電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，受到存儲(chǔ)芯片結(jié)構(gòu)性調(diào)整帶來的部分產(chǎn)品缺貨漲價(jià)的影響，以及出于優(yōu)化能耗的考慮等，一些芯片廠商已經(jīng)開始轉(zhuǎn)向新的存儲(chǔ)產(chǎn)品例如LPDDR5/5X的遷移。包括英偉達(dá)、瑞芯微等廠商都發(fā)布了相關(guān)切換舉措。

瑞芯微RK3588適配長鑫存儲(chǔ)LPDDR5系列芯片

由于DDR4、LPDDR4 等前代產(chǎn)品的供應(yīng)鏈緊張態(tài)勢難以緩解，瑞芯微自 2021 年起便啟動(dòng) LPDDR5/5X 顆粒適配工作，歷經(jīng)近五年技術(shù)沉淀與實(shí)踐驗(yàn)證，已積累豐富的產(chǎn)品化經(jīng)驗(yàn)。瑞芯微表示，在當(dāng)前的存儲(chǔ)市場背景下，RK3588和RK3576依然是客戶面向未來的最優(yōu)SoC 選擇。

長鑫存儲(chǔ)作為國內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，其技術(shù)迭代進(jìn)度與產(chǎn)能釋放節(jié)奏對下游應(yīng)用生態(tài)構(gòu)建具有關(guān)鍵支撐作用。其LPDDR5系列芯片的推出，為國內(nèi)AIoT產(chǎn)業(yè)核心部件的自主化供應(yīng)提供了強(qiáng)有力保障。

近年來，瑞芯微已完成對長鑫存儲(chǔ)DDR4/LPDDR4/LPDDR4X/LPDDR5/LPDDR5X 顆粒的全面兼容性驗(yàn)證與適配優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)技術(shù)協(xié)同落地。相關(guān)LPDDR5顆粒型號如下：
瑞芯微已經(jīng)正式開放RK3588與RK3576系列的LPDDR5/5X方案模板，助力客戶加速產(chǎn)品設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型，從容應(yīng)對市場供應(yīng)鏈變化。
方案模板中包含的245球（12.5x8.3mm）LPDDR5/5X封裝為新增行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。相較于傳統(tǒng)315球（12.4x15mm）封裝，其面積縮減近50%。智能手機(jī)市場轉(zhuǎn)向分離式存儲(chǔ)設(shè)計(jì)過程中，該封裝方案已呈現(xiàn)明顯選型偏好。為應(yīng)對后續(xù)存儲(chǔ)市場波動(dòng)、拓寬供應(yīng)渠道，瑞芯微已提前完成該封裝類型的適配開發(fā)工作。

未來，瑞芯微將持續(xù)跟蹤全球存儲(chǔ)市場動(dòng)態(tài)，深化與長鑫存儲(chǔ)等國產(chǎn)存儲(chǔ)廠商的技術(shù)協(xié)同與生態(tài)融合，為AIoT終端客戶提供性能、供應(yīng)鏈穩(wěn)定性與成本控制三者兼顧的優(yōu)質(zhì)解決方案。

英偉達(dá)AI服務(wù)器DDR5轉(zhuǎn)LPPDR5X

近日，市場研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research發(fā)布報(bào)告稱，英偉達(dá)近期決定將AI服務(wù)器的內(nèi)存芯片從傳統(tǒng)服務(wù)器使用的DDR5轉(zhuǎn)向通常用于手機(jī)和平板電腦的低功耗LPDDR芯片，以降低服務(wù)器能耗成本。

報(bào)告中指出，英偉達(dá)此次技術(shù)路線調(diào)整將對內(nèi)存供應(yīng)鏈造成"地震式"沖擊。該公司原本采用DDR5內(nèi)存芯片用于AI服務(wù)器，但近期決定轉(zhuǎn)向LPDDR低功耗內(nèi)存芯片。

分析指出，服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格上漲將提高云服務(wù)提供商和AI開發(fā)商的成本，進(jìn)一步加大數(shù)據(jù)中心預(yù)算壓力。目前這些企業(yè)已因圖形處理器和電力升級的創(chuàng)紀(jì)錄支出而面臨財(cái)務(wù)緊張。Counterpoint預(yù)計(jì)，2025年第一季度至2026年底，服務(wù)器內(nèi)存芯片DDR5 64GB RDIMM DRAM模塊價(jià)格將上漲一倍。這一價(jià)格上漲將直接推高云服務(wù)提供商和AI開發(fā)商的運(yùn)營成本。

不過，Counterpoint表示，目前的供應(yīng)鏈尚未做好應(yīng)對這一規(guī)模需求的準(zhǔn)備。低端市場的供應(yīng)緊張存在向上傳導(dǎo)的風(fēng)險(xiǎn)。芯片制造商目前正權(quán)衡是否將更多工廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)向LPDDR生產(chǎn)以滿足英偉達(dá)的需求，這可能進(jìn)一步加劇其他內(nèi)存產(chǎn)品的供應(yīng)緊張。

閃存市場指出，英偉達(dá)在其AI服務(wù)器中搭載LPDDR5X的SOCAMM2模塊應(yīng)用中將引入更多供應(yīng)商，而高頻率高容量的LPDDR5X/D5同樣需要采用1bnm等先進(jìn)DRAM制程。因此，2026年存儲(chǔ)原廠將繼續(xù)縮減1znm制程供應(yīng)，加速轉(zhuǎn)向1b/1cnm、1γ等先進(jìn)DRAM制程，以滿足AI服務(wù)器市場的新增存儲(chǔ)需求。

SOCAMM技術(shù)定位為面向AI服務(wù)器的新型高帶寬、低功耗內(nèi)存解決方案，其設(shè)計(jì)目標(biāo)是在提供與HBM（高帶寬內(nèi)存）相近性能的同時(shí)，有效降低成本。通過將LPDRAM與壓縮連接內(nèi)存模塊 (CAMM) 搭配使用，以革命性的全新外形尺寸提供卓越的性能和能效，相比傳統(tǒng)的DDR5 RDIMM 配置更節(jié)省空間，且功耗低三分之一。

美光對 LPDDR5X 內(nèi)存（通過 NVLink 與 NVIDIA GH200 Grace Hopper Superchip 連接）和傳統(tǒng) DDR5 內(nèi)存（在 x86 系統(tǒng)上通過 PCIe 與 Hopper GPU 連接）進(jìn)行了對比測試，結(jié)果表明，LPDDR5X 內(nèi)存可實(shí)現(xiàn)至關(guān)重要的性能提升。在使用 Meta Llama3 70B 測試推理性能時(shí)，低功耗內(nèi)存系統(tǒng)相比傳統(tǒng)內(nèi)存的表現(xiàn)，推理吞吐量提高 4 倍，延遲降低近 80%，能耗降低 73%。

隨著 AI 的發(fā)展，對數(shù)據(jù)中心內(nèi)部計(jì)算和內(nèi)存的需求越來越高，類似 LPDDR5X 之類的先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)正在助力數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)可持續(xù)計(jì)算，使數(shù)據(jù)中心的運(yùn)營更有效率。低功耗內(nèi)存可加速推理等 AI 任務(wù)的性能，同時(shí)減少用電量，使數(shù)據(jù)中心能以更低成本完成更多工作。低功耗內(nèi)存的使用實(shí)踐表明，未來的 AI 應(yīng)用可以是節(jié)能型應(yīng)用。

Q4 LPDDR預(yù)估

閃存市場發(fā)布2025年Q4存儲(chǔ)市場展望報(bào)告指出，預(yù)計(jì)四季度，服務(wù)器eSSD漲幅將達(dá)到10%以上，DDR5 RDIMM價(jià)格漲幅約10%~15%；Mobile嵌入式NAND漲幅約5%~10%，LPDDR4X/5X漲幅約10%~15%；PC端LPDDR5X/D5價(jià)格漲幅預(yù)計(jì)將落在10%~15%，cSSD價(jià)格漲幅達(dá)5%~10%。

閃存市場表示，由于原廠產(chǎn)能持續(xù)向服務(wù)器市場傾斜，持續(xù)削減舊制程的LPDDR4X供應(yīng)，同時(shí)部分9600MHz LPDDR5X供應(yīng)與服務(wù)器DRAM產(chǎn)能沖突，嵌入式DRAM供應(yīng)呈現(xiàn)明顯短缺的市況，LPDDR4X缺貨對部分手機(jī)品牌出貨造成實(shí)際影響。另外，消費(fèi)端對12GB LPDDR5X機(jī)型的實(shí)際需求有所增加，近期手機(jī)廠商陸續(xù)加單12GB LPDDR5X，而原廠面向Mobile市場的LPDDR5X供應(yīng)滿足率偏低，令LPDDR4X/5X價(jià)格保持漲價(jià)的趨勢，Tier1手機(jī)客戶LPDDR4X/5X ASP將超過$0.35/Gb，不排除部分DRAM原廠的LPDDR4X價(jià)格將超過LPDDR5X。

AI PC搭載的LPDDR5X與部分服務(wù)器DRAM形成產(chǎn)能擠占效應(yīng)，原廠優(yōu)先保障服務(wù)器DDR5/LPDDR5X供應(yīng)，推動(dòng)DRAM資本支出和產(chǎn)能供應(yīng)向高利潤的服務(wù)器 DRAM傾斜。PC DRAM整體供應(yīng)有限下，預(yù)計(jì)四季度原廠對PC DDR5/LPDDR5X產(chǎn)品的價(jià)格漲幅將達(dá)到10%~15%。