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由芯片和單片機(jī)實(shí)現(xiàn)微小電容測(cè)量電路的設(shè)計(jì)

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:郭婷 ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2019-06-06 08:04 ? 次閱讀
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電容傳感器是將被測(cè)量的變化轉(zhuǎn)換成電容量變化的一種裝置。電容式傳感器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、分辨力高、工作可靠、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、可非接觸測(cè)量,及能在高溫、輻射和強(qiáng)烈振動(dòng)等惡劣條件下工作等優(yōu)點(diǎn),并且已在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

微小電容測(cè)量電路必須滿(mǎn)足動(dòng)態(tài)范圍大、測(cè)量靈敏度高、低噪聲、抗雜散性等要求。電容式傳感器輸出的電容信號(hào)往往很?。?fF~10 pF),又存在傳感器及其連接導(dǎo)線雜散電容和寄生電容的影響,這對(duì)電容信號(hào)的測(cè)量電路提出了非常高的要求,如此微小的電容信號(hào)的測(cè)量成為電容式傳感器技術(shù)發(fā)展的瓶頸。

本文提出一種恒流源充電法對(duì)兩個(gè)微小電容進(jìn)行充電檢測(cè)的方法。本設(shè)計(jì)僅由單片機(jī)和少數(shù)芯片即可以實(shí)現(xiàn)電容的高精度,高頻率測(cè)量。由于采用了差動(dòng)式測(cè)量,本設(shè)計(jì)可以有效地減小非線性誤差,提高傳感器靈敏度,減少干擾,減少寄生電容的影響。若選用高性能模擬開(kāi)關(guān)能大大減小電荷注入效應(yīng)的影響。在檢測(cè)0~5 pF的實(shí)驗(yàn)中,采樣頻率可以達(dá)到100 kHz,有效精度位最高可達(dá)12位。

1 原理分析

實(shí)現(xiàn)測(cè)量的電路原理如圖1所示,其完整的測(cè)量過(guò)程是:?jiǎn)纹瑱C(jī)控制模擬開(kāi)關(guān)K1,K2斷路,標(biāo)準(zhǔn)電容Cl和待測(cè)電容C2由相同的兩個(gè)恒流源I1和I2進(jìn)行充電;在相同的時(shí)間T1內(nèi),電容C1、C2的充電電壓為U1、U2。由電容基本公式可得:

由芯片和單片機(jī)實(shí)現(xiàn)微小電容測(cè)量電路的設(shè)計(jì)

圖1 實(shí)現(xiàn)測(cè)量的電路原理圖

令△U=U1-U2,則電壓差△U經(jīng)過(guò)放大后,通過(guò)MSP430單片機(jī)的AD轉(zhuǎn)換模塊進(jìn)行轉(zhuǎn)換,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的同時(shí),單片機(jī)控制K1、K2閉合,在T2時(shí)間內(nèi),使C1,C2兩端的短路,兩電容兩端電壓降到零,此時(shí)完成放電過(guò)程。

至此,一次完整的采樣過(guò)程結(jié)束,充放電時(shí)序見(jiàn)圖2。

由芯片和單片機(jī)實(shí)現(xiàn)微小電容測(cè)量電路的設(shè)計(jì)

圖2 充放電時(shí)序圖

在整個(gè)過(guò)程中,單片機(jī)要產(chǎn)生一個(gè)頻率為100 kHz,占空比為90%的PWM波,用以控制K1、K2的通斷,還要以(T1+T2)的周期完成AD變換和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其中,T1的最大值小于充電時(shí)間,T2的最小值大于放電時(shí)間。

2 硬件設(shè)計(jì)

2.1 恒流源的設(shè)計(jì)

恒流源是整個(gè)測(cè)量系統(tǒng)模擬部分的重要組成部分,其穩(wěn)定性直接決定了系統(tǒng)測(cè)量的精度。本設(shè)計(jì)中的兩個(gè)恒流源要求輸出電流相等,具體設(shè)計(jì)如圖3。

由芯片和單片機(jī)實(shí)現(xiàn)微小電容測(cè)量電路的設(shè)計(jì)

圖3 恒流源原理圖

由芯片和單片機(jī)實(shí)現(xiàn)微小電容測(cè)量電路的設(shè)計(jì)

因Vi是采用單片機(jī)AD轉(zhuǎn)換的標(biāo)準(zhǔn)電壓1.5 V,UL≤1.5 V,故n值、RL與Rs的比值,直接影響恒流源電流的輸出,只要保證UL小于1.5 V時(shí),該電路輸出電流為恒定值,與負(fù)載電阻RL沒(méi)有關(guān)系。

2.2 放大電路的設(shè)計(jì)

放大電路采用以儀表放大器INA128為核心的儀表放大器。該放大器在放大100倍時(shí)帶寬可達(dá)200 kHz,完全滿(mǎn)足了設(shè)計(jì)的要求。

C1和C2兩個(gè)電容由相應(yīng)的恒流源在相同的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行充電,兩電容充電電壓差由INA128進(jìn)行放大,并送入單片機(jī)進(jìn)行采樣存儲(chǔ)。圖4為充放電標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)與INA128放大后的結(jié)果。

由芯片和單片機(jī)實(shí)現(xiàn)微小電容測(cè)量電路的設(shè)計(jì)

圖4 標(biāo)題信號(hào)與輸出放大

3 軟件設(shè)計(jì)

為實(shí)現(xiàn)低功耗,系統(tǒng)接入電源后進(jìn)入低功耗狀態(tài),需要外部電平信號(hào)才能喚醒。為了避免系統(tǒng)的誤開(kāi)始測(cè)量,當(dāng)需要測(cè)量電容信號(hào)時(shí),將觸發(fā)信號(hào)置高,如果20 s內(nèi)觸發(fā)信號(hào)一直置高,則系統(tǒng)進(jìn)入循環(huán)采集存儲(chǔ)狀態(tài)。為得到包括觸發(fā)前和觸發(fā)后的完整電容信號(hào)曲線,一旦電容信號(hào)達(dá)到預(yù)設(shè)的觸發(fā)值,系統(tǒng)便進(jìn)入觸發(fā)態(tài),將電容信號(hào)存儲(chǔ)到閃存,閃存存滿(mǎn)后,將RAM中的FIFO數(shù)據(jù)導(dǎo)入閃存預(yù)留地址。之后,系統(tǒng)進(jìn)入待讀數(shù)態(tài),此時(shí)插上USB接口,接收到計(jì)算機(jī)的讀數(shù)命令之后即可將數(shù)據(jù)發(fā)送至計(jì)算機(jī),并且在第一次讀取數(shù)據(jù)之后和掉電以后再上電可重復(fù)無(wú)數(shù)次讀取并顯示測(cè)量結(jié)果。系統(tǒng)的狀態(tài)設(shè)計(jì)如圖5。

由芯片和單片機(jī)實(shí)現(xiàn)微小電容測(cè)量電路的設(shè)計(jì)

圖5 系統(tǒng)的狀態(tài)設(shè)計(jì)

為實(shí)現(xiàn)低功耗的系統(tǒng),電路不工作時(shí),即接通電源態(tài)和待讀數(shù)態(tài),系統(tǒng)處于值更狀態(tài)、超低功耗態(tài)LPM4;工作時(shí)都處于全功耗態(tài)。

4 測(cè)量結(jié)果

傳感器的標(biāo)定就是通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定傳感器的輸入量和輸出量之間的關(guān)系,用以確定傳感器系統(tǒng)的線性度、靈敏度和重復(fù)性等靜態(tài)性能指標(biāo)。

表1為測(cè)量0~5pF電容的數(shù)據(jù)。由最小二乘法相關(guān)計(jì)算公式可得,擬合直線為y=0.993x+0.049,重復(fù)性誤差為1.77%,非線性誤差為0.84%,基本誤差為2.61%。

由芯片和單片機(jī)實(shí)現(xiàn)微小電容測(cè)量電路的設(shè)計(jì)

5 結(jié)論

本設(shè)計(jì)的核心硬件由芯片和單片機(jī)實(shí)現(xiàn),省去了昂貴的電容測(cè)量芯片,由低功耗,低成本的數(shù)字芯片組成,有效降低了測(cè)量系統(tǒng)的成本。整個(gè)系統(tǒng)電路板面積小于2.7 cm2,工作電流小于8 mA,低功耗電流為0.02 uA,由于待測(cè)電容和標(biāo)準(zhǔn)電容均有接地端,所以具有較強(qiáng)的抗干擾能力,并體現(xiàn)了低功耗、體積小等優(yōu)點(diǎn)。本測(cè)量方案可以非常靈活,實(shí)現(xiàn)模塊化,所設(shè)計(jì)的同一塊PCB可以移植到許多電容式傳感器的設(shè)計(jì)中去。

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