導(dǎo)電疇壁（DWs）是新型電子器件的關(guān)鍵候選結(jié)構(gòu)，但其納米尺度與宿主材料高電阻特性導(dǎo)致電學(xué)表征困難。Xfilm 埃利四探針方阻儀可助力其電阻精確測量，本文以四探針測量技術(shù)為核心，采用亞微米級多點(diǎn)探針（MPP），實(shí)現(xiàn) BiFeO?（BFO）薄膜鐵彈 / 鐵電 71° 疇壁的無損、無光刻面內(nèi)輸運(yùn)測量，并給出了其電阻率的首次四探針測量值。

使用繼電器選擇有效探針，測量四個(gè)不同探針間距下的電阻

四探針測量：采用IVVI配置（外端針尖通電流、內(nèi)端針尖測電壓），即外側(cè)兩個(gè)探針（如#1和#4）強(qiáng)制通過電流I_test，內(nèi)側(cè)兩個(gè)探針（如#2和#3）則通過源測量單元強(qiáng)制零電流模式，精確測量其電勢差ΔU。本征四探針電阻計(jì)算為R_4P = ΔU / I_test，有效排除了接觸電阻的影響。

二探針測量：在兩個(gè)探針間施加測試電壓U_test，并測量電流I，電阻計(jì)算為R_2P = U_test / I。此結(jié)果包含所有串聯(lián)的接觸電阻與勢壘效應(yīng)。

BiFeO?薄膜樣品制備與表征

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兩個(gè)具有長條紋鐵電/鐵彈疇的 BFO 薄膜樣品（S1 和 S2）的掃描探針顯微鏡圖像

兩個(gè)BiFeO?薄膜樣品（S1與S2）通過脈沖激光沉積在(001)取向的SrTiO?襯底上生長，名義厚度為55 nm。為確保面內(nèi)測量時(shí)疇壁不被短路，樣品底部沉積了兩個(gè)晶胞厚度的絕緣性SrRuO?緩沖層。壓電力顯微鏡表征顯示，樣品具有長條狀的71°疇壁結(jié)構(gòu)，主要沿襯底的[010]方向排列。

四探針測量的優(yōu)勢驗(yàn)證

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通過對比二點(diǎn)與四探針測量結(jié)果，本研究清晰地展示了四探針法的優(yōu)越性。在一個(gè)典型測量中（圖3c），計(jì)算得到R_2P4 = 13.89 GΩ，而R_4P = 614.02 MΩ。即使將R_2P4根據(jù)測量距離進(jìn)行歸一化，其值（4.63 GΩ）仍是R_4P的近8倍。這一巨大差異直觀地揭示了PtIr/BFO界面存在的巨大接觸電阻，凸顯了四探針法提取本征電阻的必要性。

疇壁的歐姆行為與統(tǒng)計(jì)測量

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在樣品S1和S2上沿疇壁方向進(jìn)行的多個(gè)四探針電流掃描表明，在電流大于約100 pA后，電壓-電流關(guān)系呈現(xiàn)良好的線性特征。通過對高電流區(qū)數(shù)據(jù)進(jìn)行線性擬合，直接從斜率中提取出R_4P。例如，在S1樣品的一個(gè)位置，擬合得到R = 453 MΩ，偏移電壓U_off = 0.24 V；而在另一位置，R = 842 MΩ，U_off = 0.16 V。這些接近于零的偏移電壓與線性的I-V關(guān)系，共同證實(shí)了疇壁在該電流區(qū)間的歐姆傳導(dǎo)特性。

單疇壁電阻率的提取

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沿主疇壁方向測量的S1 上 20 個(gè)任意樣品位置的單次電流掃描，通過線性擬合提取電阻值的直方圖

為獲得單疇壁的電阻率，在具有高度有序疇結(jié)構(gòu)的S1樣品上進(jìn)行了20個(gè)不同位置的統(tǒng)計(jì)測量。電阻值呈現(xiàn)雙峰分布，形成兩個(gè)主要集群。將其歸因于探針同時(shí)接觸單個(gè)疇壁或兩個(gè)并聯(lián)疇壁的情形?；趩萎牨谇闆r下的電阻值803 MΩ，并假設(shè)疇壁長度為600 nm（內(nèi)探針間距），疇壁有效高度為77.8 nm（考慮45°傾斜角），計(jì)算得到疇壁的方塊電阻R_s = 104 MΩ/□。進(jìn)一步假設(shè)典型鐵電疇壁寬度為1-10 nm，最終得出疇壁的本征體電阻率為0.07 – 0.7 Ω·m。

各向異性與距離標(biāo)度律

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通過單次探針著陸下的變間距測量，研究了電阻隨探針距離的變化規(guī)律。當(dāng)測量方向沿疇壁時(shí)，電阻與距離呈線性關(guān)系，斜率為0.925 GΩ/μm，再次支持了歐姆傳導(dǎo)模型。當(dāng)測量方向垂直于疇壁時(shí)，斜率增至3.31 GΩ/μm，約為沿疇壁方向的3.6倍。這一顯著的各向異性 強(qiáng)有力地證明了電流傳導(dǎo)主要由疇壁網(wǎng)絡(luò)主導(dǎo)，而非體相或表面泄漏，同時(shí)也排除了底界面導(dǎo)電的可能性。

本研究將亞微米共線四探針技術(shù)應(yīng)用于鐵電疇壁的本征電輸運(yùn)測量，成功揭示了BiFeO?中71°疇壁在高電流下的歐姆特性，通過四探針的IVVI 配置，排除引線與接觸電阻干擾，首次獲得單個(gè)疇壁的共線四探針電阻率（0.07-0.7Ω?m），證實(shí)大電流區(qū)域（≥100pA）的歐姆行為，為疇壁導(dǎo)電機(jī)制研究與器件應(yīng)用提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。該技術(shù)適用于各類高阻、非均勻、各向異性功能材料中納米尺度導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的電學(xué)表征。

Xfilm埃利四探針方阻儀

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Xfilm埃利四探針方阻儀用于測量薄層電阻（方阻）或電導(dǎo)，可以對樣品進(jìn)行快速、自動(dòng)的掃描，獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息。

超高測量范圍，測量1mΩ~100MΩ

高精密測量，動(dòng)態(tài)重復(fù)性可達(dá)0.2%

全自動(dòng)多點(diǎn)掃描，多種預(yù)設(shè)方案亦可自定義調(diào)節(jié)

快速材料表征，可自動(dòng)執(zhí)行校正因子計(jì)算

基于四探針法的Xfilm埃利四探針方阻儀，憑借智能化與高精度的電阻測量優(yōu)勢，助力評估電子器件材料的電阻特性，推動(dòng)多領(lǐng)域的材料檢測技術(shù)升級。

#四探針#電阻測量#方阻測量#表面電阻測量#電導(dǎo)率測量

原文參考：《Ohmic Response in BiFeO3 Domain Walls by Submicron-Scale Four-Point Probe ResistanceMeasurements》

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