一、衰減比的核心概念與作用

CWT PEM衰減比是指羅氏線圈輸出信號(hào)與被測(cè)電流幅值的比例關(guān)系，它直接決定了測(cè)量的精度和信號(hào)的適配性。 其本質(zhì)是通過(guò)示波器等儀器的衰減設(shè)置，與線圈的靈敏度特性相匹配。 例如，當(dāng)PK-CWT/15探頭的靈敏度為2mV/A時(shí)，需要將示波器的衰減比設(shè)置為500X，才能準(zhǔn)確復(fù)現(xiàn)電流信號(hào)。

衰減比設(shè)置的核心價(jià)值主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：一是信號(hào)適配，即將線圈輸出的微弱電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為儀器可識(shí)別的標(biāo)準(zhǔn)范圍；二是誤差控制，不恰當(dāng)?shù)乃p比會(huì)導(dǎo)致信號(hào)過(guò)載失真或信噪比過(guò)低，尤其在高頻瞬態(tài)電流測(cè)量中，這種影響更為顯著。

二、衰減比設(shè)置的前置準(zhǔn)備

（一）核心參數(shù)確認(rèn)

探頭靈敏度： 從CWT PEM產(chǎn)品手冊(cè)中獲取，如“1mV/A”“2mV/A”等關(guān)鍵指標(biāo)，這是計(jì)算衰減比的基礎(chǔ)。

儀器輸入特性： 確認(rèn)示波器或測(cè)量?jī)x的輸入阻抗（需≥100kΩ，推薦1MΩ）和最大輸入電壓，以避免信號(hào)超量程。

測(cè)量場(chǎng)景參數(shù)： 明確被測(cè)電流的頻率范圍（如高頻脈沖或低頻穩(wěn)態(tài)）和幅值預(yù)估，結(jié)合CWT系列的帶寬特性（如Ultra mini型號(hào)的高頻響應(yīng)）調(diào)整策略。

（二）設(shè)備連接規(guī)范

物理連接： 將CWT羅氏線圈的輸出端通過(guò)專用電纜連接至測(cè)量?jī)x器，確保接口插到底部，以避免信號(hào)不穩(wěn)定。

環(huán)境排查： 遠(yuǎn)離多圈線圈、MHz級(jí)干擾源及變化速率>100V/μs的高壓信號(hào)，可通過(guò)“空測(cè)法”（探頭環(huán)空置測(cè)量環(huán)境信號(hào)）評(píng)估干擾程度。

參考地設(shè)置： 確保測(cè)量?jī)x器接地可靠，減少共模干擾對(duì)衰減比校準(zhǔn)的影響。

三、衰減比設(shè)置的四步核心流程

（一）基于靈敏度計(jì)算初始衰減比

衰減比的核心計(jì)算公式為：

衰減比= 1/探頭靈敏度×儀器單位轉(zhuǎn)換系數(shù)

以典型場(chǎng)景為例：

當(dāng)PK-CWT探頭靈敏度為1mV/A時(shí)，1A電流對(duì)應(yīng)1mV電壓輸出。若示波器以“V”為單位顯示，需將1mV轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)讀數(shù)，衰減比設(shè)為1000X（即1mV×1000X=1V/A對(duì)應(yīng)關(guān)系）。

若靈敏度為2mV/A，則衰減比設(shè)為500X，確保2mV×500X=1V/A的線性對(duì)應(yīng)。

（二）儀器參數(shù)配置

進(jìn)入設(shè)置界面： 在示波器菜單中找到“衰減比”“探頭比例”或“輸入設(shè)置”選項(xiàng)（不同品牌儀器名稱略有差異）。

輸入計(jì)算值： 按第一步的結(jié)果錄入衰減比數(shù)值，如“1000X”“500X”，部分儀器支持直接輸入靈敏度數(shù)值自動(dòng)換算。

阻抗匹配： 確認(rèn)儀器輸入阻抗設(shè)為1MΩ（或符合探頭手冊(cè)要求），與衰減比設(shè)置形成適配閉環(huán)。

（三）信號(hào)驗(yàn)證與校準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)源測(cè)試： 使用已知幅值的標(biāo)準(zhǔn)電流源（如1A直流或50Hz正弦電流），將導(dǎo)線穿過(guò)CWT探頭環(huán)中心（避開(kāi)交界處誤差區(qū)），記錄儀器顯示值。

誤差修正： 若顯示值與標(biāo)準(zhǔn)值偏差>±2%，需微調(diào)衰減比。例如，標(biāo)準(zhǔn)1A顯示0.98A時(shí)，可將1000X衰減比調(diào)整為980X，直至誤差符合要求。

頻域特性驗(yàn)證： 對(duì)高頻信號(hào)（如上升時(shí)間<1μs的脈沖），需結(jié)合CWT系列的延遲特性（如Tc線圈延遲、Tb積分器延遲），通過(guò)對(duì)比參考設(shè)備數(shù)據(jù)修正衰減比。

（四）場(chǎng)景化微調(diào)與固化

高頻場(chǎng)景： 測(cè)量MHz級(jí)電流時(shí)，若時(shí)頻圖出現(xiàn)信號(hào)衰減，可適當(dāng)降低衰減比（如從1000X降至800X），同時(shí)犧牲部分量程以保證高頻響應(yīng)。

低頻場(chǎng)景： 對(duì)<50Hz的穩(wěn)態(tài)電流，可提高衰減比以增強(qiáng)抗干擾能力，例如將500X調(diào)整為1000X提升信噪比。

參數(shù)固化： 完成調(diào)試后保存設(shè)置方案，標(biāo)注對(duì)應(yīng)探頭型號(hào)、靈敏度及測(cè)量場(chǎng)景，便于后續(xù)快速調(diào)用。

四、關(guān)鍵注意事項(xiàng)與常見(jiàn)問(wèn)題

（一）操作禁忌

嚴(yán)禁在未斷電時(shí)插拔探頭接口，避免感應(yīng)電壓損壞儀器及影響衰減比校準(zhǔn)精度。

被測(cè)導(dǎo)線必須穿過(guò)探頭環(huán)中心，偏離中心會(huì)導(dǎo)致衰減比線性度下降，誤差可增至10%以上。

（二）常見(jiàn)故障排查

（三）維護(hù)與校準(zhǔn)周期

日常使用： 每3個(gè)月通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)電流源驗(yàn)證衰減比準(zhǔn)確性。

長(zhǎng)期存放后： 首次使用前需重新執(zhí)行全流程校準(zhǔn)，重點(diǎn)檢查高頻響應(yīng)下的衰減特性。

五、典型應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)置案例

（一）軸承故障診斷中的電流測(cè)量

使用CWT mini探頭測(cè)量電機(jī)軸承故障電流（含高頻沖擊成分）：

探頭參數(shù)： 靈敏度1mV/A，帶寬50kHz-1MHz

衰減比設(shè)置： 1000X（基礎(chǔ)值）→調(diào)試后800X（增強(qiáng)高頻捕捉）

驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)： 時(shí)頻圖中故障頻率（如外圈故障頻率120Hz）清晰可辨，無(wú)幅值衰減。

（二）大功率開(kāi)關(guān)電源測(cè)試

測(cè)量IGBT開(kāi)關(guān)電流（上升時(shí)間200ns）：

探頭參數(shù)： 靈敏度2mV/A，延遲Tc=15ns

衰減比設(shè)置： 500X +延遲補(bǔ)償（減去15ns對(duì)應(yīng)幅值修正）

驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)： 與高壓探頭同步測(cè)量的波形幅值偏差<3%。

審核編輯 黃宇