仁懋電子（MOT）推出的MOT5130T是一款面向 120V 低壓大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借 2.8mΩ 超低導(dǎo)通電阻、211A 超大電流承載能力及 TOLL-8L 小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無人機等大功率場景。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：120V，適配低壓大電流供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)、\(I_{DS}=50A\)時典型值2.8mΩ，低壓場景下導(dǎo)通損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：211A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達(dá)700A，滿足負(fù)載瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• 超級 trench 單元設(shè)計：采用先進(jìn)溝槽結(jié)構(gòu)，大幅降低導(dǎo)通電阻，提升電流密度，適配大電流功率轉(zhuǎn)換場景；
• 高魯棒性設(shè)計：單脈沖雪崩能量達(dá)1800mJ，結(jié)到環(huán)境熱阻（\(R_{thJA}\)）0.4℃/W，大電流工況下結(jié)溫控制更穩(wěn)定；
• 高頻開關(guān)適配：動態(tài)電容（輸入、輸出、反向傳輸電容）優(yōu)化，開關(guān)時間（導(dǎo)通延遲、上升 / 下降時間）達(dá)納秒級，適合高頻 PWM 控制；
• 表面貼裝封裝：TOLL-8L 小型化封裝，適配高功率密度的電源與動力系統(tǒng)設(shè)計。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：372W，實際應(yīng)用需結(jié)合散熱設(shè)計（如散熱墊、金屬基板）保障長期可靠工作；
• 靜態(tài)特性：
  • 漏源擊穿電壓（\(BV_{DSS}\)）：最小值 120V；
  • 柵極閾值電壓（\(V_{GS(th)}\)）：2~4V；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=6V\)、\(I_{DS}=30A\)時典型 3.4mΩ；
• 二極管特性：
  • 正向電壓最大 1.3V；
  • 反向恢復(fù)時間 137ns，反向恢復(fù)電荷 474nC；
• 動態(tài)特性：
  • 輸入電容（\(C_{iss}\)）典型 5916pF，輸出電容（\(C_{oss}\)）典型 1091pF；
  • 開關(guān)時間：導(dǎo)通延遲（\(t_{d(on)}\)）30ns，關(guān)斷延遲（\(t_{d(off)}\)）102ns，上升時間（\(t_r\)）143ns，下降時間（\(t_f\)）101ns；
  • 柵極電荷：總柵極電荷（\(Q_g\)）典型 157nC，柵源電荷（\(Q_{gs}\)）62nC；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+175℃，存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：TOLL-8L 表面貼裝封裝，每卷 4000 片，適配小型化、高功率密度的電路設(shè)計；
• 典型應(yīng)用：
  • 高功率系統(tǒng)逆變器：在工業(yè)或新能源領(lǐng)域的逆變器中作為功率開關(guān)，低損耗特性提升能量轉(zhuǎn)換效率；
  • 輕型電動車與無人機：為電動摩托車、無人機的動力系統(tǒng)提供大電流功率控制，保障動力輸出與系統(tǒng)可靠性；
  • BMS（電池管理系統(tǒng)）：在電池充放電管理回路中，實現(xiàn)大電流高效切換，保障電池安全與性能。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）