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ADC12DJ3200QML-SP 抗輻射性保證 (RHA)、QMLV、300 克拉德、12 位、雙通道 3.2GSPS技術(shù)手冊

科技綠洲 ? 2025-11-04 10:59 ? 次閱讀
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ADC12DJ3200QML-SP器件是一款RF采樣、千兆采樣、模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC),可直接對直流至10GHz以上的輸入頻率進行采樣。在雙通道模式下,ADC12DJ3200QML-SP 可以采樣高達 3200MSPS。在單通道模式下,該器件可以采樣高達 6400MSPS。通道數(shù)(雙通道模式)和奈奎斯特帶寬(單通道模式)的可編程權(quán)衡允許開發(fā)靈活的硬件,以滿足高通道數(shù)或?qū)捤矔r信號帶寬應(yīng)用的需求。7GHz的全功率輸入帶寬(–3dB),在雙通道和單通道模式下的可用頻率都超過–3dB點,允許對頻率捷變系統(tǒng)進行L波段、S波段、C波段和X波段的直接RF采樣。

ADC12DJ3200QML-SP 使用高速JESD204B輸出接口,具有多達 16 個串行通道和子類 1 合規(guī)性,可實現(xiàn)確定性延遲和多設(shè)備同步。串行輸出通道支持高達 12.8Gbps,并且可以配置為權(quán)衡比特率和通道數(shù)。創(chuàng)新的同步功能,包括無噪聲孔徑延遲 (tAD) 調(diào)整和 SYSREF 窗口,簡化了合成孔徑雷達 (SAR) 和相控陣 MIMO 通信的系統(tǒng)設(shè)計。雙通道模式下的可選數(shù)字下變頻器(DDC)可降低接口速率(實抽取模式和復抽取模式)和信號的數(shù)字混合(僅限復抽取模式)。
*附件:adc12dj3200qml-sp.pdf

特性

  • ADC內(nèi)核:
    • 12 位分辨率
    • 單通道模式下高達 6.4GSPS
    • 雙通道模式下高達 3.2GSPS
  • 本底噪聲(無信號,VFS = 1VPP-DIFF):
    • 雙通道模式:–149.5dBFS/Hz
    • 單通道模式:–152.4dBFS/Hz
  • 峰值噪聲功率比 (NPR):45.4dB
  • VCMI為0V的緩沖模擬輸入:
    • 模擬輸入帶寬 (–3dB):7GHz
    • 可用輸入頻率范圍:>10GHz
    • 滿量程輸入電壓(VFS,默認):0.8VPP
  • 無噪聲孔徑延遲 (tAD) 調(diào)節(jié):
    • 精確采樣控制:19fs 步長
    • 溫度和電壓不變延遲
  • 易于使用的同步功能
    • 自動 SYSREF 定時校準
    • 樣品標記的時間戳
  • JESD204B符合 Subclass-1 的接口:
    • 最大通道速率:12.8Gbps
    • 多達 16 個通道可降低通道速率
  • 雙通道模式下的數(shù)字下變頻器:
    • 實際輸出:DDC 旁路或 2 倍抽取
    • 復數(shù)輸出:4 倍、8 倍或 16 倍抽取
  • 輻射性能:
    • 總電離劑量 (TID):300krad (Si)
    • 單事件閂鎖 (SEL):120MeV-cm2/mg
    • 單事件擾亂 (SEU) 免疫寄存器
  • 功耗:3W

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

ADC12DJ3200QML-SP 是德州儀器推出的抗輻射型 RF 采樣模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),符合 QML-SP 標準,核心優(yōu)勢是高采樣率、寬輸入帶寬及多通道靈活配置,專為航天、國防等高可靠性場景設(shè)計。

核心參數(shù)與特性

  • 采樣與帶寬 :單通道模式最高 6.4 GSPS,雙通道模式最高 3.2 GSPS;模擬輸入帶寬 7 GHz,可用頻率超 10 GHz,支持 L 波段至 X 波段直接采樣。
  • 分辨率與性能 :12 位分辨率,單通道噪聲基底 - 152.4 dBFS/Hz,雙通道 - 149.5 dBFS/Hz;無雜散動態(tài)范圍(SFDR)最高 69 dBFS,碼錯誤率(CER)低至 10?1?。
  • 接口與同步 :兼容 JESD204B subclass-1 接口, lanes 速率最高 12.8 Gbps,最多 16 路 lanes;支持 SYSREF 自動校準、無噪聲孔徑延遲調(diào)節(jié)(19 fs 步長),實現(xiàn)多器件同步與確定性延遲。
  • 核心功能 :雙通道模式內(nèi)置數(shù)字下變頻器(DDC),支持 2/4/8/16 倍抽?。惶峁┣熬?/ 背景校準,支持偏移濾波與增益 / 偏移微調(diào);具備過范圍檢測、時間戳功能。
  • 抗輻射特性 :總電離劑量(TID)300 krad (Si),單粒子鎖定(SEL)閾值 120 MeV-cm2/mg,寄存器抗單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)。

應(yīng)用場景

適用于衛(wèi)星通信(SATCOM)、相控陣雷達、信號情報(SIGINT)、合成孔徑雷達(SAR)、激光雷達(LiDAR)、軟件定義無線電(SDR)及光譜分析等高頻、高可靠性場景。

封裝與訂購信息

  • 采用 15mm×15mm 196 引腳 CLGA/CCGA 倒裝芯片封裝。
  • 符合 RoHS 標準,引腳鍍層為 SNAGCU,MSL 等級 1,峰值回流溫度 260°C。
  • 工作溫度范圍 - 55°C 至 125°C,功耗典型值 3 W。

設(shè)計與支持

  • 電源需采用 1.1V(VA11/VD11)和 1.9V(VA19)供電,模擬地與數(shù)字地需直接連接,關(guān)鍵信號需 AC 耦合。
  • 支持 SPI 串行編程,提供豐富寄存器配置采樣模式、校準參數(shù)、DDC 設(shè)置等;內(nèi)置溫度監(jiān)測二極管,支持外部測溫。
  • 提供評估模塊、技術(shù)文檔及 E2E 論壇支持,可通過 TI 官網(wǎng)訂閱文檔更新。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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