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MC74VHCT573A高速CMOS八路D型鎖存器技術解析與應用指南

科技觀察員 ? 2025-11-22 15:52 ? 次閱讀
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安森美 (onsemi) MC74VHCT573A CMOS閂鎖 是高速CMOS八路閂鎖,帶有三態(tài)輸出,采用硅柵極CMOS技術制造。這些閂鎖的高速操作與等效雙極型SCHOTTKY TTL類似,同時可保持CMOS低功率耗散。MC74VHCT573A器件可用作3.3V至5V的電平變換器,因為它具有完整的5V CMOS電平輸出擺幅。這些MC74VHCT541A八路緩沖器的工作溫度范圍為-55°C至85°C,電源電壓范圍為4.5V至5.5V DC。MC74VHCT573A閂鎖具有平衡的傳播延遲,并提供斷電保護。這些器件均為無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合RoHS標準

數據手冊:*附件:onsemi MC74VHCT573A CMOS閂鎖數據手冊.pdf

特性

  • 高速
    • tPD = 4.5ns(典型值,VCC = 5V(VHC)時)
    • tPD = 7.7ns(典型值,VCC = 5V(VHCT)時)
  • 低功耗:ICC = 4μA(最大值,TA = 25°C時)
  • 高抗噪:VNIH = VNIL = 28%
  • 提供關機保護功能
  • 平衡傳播延遲
  • 設計目的:
    • 2V至5.5V(VHC)
    • 4.5 V至5.5 V (甚高頻電流)
  • 工作溫度范圍:-55 °C至85 °C
  • 低噪聲:
    • VOLP = 1.2V(最大值,VHC)
    • VOLP = 1.6V(最大值,VHCT)
  • 引腳和功能與其他標準邏輯系列兼容
  • 鎖存性能超過100mA
  • ESD性能人體模型 > 2000V
  • 234個FET或58.5個等效柵極芯片復雜性
  • 這些器件均為無鉛、無鹵素/無BFR,符合RoHS標準

MC74VHCT573A高速CMOS八路D型鎖存器技術解析與應用指南

1. 產品概述

?MC74VHCT573A?是安森美半導體推出的一款先進高速CMOS八路D型鎖存器,具有三態(tài)輸出功能。該器件采用硅柵CMOS技術制造,在保持CMOS低功耗特性的同時,實現了與等效雙極肖特基TTL相當的高速運行性能。

1.1 主要特性

  • ?高速操作?:傳播延遲時間典型值7.7 ns(VHCT系列,VCC=5.0V)
  • ?低功耗?:最大靜態(tài)電流4.0 mA(25°C)
  • ?電平轉換功能?:可實現3.3V至5.0V系統接口
  • ?電源關斷保護?:VCC=0V時輸出結構提供保護

2. 電氣特性與技術參數

2.1 工作電壓范圍

  • ?VHC系列?:2.0V至5.5V
  • ?VHCT系列?:4.5V至5.5V

2.2 輸入輸出特性

輸入兼容性:

  • MC74VHC573:兼容標準CMOS電平
  • MC74VHCT573A:兼容TTL電平

輸出特性:

  • 完全5.0V CMOS電平輸出擺幅
  • 三態(tài)輸出控制
  • 輸出電壓范圍:0V至VCC

2.3 關鍵性能參數

參數符號條件典型值單位
傳播延遲tPDVCC=5.0V7.7ns
靜態(tài)電流ICCTA=25°C4.0mA
高電平噪聲容限VNIH-28%-
低電平噪聲容限VNIL-28%-

3. 功能架構與工作原理

3.1 內部結構

器件內部電路由三級構成,包括提供高噪聲 immunity 和穩(wěn)定輸出的緩沖輸出級。電路復雜度相當于234個FET或58.5個等效門。

3.2 控制邏輯

根據功能表定義:

輸入輸出
OELE
LH
LH
LL
HX

3.3 工作模式

  1. ?數據傳輸模式?(LE=H,OE=L):數據從D端傳輸至Q端
  2. ?數據鎖存模式?(LE=L,OE=L):保持當前輸出狀態(tài)
  3. ?高阻態(tài)模式?(OE=H):輸出呈現高阻抗狀態(tài)

4. 應用設計與實踐指南

4.1 接口電平轉換應用

由于MC74VHCT573A具有完整的5.0V CMOS電平輸出擺幅,特別適用于:

  • ?3.3V至5.0V系統互連?
  • ?混合電壓環(huán)境下的數據緩沖?

4.2 PCB設計建議

  • ?電源去耦?:在VCC和GND引腳間靠近器件處放置100nF電容
  • ?信號完整性?:保持信號走線長度匹配,減少信號延遲差異
  • ?熱管理?:考慮器件功耗,確保在高溫環(huán)境下可靠工作

4.3 時序設計要點

關鍵時序參數:

  • ?建立時間?(D to LE):最小3.5 ns(VCC=5.0V)
  • ?保持時間?(D to LE):最小1.5 ns(VCC=5.0V)
  • ?最小脈沖寬度?(LE):5.0 ns(VCC=5.0V)

5. 可靠性考慮

5.1 環(huán)境保護

  • ?ESD耐受?:人體放電模型>2000V
  • ?閂鎖性能?:超過±100mA
  • ?工作溫度范圍?:-55°C至+85°C

5.2 最大額定值保護

  • ?電源電壓?:-0.5V至+6.5V
  • ?輸入電壓?:-0.5V至+6.5V
  • ?存儲溫度?:-65°C至+150°C

6. 封裝與訂購信息

6.1 可選封裝

  • ?SOIC-20?(DW后綴)
  • ?TSSOP-20?(DT后綴)

6.2 環(huán)保特性

  • ?無鉛設計?:符合RoHS標準
  • ?無鹵素/BFR?:環(huán)境友好型材料
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