)性的功耗、性能和面積 (PPA) 目標(biāo)。

新思科技接口IP工程高級副總裁Dino Toffolon表示：“我們很高興能在臺積公司N2P工藝上完成LPDDR6 IP的硅驗證。這一成果不僅強化了我們在先進制程IP領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也為客戶提供了可驗證、可量產(chǎn)的可信方案?？蛻艨稍诓捎米钚翷PDDR6標(biāo)準(zhǔn)的同時，降低項目風(fēng)險、加快產(chǎn)品上市進程?！?/p>

他進一步指出：“LPDDR6的發(fā)布，意味著高帶寬、低功耗的存儲接口正式邁入‘埃米級’（angstrom-scale）時代。通過與臺積公司的深度合作，我們幫助客戶順利過渡至2納米及以下工藝，讓移動、邊緣AI和高性能計算設(shè)備都能提前享受下一代內(nèi)存帶寬。”

通過拓展在高速接口領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，新思科技助力打造兼具高帶寬與高能效的芯片設(shè)計。新思科技與臺積公司的緊密合作則幫助客戶順利過渡至埃米級工藝節(jié)點。隨著 LPDDR6 在 N2P 和 N3P 工藝上得到支持，移動通訊、AI 推理、邊緣計算和 HPC 領(lǐng)域的設(shè)備制造商，將能夠以較低的風(fēng)險充分利用下一代內(nèi)存性能。