在AI服務(wù)器電源設(shè)計中，開關(guān)損耗的優(yōu)化直接關(guān)系到系統(tǒng)能效和散熱性能。東莞市平尚電子科技有限公司基于工業(yè)級技術(shù)積累，在低正向電壓（VF）貼片二極管與MOSFET的協(xié)同設(shè)計方面取得顯著進展，為AI服務(wù)器電源的能效提升提供了可靠解決方案。

開關(guān)過程中的電壓與電流重疊是產(chǎn)生損耗的主要根源。平尚科技的低VF貼片二極管采用肖特基勢壘結(jié)構(gòu)，在額定電流下的正向壓降可控制在0.38V以內(nèi)，相比普通快恢復(fù)二極管的0.8-1.2V具有明顯優(yōu)勢。這種特性在服務(wù)器電源的同步整流電路中表現(xiàn)得尤為突出，能夠顯著降低導(dǎo)通期間的功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率。

反向恢復(fù)特性對開關(guān)損耗的影響同樣不容忽視。平尚科技的低VF貼片二極管通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計，將反向恢復(fù)時間縮短至15ns以內(nèi)，反向恢復(fù)電荷減少到25nC以下。相比之下，普通整流二極管的反向恢復(fù)時間通常在50ns以上。在AI服務(wù)器電源的高頻開關(guān)電路中，這種改進有效降低了開關(guān)過程中的電流尖峰和電壓振蕩，減少了電磁干擾的產(chǎn)生。

MOSFET的開關(guān)速度需要與二極管的特性相匹配。平尚科技通過精確控制MOSFET的柵極電荷和導(dǎo)通電阻，將開關(guān)過程中的電壓電流重疊時間控制在25ns以內(nèi)。實測數(shù)據(jù)顯示，這種優(yōu)化使得單個開關(guān)周期的損耗降低約30%，在200kHz工作頻率的服務(wù)器電源中，整體效率可提升1.5-2個百分點。

熱管理是確保元器件可靠運行的關(guān)鍵因素。平尚科技的低VF貼片二極管采用銅框架封裝結(jié)構(gòu)，熱阻降至35℃/W，配合低導(dǎo)通電阻的MOSFET，在相同工作條件下，溫升比傳統(tǒng)方案降低15-20℃。這種熱特性的改善使得AI服務(wù)器電源能夠在更高環(huán)境溫度下穩(wěn)定工作，延長了設(shè)備的使用壽命。

在實際應(yīng)用案例中，平尚科技的解決方案已成功應(yīng)用于多個AI服務(wù)器項目。在GPU服務(wù)器的VRM電源模塊中，采用低VF貼片二極管與優(yōu)化MOSFET的組合方案，將開關(guān)損耗降低40%以上，整機效率在50%負載下達到94.5%。這些參數(shù)完全滿足國內(nèi)AI服務(wù)器廠商對電源能效的要求。

高頻特性是另一個重要考量維度。平尚科技的低VF貼片二極管通過改進封裝結(jié)構(gòu)，將寄生電感控制在1nH以下，配合低柵極電荷的MOSFET，使得開關(guān)過程中的電壓過沖限制在15%以內(nèi)。這種特性在采用氮化鎵器件的先進服務(wù)器電源中尤為重要，能夠充分發(fā)揮高頻開關(guān)的優(yōu)勢。

可靠性測試表明，平尚科技的工業(yè)級低VF貼片二極管在125℃環(huán)境溫度下仍能保持穩(wěn)定的電氣性能。經(jīng)過1000次溫度循環(huán)測試后，其關(guān)鍵參數(shù)的變化率控制在3%以內(nèi)，展現(xiàn)出優(yōu)異的耐久性。雖然這些產(chǎn)品尚未獲得車規(guī)級認證，但其性能已完全滿足AI服務(wù)器電源的嚴苛要求。

成本效益分析顯示，通過優(yōu)化低VF貼片二極管與MOSFET的匹配設(shè)計，可以在不增加系統(tǒng)成本的前提下實現(xiàn)能效的提升。在典型的三相服務(wù)器電源中，這種優(yōu)化方案每年可為單臺服務(wù)器節(jié)約近百元的電費，在大規(guī)模部署時具有顯著的經(jīng)濟效益。

隨著AI服務(wù)器對能效要求的不斷提高，開關(guān)損耗的優(yōu)化將愈發(fā)重要。平尚科技通過持續(xù)改進低VF貼片二極管和MOSFET的性能參數(shù)，為服務(wù)器電源的能效提升提供了有效的技術(shù)路徑，助力數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)綠色低碳運營。

審核編輯 黃宇